<p>繼大摩等看好傳統存儲前景後，內存巨頭集體宣佈漲價！</p>
<p>週一，<strong>三星大幅上調內存和閃存產品價格，DRAM 產品漲幅高達 30%，NAND 閃存價格上漲 5-10%，原因是供應緊張和雲端企業需求激增。</strong>美光和閃迪等競爭對手同時宣佈類似漲價措施，其中美光漲幅達 20-30% 並暫停接受新訂單。</p>
<p>據韓國媒體 Newdaily 報道，三星將 LPDDR4X、LPDDR5 和 LPDDR5X 內存產品價格上調 30%，eMMC 和 UFC 等 NAND 閃存產品價格上漲 5-10%。供應緊張主要源於老產品減產和大型雲服務商需求增長。</p>
<p>此輪漲價反映出內存行業正經歷結構性轉變。廠商將重心轉向 AI PC 和下一代智能手機等新興市場，導致傳統產品供應收縮。摩根士丹利預計，隨着 HBM 市場競爭加劇，傳統 DRAM 和 NAND 產品有望在 2026 年迎來更可持續增長。</p>
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<h2 id="2dc4fe49">行業巨頭集體漲價</h2>
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<p><strong>三星並非獨自行動。美光已通知客户價格將上漲 20-30%，同時暫停接受新訂單。閃迪宣佈 NAND 閃存產品漲價 10%。這表明整個內存行業正面臨供需失衡壓力。</strong></p>
<p>供應緊張的根本原因在於產業重心轉移。隨着 AI PC 和新一代智能手機採用 LPDDR5/X 標準，廠商減少了老產品生產，但新標準產能尚未跟上需求增長。DDR4 內存價格已暴漲 50%，使 DDR5 成為更具成本效益的 PC 解決方案。</p>
<p>內存價格上漲將直接影響消費電子和企業採購成本。三星作為全球最大內存廠商之一，其定價策略通常引領行業走向，市場擔憂供應緊張可能持續至 2025 年。</p>
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<h2 id="ac9aedb">HBM 需求擠壓傳統產品供應</h2>
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<p>高帶寬內存（HBM）需求激增成為推高價格的關鍵因素。各大 DRAM 廠商紛紛轉向 AI 賽道，優先為英偉達、AMD 等 AI 加速器供應最新產品。這種優先級調整導致消費級 DRAM 供應更加緊張。</p>
<p>三星目前佔據 32.7% 的 DRAM 市場份額和 32.9% 的 NAND 市場份額。公司正努力獲得英偉達支持以推廣其 HBM 產品，同時加速 LPDDR6 DRAM 開發，首批設計預計今年晚些時候推出。</p>
<p>此前摩根士丹利在研報中表示，HBM&#34;溢價神話&#34;面臨挑戰，2026 年將出現激烈競爭和定價壓力。在美聯儲降息預期和宏觀環境改善背景下，市場資金正從 AI 驅動的 HBM 轉向傳統存儲板塊，大摩特別看好傳統 DRAM 的投資價值。</p>
<p>DRAM 和 NAND 的供需結構趨緊，似乎增強了漲價的必要性。花旗集團預測，明年 DRAM 和 NAND 閃存的供應將分別短缺 1.8% 和 4%。摩根士丹利也預測，明年 NAND 的供應將短缺高達 8%。</p>

三星電子

美光科技

<p>三星大幅上調內存和閃存產品價格，DRAM 產品漲幅高達 30%，NAND 閃存價格上漲 5-10%，原因是供應緊張和雲端企業需求激增。美光和閃迪等此前也宣佈類似漲價措施，其中美光漲幅達 20-30% 並暫停接受新訂單。</p>

- 三星、 美光和閃迪等內存廠商集體宣佈漲價，DRAM 漲幅達 30%。  
- 供應緊張源於老產品減產和雲服務需求激增，導致傳統產品供應收縮。  
- 內存價格上漲將影響消費電子和企業採購成本，市場擔憂供應緊張將持續至 2025 年。  

“火上澆油”！報道稱三星大幅上調內存和閃存價格，幅度達 30%