存儲芯片巨頭美光科技不但交了一份驕人的上財季成績單，還提供了比華爾街預期更強勁的本財季指引，傳出人工智能（AI）需求格外強勁的好消息。
美光截至上月末的第四財季業績加速增長，超越本已上調的公司指引。AI 基礎設施建設關鍵產品——高帶寬內存（HBM）繼續強勁增長、營收創新高，推動整個數據中心業務全財年創新高。美光還預計，本財季的營收將刷新前一季所創的最高紀錄，且增幅碾壓分析師預期。
至此，美光已連續七個季度實現盈利。通常 DRAM（內存）週期持續六到八個季度。這次財報帶來了 AI 繁榮有望延長週期的好消息。評論認為，指引提供了 AI 需求在提振美光銷售的跡象，證明美光已成為 AI 領域支出增長的主要受益者，其 HBM 對開發 AI 模型的芯片和系統至關重要，讓公司能獲得豐厚利潤。
財報公佈後，週二收漲逾 1% 的美光股價拉昇，盤後一度漲超 4%，此後漲幅收窄到 1% 以內。
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美東時間 9 月 23 日週二美股盤後，美光科技公佈截至 2025 年 8 月 28 日的 2025 財年第四財季（下稱四季度）財務數據，並提供 2026 財年第一財季（一季度）業績指引。
1）主要財務數據：
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營業收入：四季度營收約為 113.2 億美元，同比增長 46%，分析師預期 111.5 億美元，公司指引為 111 億至 113 億美元，上一財季同比增長 36.6%。
EPS：四季度非 GAAP 口徑下調整後的稀釋後每股收益（EPS）為 3.03 美元，同比增長 156.8%，分析師預期 2.86 美元，公司指引為 2.78 至 2.92 美元，上一財季同比增長 208%。
營業利潤：四季度調整後營業利潤為 39.55 億美元，同比增長 126.6%，分析師預期 37.23 億美元，上一財季同比增長 164.6%。
毛利率：四季度調整後毛利率為 45.7%，同比提高 9.2 個百分點，分析師預期 44.1%，公司指引為 44% 至 45%，上一財季為 39%。
</blockquote>
2）細分業務數據：
<blockquote>
DRAM：四季度 DRAM（內存）營收 90 億美元，環比增長 27%，約佔總營收的 79%，上一財季環比增長 15%、佔總營收 76%。
NAND：四季度 NAND（閃存）營收 23 億美元，環比增長 5%，約佔總營收的 20%，上一財季環比增長 16%、佔總營收 23%。
</blockquote>
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3）業績指引：
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營收：一季度營收預計為 125 億美元、上下浮動 3 億美元，即指引區間為 122 億至 128 億美元，分析師預期 119 億美元。
EPS：一季度調整後的稀釋後 EPS 為 3.75 美元、上下浮動 0.15 美元，即指引區間為 3.60 至 3.90 美元，分析師預期 3.05 美元。
毛利率：一季度調整後的毛利率為 51.5%、上下浮動 1 個百分點，即指引區間為 50.5% 至 52.5%。
</blockquote>
<h2>四季度 EPS 超過已大幅上調的指引 HBM 營收創新高 </h2>
一個月前，美光因 DRAM 定價有所改善而全面上調四季度業績指引，其中營收指引區間的低端上調 6.7%、高端上調 2.7%，EPS 指引區間大幅上調至少約 10%，毛利率指引區間至少上調 2 個百分點。
本週二公佈的財報顯示，美光四季度營收較前一季加快增長，同比增速從前一季度的不足 37% 提升到 46%，營收接近 113.2 億美元，刷新前一季所創的單季最高紀錄，而且超過了公司的整個指引區間，分析師預期還接近指引區間的低端。
美光全財年的營收同比增長 49%，至創紀錄的 374 億美元。
美光四季度的 EPS 保持三位數同比增速，同比增長超一倍至 3.03 美元，較分析師預期高近 6%。四季度 EPS 和毛利率均高於公司的整個上調後指引區間。
財報顯示，四季度美光利潤最高的產品之一——用於 AI 數據處理的 HBM 營收創單季新高，包括為數據中心客户提供 HBM 在內，美光專注為超大規模雲計算客户服務的雲存儲業務（CMBU）營收 45.43 億美元，同比增長 213.5%。
美光 CEO Sanjay Mehrotra 評論稱，美光 2025 財年取得了創紀錄的業績，其中四季度的表現尤其出色，證明了公司在技術、產品和運營方面的領先地位。2025 財年，美光的數據中心業務取得了歷史最佳業績，並以強勁的勢頭和迄今最具競爭力的產品組合進入 2026 財年。
<h2>一季度營收料增超 40% EPS 再翻倍增長</h2>
業績指引顯示，美光預計，一季度，美光將史上首次單季營收超過 120 億美元，繼續四季度之後再創營收紀錄。而分析師預期還不足 120 億美元。美光的整個指引區間都高於分析師預期。
一季度的營收指引區間中值為 125 億美元，意味着營收將同比增長 43.5%，較分析師預期營收高約 5%。
一季度 EPS 指引中值 3.75 美元意味着，EPS 將同比增長 109.5%，較分析師預期高約 23%。
市場形勢方面，美光預計，到自然年 2026 年、即明年，DRAM 市場供應將繼續緊張，NAND 市場狀況將持續好轉。中期來看，美光預計 DRAM 和 NAND 的行業需求複合年增長率將達到 15% 左右。
美光上調了 2025 自然年、即今年的行業需求增長預期。目前美光預計，今年全球行業 DRAM Bit 需求增長率將超過 15%，略高於公司之前預測。美光還預計，今年全球的行業 NAND Bit 需求增長率也將高於之前的預測，預計增速在 10% 至 15%。
美光在 2025 財年共投入 138 億美元用於資本支出，同比增長約 70%。由於持續加大對 1γ DRAM 和 HBM 相關技術的投資，美光預計，2026 財年的資本支出將高於 2025 財年水平。美光預計一季度資本開支大約 45 億美元，同比增近 44%，高於分析師預期 39 億美元。
<h2>HBM 客户擴大至六家 未來幾個月明年 HBM 將訂購一空</h2>
公佈財報的同時，美光 CEO Sanjay Mehrotra 透露，美光的 HBM 客户羣已擴大至六家，並預計未來幾個月，美光明年的 HBM 產品就都將訂購一空。他説：
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“我們已經與幾乎所有客户就 2026 自然年大部分 HBM3E 產品的價格達成協議。我們正在與客户積極討論 HBM4 產品的規格和供貨量，預計在未來幾個月內，我們將與客户達成協議，實現 2026 年剩餘 HBM 產品銷罄。”
</blockquote>
HBM4 是目前 HBM3 標準的進化版，提供更高的帶寬、更低的功耗和更大的芯片容量。它具備 2048 位元接口，每個內存堆疊的傳輸速率超過 2.0 TB/s，性能較前代提升超 60%，功耗較美光目前業內領先的 HBM3E 12H 產品低 20%。
美光從 6 月開始向主要客户發送其 36GB HBM4 12H（12 層堆疊）內存樣品。本次財報稱，近期已向客户交付 HBM4 產品樣品。儘管外界對 HBM4 帶寬和引腳速度方面的性能要求不斷提高，美光的 HBM4 12H 產品仍按計劃推進，能夠滿足客户平台擴容的需求。

美光科技

第四財季美光 EPS 翻倍增長、較分析師預期高 6%，且超過美光大幅上調至少 10% 的指引區間，HBM 營收創新高；第一財季營收指引同比增超 40%，EPS 指引再翻倍增長、較分析師預期高逾 20%。股價盤後一度漲超 4%。美光上調今年 DRAM 和 NAND 的需求增長預期。CEO 稱，美光 HBM 客户擴大至六家；未來幾個月，明年 HBM 產品將訂購一空。

- 美光科技第四財季營收約 113.2 億美元，同比增長 46%。  
- HBM 產品推動數據中心業務創新高，預計一季度營收將超 120 億美元。  
- 美光已連續七個季度盈利，AI 需求助力銷售增長。  

AI 需求給力，美光上季營收勁增 46%，本季指引碾壓預期再創新高 | 財報見聞