瑞銀表示，儘管市場對美光 HBM 業務的關注度極高，但傳統的 DDR 內存正因產能擠壓而迎來前所未有的利潤率爆發。
據追風交易台，瑞銀在最新的報告中表示，內存行業正迎來結構性轉變。在 AI 熱潮席捲全球之際，由於產能擠壓，美光 “舊時代” 的 DDR 內存業務的盈利能力即將反超其明星產品 HBM（高帶寬內存）。
具體來看，瑞銀表示，管理層最新表態顯示供應緊張程度較三個月前加劇並延長，這將持續支撐定價能力，傳統 DRAM 毛利率有望達到 67% 的歷史高位。
瑞銀預計 2026 財年第二季度毛利率將達 60.8%，較公司指引高出 260 個基點。此外，瑞銀重申了對美光的 “買入” 評級，並將目標價維持在 275 美元。
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<h2>2026 年第二季度傳統 DDR 毛利率將反超 HBM</h2>
市場普遍認為 HBM 是存儲芯片製造商的利潤引擎，但瑞銀通過供應鏈調查發現了新的趨勢。由於全行業將大部分新增產能分配給 HBM，導致傳統 DRAM 供應極度緊張，從而推高了其定價權。瑞銀大膽預測，這一供需錯配將在 2026 年初引發利潤結構的倒掛。
瑞銀表示：
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數據顯示，2026 財年第一季度，傳統 DRAM 營收預計達 82.2 億美元，出貨量僅環比增長 1%，但平均售價環比大漲 16%。更關鍵的是，傳統 DRAM 毛利率預計達 60%，而 HBM 毛利率為 63%，兩者差距急劇收窄。
到 2026 年第二季度，這一歷史性逆轉將發生，傳統 DRAM 毛利率預計達 67%，首次超越 HBM 的 62%。此後這一優勢將持續擴大，第三季度傳統 DRAM 毛利率將達 71%，第四季度更是高達 75%。
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這種逆轉的根本原因在於：隨着行業產能大規模轉向 HBM，傳統 DRAM 市場供應持續收緊，而需求保持穩健，供需錯配推動定價能力顯著增強。與此同時，HBM 由於技術複雜度和良率挑戰，成本下降速度放緩。
<h2 id="hbm">HBM 業務：增速放緩但估值支撐依然強勁</h2>
儘管 HBM 仍是美光增長故事的核心，但瑞銀預計 HBM 營收增速將因產能限制而略有放緩。2026 財年第一季度 HBM 營收環比增長約 35%，低於此前幾個季度的增速。
全年來看，瑞銀預計美光 2026 財年 HBM 營收將達 130.5 億美元，2027 年進一步增至 212.4 億美元。HBM 業務在總營收中的佔比將從 2025 財年的 17% 提升至 2027 年的 26%。
瑞銀報告進一步強調，這輪半導體週期的持久性可能遠超市場預期。核心邏輯在於 HBM 對晶圓產能的巨大消耗，實質上對傳統存儲市場形成了 “擠出效應”。這種結構性的供應短缺，為美光這類巨頭提供了更持久的護城河。
瑞銀分析師指出：“我們重申長期持有的觀點，即本輪週期在結構上將更加持久，因為 HBM 正在擠佔傳統存儲市場，全行業至 2027 年的大部分產能增量（如果不是全部的話）都將流向 HBM。”
<h2>業績指引顯著領先華爾街預期</h2>
基於這種定價能力的提升，瑞銀對美光短期業績的預測遠比管理層指引和市場共識更為樂觀。瑞銀模型顯示，美光 2026 財年第一季度（截至 11 月）的營收將達到 132 億美元，EPS 為 4.27 美元，而這一增長几乎完全由價格上漲驅動。
瑞銀報告總結道：“我們對 2026 財年第一季度的收入/每股收益模型預測……遠高於美光的指引，實際上這完全由更好的定價所驅動——這一點我們在整個季度的行業檢查及與管理層的對話中得到了證實。”
瑞銀維持了對美光 2026 和 2027 年資本開支的預測，並認為隨着利潤率的攀升，公司基本面依舊穩健。基於分部估值法（SOTP），瑞銀繼續維持 275 美元的目標價，認為目前的供需格局為美光提供了極為有利的風險收益比。
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美光科技

瑞銀認為，隨着行業產能大規模轉向 HBM，傳統 DRAM 市場供應持續收緊，而需求保持穩健，供需錯配推動定價能力顯著增強。2026 年第二季度美光傳統 DRAM 毛利率預計達 67%，首次超越 HBM 的 62%。此後這一優勢將持續擴大，第三季度傳統 DRAM 毛利率將達 71%，第四季度更是高達 75%。

- 瑞銀報告稱，傳統 DDR 內存毛利率將於 2026 年第二季度超越 HBM。  
- 預計傳統 DRAM 毛利率將達 67%，而 HBM 為 62%。  
- 供需錯配推動定價能力增強，傳統 DRAM 市場供應持續收緊。  

瑞銀預測：美光傳統內存 DDR 毛利率將首次超過 HBM