智通財經 APP 獲悉，納微半導體 (NVTS.US) 宣佈在研發先進的 800 伏直流 (800 VDC) 氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率器件方面取得進展，以支持英偉達 (NVIDIA) 最新發布的用於下一代人工智能 (AI) 計算平台的 800 高壓直流 (HVDC) 架構。受此消息提振，納微半導體週一美股收漲 21.14%，盤後再漲超 30%。數據顯示，納微半導體股價在過去六個月內狂飆逾 350%。今年 5 月，5 月 21 日，納微半導體公司宣佈與英偉達合作開發下一代 800 伏高壓直流 (HVDC) 架構，為包括 Rubin Ultra 在內的 GPU 提供支持的 “Kyber” 機架級系統供電。納微半導體的氮化鎵和碳化硅技術將在這一合作中發揮關鍵作用。據悉，新的電源架構旨在解決 AI 工廠 (即專為大規模人工智能與高性能計算負載而設計的數據中心) 中的電力分配挑戰。傳統的機架內 54 伏電源分配已無法滿足多兆瓦級機櫃的功率密度需求。憑藉流動比率高達 8.23、債務股權比僅為 0.02 的強勁資產負債表，納微半導體在為其技術進步項目提供資金方面處於有利地位。根據該公司新聞稿，這種 800 伏直流配電系統可在數據中心內實現從公用電力到 800 伏直流的直接轉換，從而消除多個傳統轉換階段。這種方法旨在最大化能效、減少能量損耗，並提升系統可靠性。納微半導體推出了一款專為 GPU 電源板上低電壓 DC-DC 轉換階段設計的新型 100 伏 GaN 場效應晶體管 (FET) 產品組合。該公司表示，這些元件通過與 Power Chip 的戰略合作，在 200 毫米 GaN-on-Si 工藝上製造。此外，納微半導體還提供 650 伏 GaN 產品和高壓 SiC MOSFET，用於支持數據中心基礎設施中不同階段的電力轉換。納微半導體總裁兼首席執行官 Chris Allexandre 在聲明中表示：“隨着英偉達引領 AI 基礎設施的變革，我們很自豪能以先進的 GaN 和 SiC 電源解決方案支持這一轉型，為下一代數據中心提供所需的高效性、可擴展性和可靠性。”該公司將其技術定位為支持現代 AI 數據中心從 “電網到 GPU” 的全鏈路電力系統，為包括英偉達 Rubin Ultra 在內的先進計算平台提供高壓配電與負載端轉換的整體解決方案。此外，納微半導體宣佈管理層變動，Chris Allexandre 將於 2025 年 9 月 1 日正式接任公司總裁兼首席執行官，接替聯合創始人 Gene Sheridan。在此背景下，Rosenblatt 維持對納微半導體的 “買入” 評級，但將目標價下調至 8.00 美元，理由是儘管該公司季度業績符合預期，但未來指引低於市場一致預期。

英偉達

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英偉達期權收益策略 ETF - YieldMax

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半導體 3 倍做多 - Direxion

納微半導體在研發 800 伏直流氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率器件方面取得進展，以支持英偉達的 800 高壓直流架構。此消息推動納微股價上漲 21.14%，盤後再漲超 30%，過去六個月股價飆升逾 350%。該技術旨在解決 AI 數據中心的電力分配挑戰，提升能效和系統可靠性。

- 納微半導體宣佈在 800 伏直流氮化鎵和碳化硅功率器件研發上取得進展。  
- 受此消息影響，納微半導體股價週一上漲 21.14%，盤後再漲超 30%。  
- 公司將支持英偉達的 AI 計算平台，提升數據中心電力分配效率。  

納微半導體股價狂飆！功率器件研發取得進展 將賦能英偉達 800V 電力架構

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