受人工智能基礎設施建設持續擴張的驅動，強勁需求與供應瓶頸共同推升了存儲芯片價格，不僅帶動全球半導體板塊在新年伊始強勢反彈，更引發市場對該行業結構性增長週期的強烈預期。在 2025 年經歷大幅上漲後，作為 AI 模型訓練與運行關鍵組件的存儲芯片，其供應短缺狀況並未緩解。Counterpoint Research 的數據顯示，動態隨機存取存儲器（DRAM）的價格預計將在 2026 年第二季度前再上漲 40%。這一趨勢直接提振了行業巨頭的股價表現，韓國 SK 海力士和三星今年迄今分別上漲 11.5% 和 15.9%，美光科技股價也攀升了 9%。此次反彈不僅限於存儲芯片製造商，漲勢已蔓延至更廣泛的半導體供應鏈。市場普遍預期，隨着科技巨頭持續斥資數十億美元採購芯片並建設 AI 數據中心，高帶寬內存（HBM）等核心組件的供需失衡將賦予相關企業更強的定價權。投資者情緒樂觀，預計在即將到來的財報季中，主要芯片廠商將交出利潤大幅飆升的成績單。此外，這一積極勢頭也帶動了代工及設備製造環節。英特爾、台積電以及光刻機巨頭 ASML 的股價均在新年錄得顯著漲幅。分析機構指出，這並非短期的市場反彈，而是與 AI 基礎設施長期建設掛鈎的結構性轉變，預示着以 DRAM 為代表的存儲行業或將迎來超級週期。<h2 id="bgjlpprja">AI 驅動下的業績爆發預期</h2>Quilter Cheviot 技術研究主管 Ben Barringer 在接受 CNBC 採訪時指出，近期半導體板塊的反彈主要由存儲市場而非邏輯芯片驅動。他強調，這是源於 AI 工作負載帶來的極強需求與高帶寬內存（HBM）相對受限的供應共同作用的結果，而 HBM 正是訓練和運行大型 AI 模型所必不可少的。這種供需格局被視為三星、SK 海力士和美光科技的重大利好。鑑於需求未見放緩跡象，這三家巨頭有望進一步提高其存儲芯片的售價。市場對其即將發佈的第四季度財報寄予厚望。據 LSEG 估算，三星第四季度營業利潤預計將大幅躍升 140%。與此同時，分析師預計美光科技在截至 12 月的季度中，每股收益將同比暴增超過 400%。<h2 id="amo0mbsgg">反彈效應擴散至全產業鏈</h2>存儲芯片股的強勁表現已產生溢出效應，惠及整個半導體供應鏈。投資者押注 2025 年的強勁 AI 需求將在今年延續，推動了其他關鍵環節企業的股價上揚。全球最大的半導體制造商台積電今年以來股價上漲近 10%，英特爾股價上漲近 7%，兩家公司均被視為 AI 持續繁榮的受益者。荷蘭光刻機巨頭 ASML 的表現尤為亮眼，今年以來股價上漲近 14%。ASML 設計並製造生產全球最先進芯片所需的關鍵機器。Bernstein 在週日的一份報告中，將 ASML 的目標價從 800 歐元上調至 1300 歐元，這意味着較週二交易價格有約 24% 的上漲空間。<h2 id="e6np4ok3w">結構性轉變與 “超級週期”</h2>Bernstein 分析師指出，ASML 將從 2026 年和 2027 年計劃的大規模產能擴張中受益匪淺，尤其是即將到來的 “DRAM 超級週期”。分析師預計，三星等存儲芯片製造商將增加產能，這將直接利好 ASML，因為製造更先進的存儲芯片離不開其提供的工具。Quilter Cheviot 的 Ben Barringer 補充道，SK 海力士近期關於潛在 HBM 超級週期的言論進一步強化了市場觀點：這不僅僅是短期的反彈，而是與正在進行的 AI 基礎設施建設密切相關的結構性轉變。這一趨勢顯著改善了整個行業的情緒，尤其是那些直接受益於 AI 驅動存儲需求的公司。

英特爾

三星電子

台積電

美光科技

SNDK

受 AI 基礎設施擴張驅動，存儲芯片因強勁需求與供應短缺持續漲價，推動全球半導體板塊強勢反彈，市場預期行業正步入由 AI 需求定義的結構性增長新週期。此輪上漲已從存儲製造商蔓延至晶圓代工及設備等全產業鏈，反映出市場對 AI 算力投資長期性的樂觀共識。

- 人工智能基礎設施擴展推升存儲芯片價格。  
- DRAM 價格預計在 2026 年第二季度前再漲 40%。  
- 市場對相關企業的未來業績普遍樂觀。

新年強勢開局！AI 需求疊加供給趨緊，存儲芯片迎來集體反彈