記者 10 日從南京大學獲悉,該校類腦智能科技研究中心研究團隊提出了一種高精度模擬存內計算方案,並以此為基礎,研發出一款基於互補金屬氧化物半導體工藝的模擬存算一體芯片。測試數據表明,該芯片創下了模擬存內計算領域的最高精度紀錄。相關成果近日刊發於國際學術期刊《科學·進展》。