<p>新聞：市場</p>
<p>根據 Yole Group 的報告《Power SiC 2025 – Front-End Manufacturing Equipment》，在 2019 年至 2024 年之間經歷了一波前所未有的投資浪潮後，功率碳化硅（SiC）行業現在正進入一個修正週期。</p>
<p>該行業的第一次重大投資週期是由 2019-2024 年的資本支出（CapEx）繁榮推動的，造成了上游的顯著產能過剩。汽車市場的放緩減少了對 SiC 的需求，改變了 SiC 供應鏈，Yole 指出。截至 2025 年，上游工藝的利用率已降至約 50%，器件生產線的利用率為 70%。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/Power-SiC-device-wafer-production-capex-vs-WFE-revenue_YG_Dec2025.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="1024" height="654" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/Power-SiC-device-wafer-production-capex-vs-WFE-revenue_YG_Dec2025.jpg"/></p>
<p>利用率下降、產能過剩和投資減少的循環引發了行業參與者的擔憂。然而，儘管放緩，SiC 仍然是電氣化路線圖的核心。預計這一低迷將持續到 2027-2028 年。</p>
<p>“SiC 已經進入一個必要的修正階段。事實上，在經歷了五年的大規模投資後，市場必須吸收產能，才能在新工具和技術推動下實現下一輪擴張，” Yole 的半導體設備首席技術與市場分析師 Taguhi Yeghoyan 表示。</p>
<p>Yole 認為，在 2027-2028 年之後，新的增長將來自 8 英寸生產平台和下一代溝槽及超結 MOSFET。預計到 2030 年，器件收入將接近 100 億美元。</p>
<h2>區域動態：中國的快速崛起</h2>
<p>大部分新的設備資本支出集中在中國大陸，政府的戰略鼓勵本地採購設備。到 2024 年，中國企業已經佔據了約 40% 的 SiC 晶圓和外延晶圓產能，並迅速擴展到器件製造。儘管設備生態系統尚未完全自給自足，但國內供應商在物理氣相傳輸（PVT）和高温化學氣相沉積（HTCVD）工具領域取得了顯著進展。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/IMG-POWER-SIC-MANUFACTURING-AND-EQUIPMENT.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="1024" height="654" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/IMG-POWER-SIC-MANUFACTURING-AND-EQUIPMENT.jpg"/></p>
<p>“中國在 SiC 前端能力上迅速趕上，” Yeghoyan 指出。“本地供應商現在在 SiC 晶體生長和外延方面展開正面競爭，儘管國際企業在薄化、計量和先進離子注入方面仍保持領先。”</p>
<h2>設備生態系統展望</h2>
<ul>
<li>PVT（晶錠生長）：已建立一個具有 8 英寸能力的成熟生態系統。由 Naura 主導的開放 PVT 設備市場預計將在 2024-2030 年間急劇收縮，然後穩定，年均複合增長率（CAGR）約為-11%。</li>
<li>外延（HTCVD）：歐洲企業 ASM International 和 AIXTRON 領先，其次是 NuFlare 和 TEL。中國供應商 Naura、JSG 和 NASO Tech 正在積極擴展。</li>
<li>晶圓製造設備（WFE）工具：需要對刻蝕、化學機械拋光（CMP）、離子注入和檢測進行 SiC 特定的適配。預計市場在 2030 年前將保持約-7% 的年均複合增長率，得益於現有安裝基礎的升級。</li>
<li>燒錄系統的產能過剩抵消了測試相關設備的整體增長，導致温和的 3% 年均複合增長率。</li>
</ul>
<p>儘管面臨低迷，IDM 仍在 200mm SiC 產能和先進 MOSFET 架構上進行戰略投資，保持全球領導地位，即使中國的本土生態系統正在獲得動力。</p>
<p>“在經歷了一段加速擴張期後，功率 SiC 行業正在重新校準，” Yole 的複合半導體首席技術與市場分析師 Poshun Chiu 指出。“短期的放緩掩蓋了向 200mm 生產、本地化供應鏈和新器件架構的長期轉型，這將定義下一輪增長週期。”</p>
<p>SiC 器件市場預計從 2021 年的 10.9 億美元增長到 2027 年的 63 億美元，年均複合增長率為 34%。</p>
<p>功率電子 SiC</p>
<p>www.yolegroup.com</p>

<p>碳化硅（SiC）行業由於產能過剩，預計在 2027 年至 2028 年之前將面臨下行趨勢，這一情況是由於 2019 年至 2024 年的重大投資浪潮所致。利用率下降，市場正處於調整階段。儘管增長放緩，SiC 在電氣化中仍然至關重要，預計到 2030 年，設備收入將接近 100 億美元。中國的 SiC 行業正在快速擴張，獲得了顯著的市場份額。該行業正向 200mm 生產和新設備架構轉型，預計長期增長將持續</p>

<p>News:Markets</p>
<div class="lb-trans"><p>新聞：市場</p>
</div><p>After an unprecedented investment wave between 2019 and 2024, the power silicon carbide (SiC) industry is now entering a correction cycle, according to Yole Group’s report ‘Power SiC 2025 – Front-End Manufacturing Equipment’.</p>
<div class="lb-trans"><p>根據 Yole Group 的報告《Power SiC 2025 – Front-End Manufacturing Equipment》，在 2019 年至 2024 年之間經歷了一波前所未有的投資浪潮後，功率碳化硅（SiC）行業現在正進入一個修正週期。</p>
</div><p>The industry’s first major investment cycle, driven by the 2019–2024 capital expenditure (CapEx) boom, created significant upstream overcapacity. The slowdown in the automotive market has reduced demand for SiC, transforming the SiC supply chain, notes Yole. As of 2025, utilization rates have dropped to around 50% for upstream processes and 70% for device lines.</p>
<div class="lb-trans"><p>該行業的第一次重大投資週期是由 2019-2024 年的資本支出（CapEx）繁榮推動的，造成了上游的顯著產能過剩。汽車市場的放緩減少了對 SiC 的需求，改變了 SiC 供應鏈，Yole 指出。截至 2025 年，上游工藝的利用率已降至約 50%，器件生產線的利用率為 70%。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/Power-SiC-device-wafer-production-capex-vs-WFE-revenue_YG_Dec2025.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/Power-SiC-device-wafer-production-capex-vs-WFE-revenue_YG_Dec2025.jpg"/></p>
<p>The cycle of falling utilization rates, excess capacity, and reduced investment is raising concerns among industry players. Yet, despite the slowdown, SiC remains central to the electrification roadmap. The downturn is expected to persist until 2027–2028.</p>
<div class="lb-trans"><p>利用率下降、產能過剩和投資減少的循環引發了行業參與者的擔憂。然而，儘管放緩，SiC 仍然是電氣化路線圖的核心。預計這一低迷將持續到 2027-2028 年。</p>
</div><p>“SiC has entered a necessary correction phase. Indeed, after five years of massive investment, the market must absorb capacity before new tools and technologies can drive the next expansion,” says Taguhi Yeghoyan, Yole’s principal technology &amp; market analyst, Semiconductor Equipment.</p>
<div class="lb-trans"><p>“SiC 已經進入一個必要的修正階段。事實上，在經歷了五年的大規模投資後，市場必須吸收產能，才能在新工具和技術推動下實現下一輪擴張，” Yole 的半導體設備首席技術與市場分析師 Taguhi Yeghoyan 表示。</p>
</div><p>After 2027–2028, renewed growth will come from 8-inch production platforms and next-generation trench and superjunction MOSFETs, reckons Yole. Device revenue forecast to reach nearly $10bn by 2030.</p>
<div class="lb-trans"><p>Yole 認為，在 2027-2028 年之後，新的增長將來自 8 英寸生產平台和下一代溝槽及超結 MOSFET。預計到 2030 年，器件收入將接近 100 億美元。</p>
</div><h2>Regional dynamics: China’s fast rise</h2>
<div class="lb-trans"><h2>區域動態：中國的快速崛起</h2>
</div><p>Much of the new equipment CapEx is centered in mainland China, where the government’s strategy encourages local procurement of equipment. In 2024, Chinese players already captured about 40% of SiC wafer and epiwafer capacity and are rapidly expanding into device manufacturing. While the equipment ecosystem is not yet fully self-sufficient, domestic suppliers have made significant progress in the physical vapor transport (PVT) and high-temperature chemical vapor deposition (HTCVD) tool segments.</p>
<div class="lb-trans"><p>大部分新的設備資本支出集中在中國大陸，政府的戰略鼓勵本地採購設備。到 2024 年，中國企業已經佔據了約 40% 的 SiC 晶圓和外延晶圓產能，並迅速擴展到器件製造。儘管設備生態系統尚未完全自給自足，但國內供應商在物理氣相傳輸（PVT）和高温化學氣相沉積（HTCVD）工具領域取得了顯著進展。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/IMG-POWER-SIC-MANUFACTURING-AND-EQUIPMENT.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/IMG-POWER-SIC-MANUFACTURING-AND-EQUIPMENT.jpg"/></p>
<p>“China is catching up fast on SiC front-end capability,” notes Yeghoyan. “Local vendors now compete head-to-head in SiC crystal growth and epitaxy, even as international players retain leadership in thinning, metrology, and advanced ion implantation.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“中國在 SiC 前端能力上迅速趕上，” Yeghoyan 指出。“本地供應商現在在 SiC 晶體生長和外延方面展開正面競爭，儘管國際企業在薄化、計量和先進離子注入方面仍保持領先。”</p>
</div><h2>Equipment ecosystem outlook</h2>
<div class="lb-trans"><h2>設備生態系統展望</h2>
</div><ul>
<li>PVT (boule growth): A mature ecosystem with 8-inch capabilities has been established. The open PVT equipment market, led by Naura, is expected to contract sharply before stabilizing with a compound annual growth rate (CAGR) of about –11% over 2024–2030.</li>
<li>Epitaxy (HTCVD): European players ASM International and AIXTRON lead, followed by NuFlare and TEL. Chinese vendors Naura, JSG, and NASO Tech are expanding aggressively.</li>
<li>Wafer fab equipment (WFE) tools: SiC-specific adaptation is required for etch, CMP, ion implantation, and inspection. The market will maintain a CAGR of roughly –7% through 2030, supported by upgrades of the existing installed base.</li>
<li>Overcapacity in burn-in systems is offsetting the overall growth in test-related equipment, leading to a modest 3% CAGR.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>PVT（晶錠生長）：已建立一個具有 8 英寸能力的成熟生態系統。由 Naura 主導的開放 PVT 設備市場預計將在 2024-2030 年間急劇收縮，然後穩定，年均複合增長率（CAGR）約為-11%。</li>
<li>外延（HTCVD）：歐洲企業 ASM International 和 AIXTRON 領先，其次是 NuFlare 和 TEL。中國供應商 Naura、JSG 和 NASO Tech 正在積極擴展。</li>
<li>晶圓製造設備（WFE）工具：需要對刻蝕、化學機械拋光（CMP）、離子注入和檢測進行 SiC 特定的適配。預計市場在 2030 年前將保持約-7% 的年均複合增長率，得益於現有安裝基礎的升級。</li>
<li>燒錄系統的產能過剩抵消了測試相關設備的整體增長，導致温和的 3% 年均複合增長率。</li>
</ul>
</div><p>Despite the downturn, IDMs continue strategic investments in 200mm SiC capacity and advanced MOSFET architectures, maintaining global leadership even as China’s domestic ecosystem gains traction.</p>
<div class="lb-trans"><p>儘管面臨低迷，IDM 仍在 200mm SiC 產能和先進 MOSFET 架構上進行戰略投資，保持全球領導地位，即使中國的本土生態系統正在獲得動力。</p>
</div><p>“After a period of accelerated expansion, the power SiC industry is recalibrating,” notes Poshun Chiu, Yole’s principal technology &amp; market analyst, Compound Semiconductor. “The short-term slowdown masks a long-term transformation toward 200mm production, localized supply chains, and new device architectures that will define the next growth cycle.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“在經歷了一段加速擴張期後，功率 SiC 行業正在重新校準，” Yole 的複合半導體首席技術與市場分析師 Poshun Chiu 指出。“短期的放緩掩蓋了向 200mm 生產、本地化供應鏈和新器件架構的長期轉型，這將定義下一輪增長週期。”</p>
</div><p>SiC device market growing at 34% CAGR from $1.09bn in 2021 to $6.3bn in 2027</p>
<div class="lb-trans"><p>SiC 器件市場預計從 2021 年的 10.9 億美元增長到 2027 年的 63 億美元，年均複合增長率為 34%。</p>
</div><p>Power electronics SiC</p>
<div class="lb-trans"><p>功率電子 SiC</p>
</div><p>www.yolegroup.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.yolegroup.com</p>
</div>

功率 SiC 將在 2027 至 2028 年期間面臨產能過剩的低迷期，之後到 2030 年設備市場將增長至近 100 億美元