<p>首爾，12 月 26 日（路透社）——韓國檢方已對 10 人提起訴訟，懷疑他們將內存芯片製造技術泄露給中國芯片製造商長鑫存儲科技（CXMT），當局表示此案為中國發展高帶寬內存（HBM）鋪平了道路，而 HBM 是人工智能計算的關鍵組件。首爾中央地區檢察廳週二表示，包括一名前三星電子高管和工程師在內的五人因違反韓國工業技術保護法被指控並被拘留，另有五人被指控但獲准保釋。檢方表示，一名即將離職加入 CXMT 的前三星電子研究員手動抄寫了數百個專有 DRAM 製造工藝步驟，記錄了涵蓋設備規格、工藝順序和產量優化的詳細工藝配方。這些手寫筆記後來被用於重建 CXMT 的製造流程。</p>
<p>調查還發現，CXMT 通過供應商從 SK 海力士（SK Hynix）獲得了額外的 DRAM 技術，進一步加速了其發展。</p>
<p>三星電子、SK 海力士和 CXMT 均拒絕置評。</p>
<p>週二的聲明未提及相關公司名稱，但檢方已與路透社確認了公司的名稱。檢方表示，泄露的技術涉及三星花費 1.6 萬億韓元開發的 10 納米 DRAM 工藝，並補充稱，當時三星是唯一商業化該技術的公司。</p>
<p>檢方表示，CXMT 隨後調整並驗證了被盜數據以適應其設備，使其在 2023 年實現了 10 納米 DRAM 的生產，這是中國公司取得的首次成就。</p>
<p>檢方表示，非法使用該技術為 CXMT 的發展 HBM 奠定了基礎，並補充稱，三星電子等公司的損失預計至少達到數十萬億韓元。CXMT 計劃以 420 億美元的估值在上海上市，上個月推出了其最新一代 DRAM，稱為 DDR5，直接挑戰其韓國競爭對手。</p>

三星電子

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<p>韓國檢方已對 10 名個人提出指控，指控他們涉嫌向中國的 CXMT 泄露內存芯片技術，助力中國的高帶寬內存（HBM）發展。被指控者包括一名前三星高管和多名工程師，其中一些人已被拘留。此次泄密涉及三星的 10 納米 DRAM 工藝，造成了重大經濟損失。CXMT 計劃在上海上市，並利用被盜數據在 2023 年生產 10 納米 DRAM，給韓國公司帶來了挑戰</p>

<p>SEOUL, Dec 26 (Reuters) - South Korean prosecutors have indicted 10 people on suspicion of leaking memory chip manufacturing technology to Chinese chipmaker ChangXin Memory Technologies (CXMT), a case authorities say helped pave the way for China’s development of high-bandwidth memory (HBM), a critical component for artificial intelligence computing. The Seoul Central District Prosecutors’ Office said on Tuesday five people, including a former Samsung Electronics (005930.KS) executive and engineers, were charged and held in custody for violating South Korea’s industrial technology protection law, while another five were charged but allowed out on bail. Prosecutors said a former Samsung Electronics researcher who was leaving his job to join CXMT copied out hundreds of steps of proprietary DRAM manufacturing processes by hand, recording detailed process recipes covering equipment specifications, sequencing and yield optimisation. The handwritten notes were later used to reconstruct the manufacturing flow at CXMT, they said.</p>
<div class="lb-trans"><p>首爾，12 月 26 日（路透社）——韓國檢方已對 10 人提起訴訟，懷疑他們將內存芯片製造技術泄露給中國芯片製造商長鑫存儲科技（CXMT），當局表示此案為中國發展高帶寬內存（HBM）鋪平了道路，而 HBM 是人工智能計算的關鍵組件。首爾中央地區檢察廳週二表示，包括一名前三星電子高管和工程師在內的五人因違反韓國工業技術保護法被指控並被拘留，另有五人被指控但獲准保釋。檢方表示，一名即將離職加入 CXMT 的前三星電子研究員手動抄寫了數百個專有 DRAM 製造工藝步驟，記錄了涵蓋設備規格、工藝順序和產量優化的詳細工藝配方。這些手寫筆記後來被用於重建 CXMT 的製造流程。</p>
</div><p>The investigation also found CXMT obtained additional DRAM technology from SK Hynix (000660.KS) through a supplier, further accelerating its development.</p>
<div class="lb-trans"><p>調查還發現，CXMT 通過供應商從 SK 海力士（SK Hynix）獲得了額外的 DRAM 技術，進一步加速了其發展。</p>
</div><p>Samsung Electronics, SK Hynix and CXMT declined to comment.</p>
<div class="lb-trans"><p>三星電子、SK 海力士和 CXMT 均拒絕置評。</p>
</div><p>The statement on Tuesday did not name the companies involved, but prosecutors confirmed the names of the companies separately with Reuters. The leaked technology involved 10-nanometre DRAM processes that Samsung spent 1.6 trillion won developing, prosecutors said, adding that Samsung was the only firm to have commercialised such technology at that time.</p>
<div class="lb-trans"><p>週二的聲明未提及相關公司名稱，但檢方已與路透社確認了公司的名稱。檢方表示，泄露的技術涉及三星花費 1.6 萬億韓元開發的 10 納米 DRAM 工藝，並補充稱，當時三星是唯一商業化該技術的公司。</p>
</div><p>Prosecutors said CXMT subsequently adjusted and validated the stolen data to suit its own equipment, enabling it to achieve production of 10-nanometre DRAM in 2023, the first achievement by a Chinese firm.</p>
<div class="lb-trans"><p>檢方表示，CXMT 隨後調整並驗證了被盜數據以適應其設備，使其在 2023 年實現了 10 納米 DRAM 的生產，這是中國公司取得的首次成就。</p>
</div><p>The illegal use of the technology laid the ground for CXMT’s development of HBM, prosecutors said, adding the losses for companies such as Samsung Electronics were estimated to amount to at least tens of trillions of won. CXMT, which is eyeing a Shanghai listing at a valuation of $42 billion, last month unveiled its latest generation of DRAM, known as DDR5, in a direct challenge to its South Korean rivals.</p>
<div class="lb-trans"><p>檢方表示，非法使用該技術為 CXMT 的發展 HBM 奠定了基礎，並補充稱，三星電子等公司的損失預計至少達到數十萬億韓元。CXMT 計劃以 420 億美元的估值在上海上市，上個月推出了其最新一代 DRAM，稱為 DDR5，直接挑戰其韓國競爭對手。</p>
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韓國指控 10 人涉嫌向中國 CXMT 泄露芯片技術