摩根大通在最新研報中指出，當前頭部存儲芯片製造商的總市值已接近 1 萬億美元。基於歷史估值中樞推算，到 2027 年這一數字將飆升至 1.5 萬億美元，意味着頭部廠商仍有超過 50% 的上漲空間。
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據追風交易台，12 月 14 日，摩根大通在最新報告中稱，當前的週期將是歷史上最長、最強勁的存儲上升週期。
投資者普遍擔憂 2027 年新產能會導致 DRAM 供過於求。摩根大通的數據模型顯示這種擔憂是多餘的——HBM 的產能擠佔和 AI 推理的結構性需求（推理對內存的消耗是訓練的 3 倍）將導致未來兩年 DRAM 位元供應增長仍將落後於需求增長。
市場正在經歷 “雙軌制” 定價。B2B（企業級/AI）需求強勁支撐價格高位，而 B2C（消費級）則面臨週期性壓力。但整體而言，服務器端的需求上行將完全抵消消費端的下行風險。
<h2>估值重塑：向 1.5 萬億美元進軍</h2>
摩根大通在報告中直擊投資者痛點：在存儲股過去三個月大幅上漲並逼近 1 萬億美元市值大關後，下一步怎麼走？
摩根大通給出的答案非常明確：繼續做多。
基於 “市值/市場規模（TAM）” 的估值框架，摩根大通預測 2027 年存儲市場規模將達到約 4200 億美元。取 2018 年和 2021 年週期的市銷率（P/S）中值 3.5 倍計算，頭部存儲及內存製造商的合計市值有望在 2027 年逼近 1.5 萬億美元。
這意味着從當前水平看，頭部玩家仍有超過 50% 的市場上限空間。
<h2>供需真相：2027 年依然短缺</h2>
目前市場上最大的空頭論點是：2027 年的新建晶圓廠投放和加速的技術遷移將引發 DRAM 供過於求。
摩根大通通過自下而上的 “產能 - 位元” 分析模型駁斥了這一觀點：
<blockquote>
<ul>
<li>缺口持續：儘管 2027 年供需缺口可能從 2026 年的 5% 縮小至 3%，但仍將處於短缺狀態。</li>
<li>產能擠佔：強勁的 CSP（雲服務提供商）需求迫使廠商將更多產能分配給 HBM。HBM 佔 DRAM 總產能的比例將從 2025 年的 19% 大幅攀升至 2027 年的 28%。</li>
<li>供應受限：2026 年常規 DRAM 產能實際上預計會同比下降，即便 2027 年有三星 P4、海力士 M15X 等新產能上線，受限於潔淨室空間和工藝步驟增加帶來的自然產能損失，DRAM 位元出貨量的增長將被限制在 20% 以下。</li>
</ul>
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</blockquote>
<div>
<h2 id="b2-b-b2-c">定價權的雙城記：B2B 的盛宴與 B2C 的週期</h2>
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這是一場 “存儲飢餓遊戲”。
CSP 和特定二級/三級消費電子品牌正在激進搶奪資源，引發了近期存儲價格的急劇上漲。摩根大通預測，從 2026 年下半年到 2027 年上半年，市場將出現明顯的價格分化：
<blockquote>
<ul>
<li>B2B 端（AI 驅動）：在 AI 推理需求的支撐下，價格將保持堅挺。</li>
<li>B2C 端（消費級）：由於客户對高價的牴觸，將面臨週期性的價格下行。</li>
</ul>
</blockquote>
關鍵數據預測：
<blockquote>
<ul>
<li>2026 財年（FY26E）：摩根大通模型顯示 DRAM 平均售價（ASP）將暴漲 53%，NAND ASP 上漲約 30%。</li>
<li>2027 財年（FY27E）：即使在價格高位持續時間延長的背景下，DRAM ASP 預計仍將微漲 1%，NAND ASP 則可能小幅回調 6%。</li>
</ul>
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</blockquote>
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<h2 id="ai-hbm-e-ssd">AI 驅動力：HBM 與 eSSD 的結構性機遇</h2>
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HBM（高帶寬內存）：GPU 與 ASIC 之爭的順風車 Google Gemini 3.0 的積極反饋引發了 GPU 與 ASIC 的路線之爭，但這對於 HBM 需求而言是雙重利好。
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<ul>
<li>規格升級：Google 下一代 2nm TPU 可能採用 HBM4，加上 Rubin Pro GPU 帶來的 4 倍容量增長，將持續擠壓供應鏈。</li>
<li>持續短缺：摩根大通預計 HBM 的供需短缺（約 8%-12% 的缺口）將貫穿 2027 年，甚至可能延續至 2028 年。</li>
</ul>
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</blockquote>
SSD（固態硬盤）：推理應用的關鍵 AI 推理的興起正在推動企業級 SSD（eSSD）的市場擴張。AI 服務器對 SSD 的搭載量是普通服務器的 3 倍。
由於 HDD（機械硬盤）廠商在 2026 年的資本開支指引謹慎，摩根大通預計 eSSD 將在未來 6 個月享受巨大的需求順風，推動 2026 財年 NAND 價格上漲 27%。
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<h2 id="capex">資本開支：增長但剋制</h2>
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儘管存儲廠商宣佈了一系列產能擴張計劃，但摩根大通認為其實際產生的位元供應增長將被物理遷移挑戰所抵消。
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<ul>
<li>設備支出先行：預計存儲晶圓廠設備（WFE）的增長將大幅領先於總體資本開支的增長（2026/2027 年 DRAM WFE 分別增長 19%/26%）。</li>
<li>強度可控：無論是 DRAM（低於 30%）還是 NAND（低於 20%），隱含的資本密集度都將低於過去五年的平均水平。這意味着供應端仍保持着顯著的紀律性。</li>
</ul>
</blockquote>
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摩根大通

摩根大通預言存儲芯片迎史上最長景氣週期：頭部廠商市值今年逼近萬億美元，2027 年將飆至 1.5 萬億，漲幅超 50%。HBM 需求持續擠佔傳統 DRAM 產能，AI 推理對內存消耗是訓練 3 倍，供需缺口將延續至 2027 年。預測 2026 財年 DRAM 價格暴漲 53%，企業級市場強勁將完全抵消消費端壓力。

- 摩根大通預測存儲芯片市值將到 2027 年達 1.5 萬億美元。  
- 當前週期被認為是歷史上最長、最強勁的存儲上升週期。  
- 預計 DRAM 供需缺口將持續，B2B 需求強勁支撐價格。  

摩根大通 2026 年存儲市場展望：今年巨頭市值逼近 1 萬億美元，2027 年 1.5 萬億美元