大摩認為，三星電子正以其&#34;技術領先優先&#34;戰略重新掌控存儲市場主導權，2026 年每股收益將較 2025 年暴增超過 150%。
據追風交易台消息，摩根士丹利分析師在 11 月 23 日的報告中表示，三星在高帶寬內存 (HBM) 領域已實現全面追趕。三星 HBM3e 產品目前已向所有 AI 計算客户出貨，而 HBM4 產品正在進行多重資質認證測試，首批結果預計將在 12 月初公佈。
與競爭對手不同，三星無需修改設計要求，憑藉 1c DDR5 前端技術、4nm 邏輯基礎晶粒和低功耗特性，在產品質量和規格方面保持領先優勢。特別是在高速&gt;11 Gbps 領域的獨特優勢，以及從 DRAM 到代工再到封裝的端到端解決方案能力，使其有望顯著提升市場份額。
分析師強調，作為 DRAM 行業命運的關鍵掌控者，三星目前擁有 50 萬片 DRAM 有效產能 (總計約 65 萬片/月)，遠超競爭對手。DRAM 訂單履約率已降至客户需求的 70% 左右，可見度延續至 2026 年上半年。
然而，三星管理層採取了更為理性的策略——不願追逐市場熱潮，而是與關鍵客户合作，根據真實需求實現可持續盈利。P4 廠房超過 10 萬片/月的設計產能為內存和代工業務提供了充足的擴張空間。
<img class="wscnph" src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/7a79106d-2fbf-4a86-8202-1be7b897f1f9.png?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" width="1474" height="996" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/7a79106d-2fbf-4a86-8202-1be7b897f1f9.png"/>
<h2 style="text-align: left">代工業務最壞時刻已過，2nm 工藝贏得多個訂單</h2>
分析師認為，三星代工業務正迎來複蘇曙光。利用率提升和先進製程性能改善將推動盈利復甦。三星以客户為中心的文化轉變已開始顯現成效，在 2nm 製程領域贏得多個訂單。儘管產量仍需提升，尋找特斯拉以外的大客户仍是優先任務，但整體前景明顯改善。
基於供應短缺環境下的強勁定價能力，摩根士丹利預計三星 2026 年每股收益將達到 14,464 韓元，較當前市場共識預期 9,800 韓元高出近 50%。這一盈利增長有望推動市盈率倍數的改善。分析師特別指出，市場對三星特定的積極進展準備不足，從相對盈利修正到技術領先地位的轉變 (HBM4)，都可能成為股價催化劑。
<img class="wscnph" src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/5b44d320-9204-4a71-91a4-67d98c144e91.png?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" width="1215" height="858" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/5b44d320-9204-4a71-91a4-67d98c144e91.png"/>

三星電子

大摩認為，三星在高帶寬內存 (HBM) 領域已實現全面追趕，HBM4 產品正在進行多重資質認證測試，首批結果預計將在 12 月初公佈。公司目前擁有 50 萬片 DRAM 有效產能，遠超競爭對手。公司有望重新掌控存儲市場主導權，2026 年盈利將較 2025 年暴增超過 150%。市場對三星特定的積極進展準備不足，從相對盈利修正到技術領先地位的轉變 (HBM4)，都可能成為股價催化劑。

- 摩根士丹利預計三星 2026 年每股收益將暴增 150%。  
- 三星在高帶寬內存領域已全面追趕，HBM3e 產品已出貨。  
- 代工業務復甦，2nm 工藝贏得多個訂單，前景明顯改善。  

存儲之王迴歸？大摩：三星 HBM 業務已實現全面趕超，2026 年盈利或暴增 150%