在全球半導體競爭持續升温的背景下，美國政府正試圖從最關鍵、最核心的技術環節切入，重塑先進製程產業鏈。
根據官方最新披露的信息，特朗普政府已決定向激光芯片初創企業 xLight 投資最多 1.5 億美元，這是《芯片與科學法案》資金在特朗普第二任期內的首筆投資。根據協議，商務部將獲得該公司股權，預計成為其最大股東。
xLight 的目標並非打造整台光刻機，而是突破當前極紫外（EUV）光刻系統中最難、也是最關鍵的部分——激光器。當前，全球只有荷蘭的 ASML 能夠生產用於先進芯片製造的 EUV 光刻機，每台設備造價高達數億美元。而在這套複雜系統內部，真正技術壁壘最高、研發難度最大的，正是用於產生 13.5 納米波長 EUV 光源的激光器。
美國商務部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）表示，這項合作將支持一項能夠&#34;從根本上重寫芯片製造極限&#34;的技術。該投資標誌着美國政府加大對戰略性半導體制造技術的直接投資力度。
<h2 style="text-align: left">技術突破瞄準光刻核心環節</h2>
xLight 希望利用源自粒子加速器的技術，打造 “自由電子激光器”（Free Electron Laser），以更低的能耗，生成更穩定、更精確的極紫外光源，並計劃將其接入 ASML 或其他廠商的光刻系統中。
公司甚至將目標瞄準了更先進的 2 納米波長，這意味着，如果技術成功，芯片製造精度有望顯著提升，有助於延續 “摩爾定律” 的生命力。
更引人注目的是，這家公司還迎來了前英特爾 CEO 帕特·基辛格（Pat Gelsinger）的加入。他已在今年 3 月出任 xLight 董事會執行主席。在離開英特爾後，基辛格將這一項目視為自己 “第二次機會”，並形容這是一個 “非常個人化的使命”。
“我們是來喚醒摩爾定律的，它一直在打盹。” 基辛格在接受媒體採訪時表示。他預計，xLight 的新技術有望將晶圓加工效率提升 30% 至 40%，同時大幅降低能耗，從而重塑先進製程的經濟模型
這筆投資資金來自 2022 年《芯片與科學法案》（CHIPS &amp; Science Act）的相關撥款，屬於面向早期前沿技術的支持項目。這也是當前政府接手一項價值 74 億美元的半導體研究機構後，首次做出的投資決定，雖然目前仍處於 “初步非約束性協議” 階段，但政治信號十分明確。
盧特尼克在聲明中直言，美國在先進光刻技術領域 “讓位他人太久了”，而如今 “這種局面必須終結”。
xLight 的計劃相當宏大。其自由電子激光設備尺寸可達 100 米×50 米，未來將作為 “公用設施級” 裝置部署在晶圓廠外圍。公司目標是在 2028 年實現首批硅晶圓的生產。
目前，公司由曾任職政府實驗室和量子計算企業的 Nicholas Kelez 擔任 CEO，今年夏天剛獲得包括 Playground Global 在內的 4000 萬美元融資，而基辛格正是該風投基金的合夥人之一。
<h2 style="text-align: left">政府直投戰略引發爭議</h2>
然而，政府直接入股企業的做法也引發部分市場人士批評，認為這是一種 “國家資本主義”，有 “挑選贏家和輸家” 之嫌。
盧特尼克為這一做法辯護，稱刺激關鍵產業發展並引入私營部門合作伙伴是合理的。
在 xLight 之外，美國也在鼓勵更多本土半導體技術挑戰者湧現。由彼得·蒂爾支持的初創公司 Substrate 近期也宣佈融資 1 億美元，計劃打造美國自己的 EUV 替代方案；與此同時，政府也在向台積電等企業施壓，希望擴大其在美國本土的投資規模。
可以預見，圍繞 EUV 光刻及其核心部件的新一輪 “技術軍備競賽” 已經悄然展開。而 xLight 能否從實驗室走向量產，從技術想象走向產業現實，將成為未來數年半導體格局演變的重要變量。

阿斯麥

xLight 並非打造整台光刻機，而是直指極紫外（EUV）光刻系統中最難、最關鍵的部件——激光器。目前全球僅 ASML 能夠生產 EUV 光刻機，單台造價高達數億美元，而其核心正是產生 13.5 納米波長光源的激光系統。

- 美國政府向激光芯片初創企業 xLight 投資最多 1.5 億美元。  
- xLight 計劃突破極紫外光刻系統中的激光器技術，提升芯片製造精度。  
- 政府直接投資引發爭議，但被視為刺激關鍵產業發展的合理舉措。  

瞄準 EUV 關鍵技術！美政府押注激光初創公司 xLight：最高 1.5 億美元換取最大股東地位