2026 年首個交易日，AI 芯片供應鏈股票強勢上漲，在美股大盤走勢分化的背景下成為市場焦點。台積電美股和台股雙雙創下歷史新高，三星電子韓股大漲 7.2% 刷新收盤紀錄，帶動整個 AI 板塊逆市走強。
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週五（1 月 2 日），韓國首爾綜合指數收漲 2.3%，歷史上首次突破 4300 點大關，主要受三星電子 HBM4 業務獲客户認可的消息提振。台積電則受益於 2nm 製程量產兑現及 AI 芯片需求激增的雙重利好。與此同時，納斯達克指數當日小幅收跌，標普 500 指數微漲，凸顯 AI 相關股票的獨立行情。
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除了台積電、三星電子之外，週五多隻 AI 相關股票錄得漲幅。Sandisk、Micron、Western Digital、Intel 和 Constellation Energy 位列漲幅榜前列。英偉達、Broadcom 等萬億美元市值科技公司也出現上漲。
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市場對 AI 基礎設施投資的持續樂觀情緒推動了這波漲勢。據路透報道，英偉達正向台積電追加 H200 芯片訂單。摩根士丹利指出，2026 年存儲器供應正在收緊而非放鬆，並將 DRAM 和 NAND 價格預期分別上調 62% 和 75%。
分析師普遍認為 AI 熱潮將延續至 2026 年。Bernstein 將台積電列為首選股，預計其 2026 年和 2027 年營收將分別增長 23% 和 20%。德意志銀行全球宏觀研究主管 Jim Reid 表示，持續的全球增長、AI 潛力的樂觀情緒以及央行降息，將繼續推動金融資產表現。
<h2 style="text-align: left">台積電 2nm 量產兑現，訂單需求旺盛</h2>
日前，台積電在官網低調宣佈，其 2nm 製程（N2）技術已按計劃於 2025 年第四季度投入量產，標誌着全球半導體行業正式邁入 2nm 時代。這一技術採用第一代納米片晶體管架構，相比 N3E 工藝，在同等功耗下性能提升 10%-15%，在同等速度下功耗降低 25%-30%。
N2 工藝採用了環柵（Gate-All-Around）納米片晶體管技術，突破了此前 FinFET 架構在 3nm 節點面臨的物理極限。該技術將電流通道由豎立的&#34;鰭&#34;變為水平堆疊的&#34;納米片&#34;，柵極可從四面完全包裹通道，大幅降低漏電並提升晶體管密度。相對於純邏輯電路設計，N2P 工藝的晶體管密度比 N3E 提升約 20%。
台積電 CEO 魏哲家在十月財報會議上表示，N2 進展順利且良率良好，預計 2026 年在智能手機和高性能計算、AI 應用推動下實現更快產能爬坡。公司計劃在高雄晶圓二十二廠和新竹晶圓二十廠同步擴產，罕見地採取&#34;雙線作戰&#34;策略，同時服務手機芯片和 AI 服務器芯片兩條產品線。
台積電還在推進更先進製程的佈局。公司計劃於 2026 年下半年量產 N2P 和 A16 工藝，其中 A16 採用背面供電技術，主要針對 AI 和高性能計算處理器。1.4nm 製程工廠的地基工程已於 2025 年 11 月動工，風險性試產預計 2027 年啓動，量產目標定於 2028 年。
同時，據路透報道，英偉達正向台積電追加 H200 芯片訂單。消息人士稱，英偉達已要求台積電開始生產這批額外芯片，預計工作將於 2026 年第二季度啓動。
<h2 style="text-align: left">三星 HBM4 獲客户認可，重回競爭軌道</h2>
三星電子週五股價大漲 7.2%，創下收盤歷史新高，主要受公司 HBM4 業務獲得客户積極評價的消息提振。
據華爾街見聞此前文章指出，三星電子聯席 CEO 全永鉉在新年致辭中透露，公司的 HBM4 產品已展示出&#34;差異化的競爭力&#34;，並贏得客户&#34;三星迴來了&#34;的高度評價。
這一表態極大提振了投資者信心，市場預期三星正逐步縮小此前在高帶寬內存市場與 SK 海力士的差距，並有望在 2026 年憑藉下一代 HBM 產品重新進入英偉達的核心供應鏈。
此次股價大漲也得益於亞洲科技股的整體共振及行業基本面的強力支撐。週五，受壁仞科技上市表現及 DeepSeek 相關進展引發的 AI 投資熱潮影響，恒生科技指數一度飆升 4.3%。
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宏觀數據方面，韓國 12 月半導體出口同比激增 43%，印證了三星、SK 海力士在全球 AI 硬件繁榮中的重要性。
<h2 style="text-align: left">分析師看好 AI 芯片供應鏈前景</h2>
Bernstein 將台積電列為首選股，認為其在質量、風險和估值方面具有優勢。該行指出，在沒有有意義的挑戰者的情況下，台積電是 AI 芯片的實際生產商，因此是 AI 增長的主要受益者之一。
Bernstein 預計 AI 和台積電在先進技術方面的領導地位將推動公司 2026 年營收增長 23%，2027 年增長 20%。
該行還表示，更温和的匯率環境和更好的成本控制將減輕海外生產的成本負擔，預計台積電每股收益在同期將以 20% 的複合年增長率增長，略慢於營收增速。
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此外，摩根士丹利強調，2026 年存儲器市場正在收緊而非放鬆。該行認為製造約束與更強需求相碰撞，並將2026 年 DRAM 平均價格預期上調 62%，NAND 上調 75%。
受 H200 芯片需求激增影響，該行不再預期 HBM3E 平均價格下降，並大幅上調美光盈利預期，將 2026 年和 2027 年每股收益預期分別上調 56% 和 63%。
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台積電

三星電子

半導體 3 倍做多 - Direxion

台積電宣佈 2nm 製程按計劃量產，以及 AI 芯片需求激增，美股和台股雙創歷史新高；三星電子因 HBM4 產品獲客户認可，韓股大漲 7.2% 創新高。分析師普遍認為 AI 熱潮將延續至 2026 年。Bernstein 將台積電列為首選股，大摩將 2026 年 DRAM 和 NAND 價格預期分別上調 62% 和 75%，且大幅美光上調盈利預期。

- 2026 年首個交易日，AI 芯片供應鏈股票強勢上漲，台積電和三星電子創歷史新高。  
- 韓國首爾綜合指數首次突破 4300 點，受三星 HB M4 業務提振，市場對 AI 投資樂觀。  
- 分析師預計 AI 熱潮將延續，台積電 2026 年營收增長 23%。

開年第一天，台積電、三星大漲創新高，帶動 AI 股逆市走高