<p>野村證券在 5 日發佈的報告中指出，全球存儲市場正迎來前所未有的 “三重超級週期”（Triple Super-Cycle），DRAM、NAND 和 HBM（高帶寬內存）的需求將在 2026 年同時爆發。</p>
<p>據追風交易台消息，野村證券預測，受人工智能基礎設施建設及傳統服務器投資回暖的驅動，全球存儲市場規模有望在 2026 年同比增長 98% 至 4450 億美元，並在 2027 年進一步擴大至 5900 億美元。</p>
<p>報告強調，<strong>這一輪超級週期將持續至 2027 年，主要動力來自強勁的需求增長與有限的供應擴張之間的供需錯配。</strong>野村預計，2026 年 DRAM 和 NAND 的需求將分別增長 30%，而 HBM 的需求增幅將高達 63%。在供應受限的背景下，產品價格將大幅上漲，預計 DRAM 和 NAND 的平均售價（ASP）將分別躍升 46% 和 65%，推動存儲芯片製造商的營業利潤率重回歷史高位。</p>
<p>野村指出，除了 AI 服務器的強勁需求外，通用服務器市場的復甦也是關鍵驅動力。隨着大型科技公司恢復傳統雲服務器投資，預計 2026 年通用服務器相關內存（如 DDR4 和 DDR5）需求將增長約 50%。同時，AI 推理工作負載的增加推動了數據中心對高性能存儲的需求，企業級固態硬盤（eSSD）需求預計將在明年翻倍，這將導致 NAND 庫存迅速下降並推高價格。</p>
<h2>AI 與通用服務器共振，驅動 HBM 與 DRAM 需求</h2>
<p>野村認為，本次超級週期的核心在於 AI 服務器與通用服務器需求的雙重共振。在 AI 領域，隨着英偉達推出 Rubin GPU 平台，HBM4 的需求將在 2026 年開始爬坡。野村預計，SK 海力士將在 2026 年第一季度開始出貨 HBM4，而三星和美光科技則緊隨其後在第二季度跟進。此外，隨着 ASIC（專用集成電路）供應商的積極擴產，HBM 廠商對英偉達的單一依賴度將從 2026 年起降低，從而緩解潛在的產能過剩風險。</p>
<p>在通用服務器領域，經歷了 2023 年的投資下滑和 2024 年的温和復甦後，野村預計大型科技公司在 2026 年的投資將增長 20% 至 30%。這將直接帶動傳統 DRAM 產品的需求，使其供應日趨緊張。</p>
<p><strong>野村預測，受強勁需求和產能優先分配給 HBM 的影響，商品 DRAM 的短缺將持續，並在 2026 年至 2027 年將其營業利潤率推高至約 70% 的水平。</strong></p>
<h2>數據中心存儲轉型，引爆 NAND 與 eSSD 市場</h2>
<p><strong>在 NAND 領域，eSSD 正在成為主要的增長引擎，預計將佔到 2026 年 NAND 總需求的約 40%。</strong>野村分析稱，隨着 AI 工作負載從訓練轉向推理，市場對能夠提供實時響應的高性能存儲需求激增，甚至導致 HDD（機械硬盤）供應短缺，進而加速了需求向 SSD 的轉移。</p>
<p>報告指出，QLC 技術的採用提高了 SSD 的成本效益和總擁有成本（TCO）優勢。野村預計，受傳統數據中心和 AI 數據中心的雙重存儲需求驅動，加上 HDD 供應不足，2026 年 eSSD 需求將增長超過 100%。這也將推動 NAND 行業的營業利潤率從目前的盈虧平衡或微利狀態大幅改善，預計在 2026 年達到 30% 至 40% 的繁榮水平。</p>
<h2>供應瓶頸持續，產能擴張受限於潔淨室短缺</h2>
<p>儘管需求端極其強勁，但供應端的反應卻受到物理條件的限制。野村強調，由於潔淨室（cleanroom）的可用性不足，全球存儲行業的供應擴張在 2027 年中期之前將非常有限。這一供應瓶頸已經反映在現貨市場上，<strong>自今年 10 月以來，DRAM 現貨價格已飆升 200% 至 300%，NAND 晶圓現貨價格也上漲了 140%。</strong></p>
<p>野村解釋稱，即便廠商決定擴產，從設備安裝到芯片產出通常需要較長時間。而在當前的技術遷移期（如向 1C 納米制程過渡），晶圓產能實際上會減少 10% 至 15%，且初期良率較低，導致實際位元產出增長受限。此外，HBM4 的生產需要更多晶圓消耗，進一步擠佔了商品 DRAM 的產能。因此，直到 2027 年之前，市場無需擔憂大宗存儲芯片會出現供應過剩。</p>
<h2>下游成本壓力加劇，消費電子需求或受抑制</h2>
<p>雖然上游存儲廠商將迎來盛宴，但對於下游的 PC 和智能手機制造商而言，2026 年將是充滿挑戰的一年。野村警告稱，存儲芯片價格的飆升將顯著推高 PC 和智能手機的 BOM 成本，進而壓縮廠商利潤或迫使其提價。</p>
<p>報告預測，<strong>受成本上漲及換機需求提前釋放的影響，2026 年全球 PC 出貨量可能同比下降 2.8%，智能手機出貨量或同比下降 1.7%。</strong>特別是對於中低端智能手機，由於存儲成本在 BOM 中佔比較高（超過 15%），其受到的衝擊將遠大於旗艦機型。相比之下，蘋果憑藉高利潤率、強大的議價能力和長期供應協議，受存儲價格上漲的影響相對較小，其供應鏈在 2026 年上半年仍有望保持適度增長。</p>

美光科技

三星電子

<p>野村證券認為，全球存儲產業將進入 DRAM、NAND 與 HBM“三重超級週期”，在 AI 服務器與通用服務器投資同步回暖下，2026 年市場規模或飆升至 4450 億美元、同比近翻倍。HBM4 放量、eSSD 需求或翻倍，加上潔淨室短缺限制擴產，推高 DRAM 與 NAND 價格與利潤率至歷史高位。</p>

- 野村證券預測，全球存儲市場將迎來 “三重超級週期”，2026 年市場規模將增至 4450 億美元。  
- 受 AI 基礎設施和傳統服務器投資回暖驅動，DRAM、NAND 和 HBM 需求將大幅增長。  
- 2026 年，DRAM 和 NAND 平均售價預計分別上漲 46% 和 65%，推動存儲芯片製造商利潤回升。

三重超級週期！野村：明年 DRAM、NAND 和 HBM 需求同時爆發，有望推動存儲市場翻倍