<div id="readability-page-1">SK 海力士正在大舉擴張先進內存芯片產能，押注人工智能應用從訓練轉向推理帶來的市場機遇。 11 月 20 日，據韓國媒體報道，韓國內存芯片巨頭——SK 海力士計劃明年將第六代 10 納米 DRAM（1c DRAM）月產能從目前約 2 萬片 300mm 晶圓提升至 16 萬至 19 萬片，增幅達 8 至 9 倍，佔其 DRAM 總產能的三分之一以上。 報道稱，據半導體行業消息人士透露，擴產後的 1c DRAM 將主要用於生產 GDDR7 和 SOCAMM2 等產品，以滿足英偉達等大型科技公司的訂單需求。這一戰略調整反映出AI 推理應用對成本效益更高的通用 DRAM 需求激增，該公司正將戰略重心從高帶寬內存（HBM）擴展至更廣泛的 AI 內存市場。 同時，據華爾街見聞此前文章，SK 海力士近期與英偉達完成 HBM4 供應談判，成功將價格提升逾 50% 至每顆 500 美元以上。據媒體報道，該公司已提前售罄明年產能，在 HBM 和通用 DRAM 市場均佔據有利定價地位。 業內人士預計，SK 海力士明年設施投資額將輕鬆突破 30 萬億韓元，較今年預計的 25 萬億韓元大幅增長。市場預測該公司明年營業利潤有望超過 70 萬億韓元，創下歷史新高。 <h2>尖端製程產能實現跨越式擴張</h2> SK 海力士的產能提升計劃集中在最先進的 1c DRAM 技術節點。 報道指出，據行業消息人士透露，該公司計劃明年在利川園區通過工藝升級新增 14 萬片月產能，這被視為&#34;最低增幅&#34;。部分業內人士表示，SK 海力士也在考慮將月產能提高 16 萬至 17 萬片。 按照 SK 海力士目前每月平均 50 萬片 DRAM 晶圓進料量計算，超過三分之一的產能將投入到先進的 1c DRAM 生產。 該公司已將 1c DRAM 的良率提升至 80% 以上，該製程主要用於製造 DDR5、LPDDR 和 GDDR7 等最新通用 DRAM 產品。 這一激進的產能擴張計劃顯示 SK 海力士對 AI 驅動的內存需求持續繁榮抱有強烈信心。分析指出，相比需要複雜堆疊工藝的 HBM，1c DRAM 的生產效率更高，能夠更快速響應市場需求的爆發式增長。 <h2>AI 推理應用重塑市場需求結構</h2> SK 海力士戰略調整的核心邏輯在於 AI 應用重心的轉變。 報道稱，此前該公司將產能重點放在 HBM 上，判斷 HBM 需求增長將超過通用 DRAM。但隨着 AI 模型從學習擴展到推理領域，通用 DRAM 的需求增速預計將與 HBM 相當。 在 AI 推理應用中，比 HBM 更節能、更經濟的先進通用 DRAM 成為主流選擇。 英偉達近期發佈的 AI 加速器 Rubin CPX 採用的是 GDDR 顯存而非 HBM 顯存，直接部署在處理器旁邊。谷歌、OpenAI 和亞馬遜網絡服務等大型科技公司也在開發集成大量通用 DRAM 的定製 AI 加速器。 英偉達使用的 SOCAMM2 內存模塊同樣採用 1c DRAM。SOCAMM 是英偉達主導的面向 AI 服務器和 PC 的內存模塊標準，與 HBM 相比帶寬較低但能效更高。 英偉達計劃在其專有 CPU Vera 旁邊部署 SOCAMM2，業內人士預測 SK 海力士將獲得一定數量的供應訂單。 據 DRAMeXchange 數據，DDR4 固定交易價格 9 月突破 7 美元，創 6 年 10 個月來新高。這是因為近年主要存儲芯片企業集中擴充 HBM 產線，導致通用型 DRAM 供應瓶頸蔓延。 一位業內人士表示，隨着推理 AI 市場快速擴張，存儲芯片供應短期內無法跟上需求。 <h2>HBM4 漲價逾 50% 鞏固盈利能力</h2> 據華爾街見聞文章，媒體早前報道指出，SK 海力士在與英偉達的 HBM4 供應談判中成功將價格提升逾 50% 至每顆 500 美元以上。這款 HBM4 將搭載於英偉達明年下半年發佈的下一代人工智能芯片 Rubin。 HBM4 的大幅提價有技術基礎支撐。該產品的數據傳輸通道達到 2048 個，是前代 HBM3E 的兩倍。 此外，連接圖形處理器和 HBM 的基礎芯片中新增了計算效率和能源管理等邏輯工藝。考慮到這些技術進步帶來的成本增加，SK 海力士從 HBM4 開始將此前自主生產的基礎芯片外包給台積電。 英偉達最初對大幅漲價表現出抗拒，考慮到三星電子和美光將大規模供應 HBM4，雙方一度陷入僵持。 但最終供應價格敲定在 SK 海力士提議的水平。一位 SK 海力士高管表示，考慮到工藝進步和投入成本，HBM4 具備大幅提價的因素。 SK 海力士今年 3 月率先向英偉達交付全球首個 HBM4 12 層堆棧樣品，6 月即開始供應初始批次。 該公司近期向機構投資者表示，已鎖定符合英偉達規格產品的價格和供應量，正在維持當前盈利能力。這意味着即使三星電子和美光進入 HBM4 市場，也不會對 SK 海力士的業績產生不利影響。 <h2>雙輪驅動推高明年業績預期</h2> 報道還指出，在擴大通用 DRAM 產能的同時，SK 海力士並未放緩 HBM 佈局。 該公司正在擴大 1b DRAM 產能，用於明年正式向英偉達供應的 HBM4。位於清州園區的全新 M15X 工廠計劃於今年年底投產，這條 1b DRAM 生產線平均每月可生產 6 萬片晶圓。 業界估算 SK 海力士的 HBM4 利潤率約為 60%。市場預計該公司明年 HBM 銷售額約為 40 萬億至 42 萬億韓元。 若維持與今年相同的利潤率，SK 海力士僅 HBM 業務就將產生約 25 萬億韓元營業利潤，較今年的 17 萬億韓元增長近 50%。 隨着全球 AI 基礎設施投資熱潮推動，通用型 DRAM 價格同步飆升。分析顯示，隨着 DRAM 價格上漲，SK 海力士明年通用型 DRAM 營業利潤率也可能接近 50% 至 60%。一位業內人士表示，SK 海力士在產品生產前就已售罄明年產能，因此將維持高利潤率。 綜合 HBM4 的高利潤率和通用型 DRAM 價格上漲因素，市場預測 SK 海力士明年營業利潤有望超過 70 萬億韓元，創下歷史新高。這一預期建立在該公司已確保 HBM4 盈利能力、產能提前鎖定以及 AI 內存需求持續旺盛的基礎上。風險提示及免責條款 市場有風險，投資需謹慎。本文不構成個人投資建議，也未考慮到個別用户特殊的投資目標、財務狀況或需要。用户應考慮本文中的任何意見、觀點或結論是否符合其特定狀況。據此投資，責任自負。</div>

英偉達

SK 海力士計劃大幅擴張其第六代 10 納米 DRAM 產能，預計明年將月產能從 2 萬片提升至 16 萬至 19 萬片，以滿足 AI 推理應用的市場需求。該公司已與英偉達完成 HBM4 供應談判，並計劃在利川園區新增 14 萬片月產能。業內預計其明年設施投資將超 30 萬億韓元，營業利潤或超 70 萬億韓元，創歷史新高。

- SK 海力士計劃明年將 10 納米 DRAM 月產能提升至 16 萬至 19 萬片。  
- 擴產後的 DRAM 將主要用於滿足英偉達等科技公司的訂單需求。  
- 預計明年營業利潤將超過 70 萬億韓元，創歷史新高。  

押注"AI 內存超級週期"，SK 海力士明年 10 納米 DRAM 產量將增至 8 倍