加速追趕 SK 海力士！三星 HBM4 被曝通過內部測試，供貨英偉達” 蓄勢待發”

三星電子在高帶寬內存（HBM4）領域取得關鍵進展，其芯片已通過量產準備認證（PRA），並準備向英偉達供貨。 12 月 2 日，據媒體報道，三星電子近日完成了 HBM4 的量產準備認證（PRA）。該芯片已達到三星內部量產標準，公司計劃加快其進入英偉達供應鏈的步伐。 若獲得英偉達的供貨資格，三星電子在 AI 芯片供應鏈中的地位將顯著提升。英偉達 CEO 黃仁勳此前表示不排除與三星電子合作的可能性。他強調：“三星的 HBM 顯存芯片測試合格，合作進展順利。” 此前，在 HBM4 供應談判中，SK 海力士已取得主導地位，成功將芯片單價推高逾 50% 至每顆 500 美元以上，進一步鞏固了其在高端存儲市場的定價優勢。 三星電子加速追趕，內部測試傳來利好消息 三星電子近日已完成 HBM4 的量產準備認證（PRA）。作為三星內部質量認證流程的最後一步，PRA 被視為產品量產的關鍵節點，意味着其 HBM4 已達到公司內部量產標準。行業普遍認為，此次通過 PRA 將對其後續通過英偉達最終質量測試（Qualtest）產生積極影響，並加速進入英偉達供應鏈進程。 三星電子最初計劃在年內完成 HBM4 性能評估並啓動量產，但因此前未通過英偉達質量測試而轉向專注設計優化，重點改進散熱表現等關鍵指標。近期，公司通過優化基於 1c 節點的 DRAM 成熟度，並結合 4 納米邏輯工藝提升基礎芯片性能，顯著縮小了與競爭對手的技術差距。 值得關注的是，HBM4 的製造依賴 DRAM 工藝、基礎芯片設計與 TSV 對準精度等多種技術的複雜整合，這些因素共同決定了芯片的發熱控制與能效水平。三星電子的突破，有望改變當前 HBM 市場的競爭格局。目前，英偉達正積極確保 HBM 供應，以為其下一代 GPU“Rubin” 在明年下半年的量產做準備，這為三星電子提供了重要市場窗口。 SK 海力士搶佔先機，HBM4 漲價逾 50% 獲英偉達認可 SK 海力士在與英偉達的 HBM4 供應談判中展現強勢議價能力。該公司成功將 HBM4 價格推升至 “500 美元中半帶”，較前代產品漲幅超過 50%。這一價格調整充分反映出其在高端 HBM 市場的優勢地位。 技術升級為大幅提價提供支撐。HBM4 的數據傳輸通道 (I/O) 達到 2048 個，是前代 HBM3E 的兩倍。考慮到技術進步帶來的成本增加，SK 海力士已將此前自主生產的基礎芯片外包給台積電，以優化供應鏈並控制整體成本。 儘管英偉達最初對大幅漲價表現抗拒，並曾考慮三星電子和美光未來可能的大規模供應，導致雙方談判一度陷入僵持，但最終供應價格仍敲定在 SK 海力士提議的水平。SK 海力士高管強調，考慮到工藝進步和投入成本，HBM4 具備大幅提價的結構性因素。