美光高管表示，儘管進行了鉅額投資，但內存短缺問題在 2028 年之前不會得到改善。
全球最大內存製造商之一美光科技移動與客户端業務部門營銷副總裁 Christopher Moore 在採訪中表明，當前的緊張局面並非廠商主動調整客户結構所致，而是 AI 數據中心需求爆發疊加內存製造複雜度持續上升，共同推動行業供給邊界被迅速拉緊。
在這一背景下，即便行業資本開支維持高位，內存供給的實質性改善仍需要較長時間窗口，相關緊張局面或將延續至 2028 年前後。
<h2 style="text-align: left">AI 吞噬 DRAM 產能，數據中心 TAM 急劇擴張</h2>
當前 DRAM 需求的結構性變化，是理解短缺問題的關鍵。數據中心與 AI 相關需求佔整個 DRAM 市場的比重，已從過去的 30%–40% 快速抬升至 50% 甚至 60%。在這一背景下，整個行業都面臨 “產能不夠用” 的現實，而非單一廠商的資源分配問題。
Moore 表示，這並不是美光一家面臨的挑戰，而是包括所有主要內存廠商在內的行業性約束。在 AI 數據中心集中擴建的階段，任何廠商都難以忽視這一需求變化。他稱：
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“這並非美光公司的問題，而是整個行業的問題。我們和我們的同行或競爭對手都在竭盡全力地服務這些細分市場，但供應卻遠遠不夠。這確實是一個令人遺憾的局面。”
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<h2 style="text-align: left">消費者並未被放棄，只是 “渠道形態發生變化”</h2>
針對市場對美光退出 Crucial 品牌後 “退出消費市場” 的質疑，美光強調，其在消費端的佈局更多通過 OEM 方式完成。公司仍向包括 戴爾、華碩 等整機廠商直接提供 LPDDR、DDR 模塊，並通過整機集成的方式進入終端市場。
在 Moore 看來，AI 需求的優先級上升，並不等同於消費者被邊緣化，而是總可服務市場（TAM）擴大後，供給端短期內無法同步跟上的結果。
<h2 style="text-align: left">擴產不是 “多買設備”，而是製造複雜度的系統約束</h2>
美光明確否認 “簡單擴產即可緩解短缺” 的觀點。當前 DRAM 生產的主要瓶頸，並非設備數量，而是產品規格碎片化帶來的產線切換損耗。
隨着手機和 PC 廠商對 8GB、12GB、16GB 等多種容量並行需求的增加，晶圓廠需要頻繁切換不同設計（DID），這會直接拉低單位時間的有效產出。在 AI 需求爆發後，廠商反而需要減少規格種類、拉長單一產品的連續生產週期，以最大化位元輸出。
Moore 表示：
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“你可以想象一下，如果一個晶圓廠裏有很多不同的機器在生產一塊芯片，然後你不得不停掉這些機器，讓它在另一塊芯片上運行，那麼產量肯定會下降。當然，實際情況沒那麼簡單，但這已經是我能想到的最好的解釋了。我們現在正在做的，就是儘可能減少芯片的數量，儘可能減少不同的 DID 芯片的數量，從而最大限度地提高產量，明白嗎？所以我們正在和客户一起努力。”
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<h2 style="text-align: left">新產能釋放節奏緩慢，關鍵拐點指向 2028 年</h2>
Moore 透露，美光三年前在美國愛達荷州啓動建設的 ID1 晶圓廠，雖已將投產時間從原計劃的 2027 年底提前至 2027 年中，但從設備導入、工藝爬坡到客户認證，新增產能真正形成規模化出貨仍需時間。
在他看來，只有當新產線完成全面認證並穩定運行後，內存市場供需關係才可能出現實質性變化，而這一時間點更可能落在 2028 年。Moore 進一步表示：
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內存製造商正爭先恐後地建設新的生產線，但工藝上的限制最終迫使他們將時間表提前幾個季度，這意味着對於普通消費者而言，DRAM 短缺可能會持續相當長一段時間，或者至少要等到人工智能需求開始消退之後才會結束。
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美光科技

美光副總裁表示，AI 數據中心需求已佔據 DRAM 市場的 50%-60%，徹底重塑了供需結構，是當前短缺的核心原因。儘管行業投入巨大，但產能擴張面臨製造複雜度和產品規格碎片化的系統性瓶頸，新產線從投產到穩定供應仍需數年。內存市場的緊張局面預計將持續至 2028 年前後，難以快速改善。

- 美光高管稱，內存短缺將持續至 2028 年，源於 AI 需求激增及產能不足。  
- DRAM 數據中心需求已迅速上升至市場的 50% 至 60%。  
- 擴產面臨製造複雜性的約束，產能改善需要較長時間。

美光高管解讀：為何投入巨大，內存短缺在 2028 年前難以改善？