人工智能引發的內存 “超級週期” 正全面加速，迫使全球主要供應商大幅提價，並推動客户爭相鎖定長期供應，以應對日益加劇的短缺風險。
據媒體 23 日報道，三星電子與 SK 海力士已在第四季度將其 DRAM 和 NAND 閃存的價格上調最高達 30%，並將新的價格體系傳導至客户。此舉是內存巨頭對當前市場供需失衡的直接回應，價格上漲週期已正式開啓。
隨着市場對供應短缺的擔憂加劇，大型客户正在採取罕見的行動。據報道，部分美國的電子公司及數據中心運營商，正與三星和 SK 海力士洽談長達 2 至 3 年的中長期供應合同。
市場普遍預計，這場由 AI 驅動的供應短缺將比以往任何一次繁榮週期都更長、更強。報道援引分析師觀點指出，短缺狀況可能持續三到四年。這一預測的背後，是價值數百萬億韓元的新增 AI 服務器投資、通用服務器的持續內存升級，以及端側 AI 設備需求崛起等多重因素的疊加。
<h2>HBM 擠佔產能加劇供應緊張</h2>
面對持續的供應緊張預期，內存市場的採購模式正發生結構性轉變。
傳統上，企業為保持庫存管理靈活性，普遍傾向於簽訂季度或年度的 DRAM 合同。然而，由於預測顯示通用 DRAM 將持續短缺，企業正日益轉向提前鎖定額外供應。美國的電子巨頭及數據中心運營商已經開始探索與韓國兩大內存製造商簽訂 2 至 3 年的中長期協議，以確保其未來幾年的供應鏈穩定。
DRAM 價格攀升的部分原因在於產能受到高帶寬內存（HBM）的擠壓。據報道援引美光首席商務官 Sumit Sadhana 的言論，HBM 消耗的晶圓產能是標準 DRAM 的三倍以上。由於利潤豐厚，內存製造商有充分的動力優先生產 HBM。分析預計明年出貨的 12 層 HBM4 產品的售價為每片 500 美元，較目前約 300 美元的 12 層 HBM3e 價格高出 60% 以上。
<h2>AI 熱潮推動全方位需求</h2>
本輪內存超級週期的驅動力不僅侷限於 HBM，而是呈現出全方位的需求增長。分析師認為，此輪週期的強度和長度將超過以往。驅動因素包括：企業在 AI 服務器領域的鉅額新投資、通用服務器為支持 AI 應用而進行的內存升級，以及智能手機、PC 等設備上 “端側 AI” 功能的普及。
此外，隨着 AI 投資重心從大規模數據訓練轉向推理應用，市場對通用 DRAM 的需求也在同步攀升，因為通用 DRAM 在處理速度和功耗方面具備優勢，這進一步加劇了整個 DRAM 市場的供不應求局面。

三星電子

三星和 SK 海力士在 Q4 已將 DRAM 和 NAND 閃存價格上調高達 30%，美國電子巨頭和數據中心運營商正與韓國供應商洽談長達 2 至 3 年的中長期供貨合同。HBM 生產擠佔通用 DRAM 產能是漲價主因，分析師預計此輪短缺狀況可能持續三到四年。

- 人工智能引發內存 “超級週期”，全球供應商大幅提價。  
- 三星與 SK 海力士將 DRAM 和 NAND 價格上調最高達 30%。  
- 大型客户爭相鎖定長期供應合同以應對短缺風險。

存儲芯片 “超級週期” 加速：三星、SK 海力士雙雙漲價 30%，有客户鎖定 2-3 年長協