韓國芯片製造商 SK 海力士週二宣佈，計劃投資 19 萬億韓元（約合 129 億美元）新建一座先進封裝工廠，以應對人工智能技術蓬勃發展所引發的高帶寬內存（HBM）需求激增。
根據聲明，新工廠將主要聚焦於先進封裝技術，這是提升芯片性能與能效的關鍵環節。該設施將位於韓國清州市，依託公司現有的生產佈局進行擴建。SK 海力士表示，建設計劃於今年 4 月啓動，預計在 2027 年底完工投產，屆時將大幅提升其將多個存儲芯片集成至單一高密度單元的能力。
作為全球領先的存儲芯片生產商，SK 海力士目前主導着 HBM 市場，該技術是英偉達等公司 AI 處理器的核心組件。隨着全球 AI 競賽加劇，市場對高性能存儲芯片的需求持續攀升，不僅推高了產品價格，也促使各大存儲巨頭加速產能擴張。SK 海力士此次鉅額投資正是為了滿足這一長期增長趨勢。
市場分析指出，此舉不僅強化了 SK 海力士在高端存儲領域的競爭力，也反映出半導體行業資本支出的重心正在向 AI 相關基礎設施傾斜。這一戰略擴張發生在其主要競爭對手三星電子近期同樣宣佈增加 HBM 產量的背景之下，預示着行業競爭將進一步白熱化，且可能對全球電子供應鏈成本產生深遠影響。
<h2>押注 AI 驅動的市場增長</h2>
SK 海力士此次投資的核心邏輯在於對未來市場需求的樂觀預期。該公司在聲明中援引行業預測數據稱，2025 年至 2030 年間，HBM 市場的複合年增長率預計將達到 33%。這種爆發式增長主要由人工智能應用的普及所驅動，使得高性能存儲器成為半導體行業中利潤最為豐厚的細分領域之一。
新工廠將專注於先進封裝工藝，該工藝通過將多個存儲芯片組合成一個高密度單元，能夠在減小芯片整體尺寸的同時，顯著提升數據處理速度和能源效率。這種技術路線對於滿足下一代 AI 處理器對帶寬和能耗的嚴苛要求至關重要。
<h2>供應緊縮與價格上漲壓力</h2>
儘管 HBM 市場前景廣闊，但其生產過程遠比用於大多數消費電子產品的傳統存儲器更為複雜和嚴苛。隨着芯片製造商紛紛將產能轉向滿足 AI 驅動的高端需求，傳統存儲芯片的供應已出現緊張跡象。
研究機構 TrendForce 上週發佈報告稱，預計本季度包括 HBM 在內的動態隨機存取存儲器（DRAM）平均價格將較 2025 年第四季度上漲 50% 至 55%。DRAM 通常指大多數計算機中用於臨時數據存儲的主要易失性存儲器。雖然更高的內存價格給電子產品製造商帶來了成本挑戰，但也顯著提振了存儲芯片生產商的盈利能力。例如，三星電子上週表示，預計其去年 12 月季度的營業利潤將較上年同期增長近兩倍。
在經歷 2025 年韓國股市的強勁表現後，SK 海力士目前正在評估潛在的美國上市計劃。自今年年初以來，該公司股價已上漲約 12%，儘管在週二的交易中下跌了約 2.5%。作為英偉達等美國科技巨頭的關鍵供應商，SK 海力士在資本市場的動向正受到全球投資者的密切關注。
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英偉達

SK 海力士斥資近 130 億美元投建先進封裝廠，旨在搶佔 AI 時代高帶寬內存（HBM）高地。 該設施位於韓國清州，聚焦於通過高密度集成技術提升芯片能效，以應對英偉達等 AI 巨頭激增的訂單需求。機構預計 HBM 市場五年複合增長率預超 33%，直接拉動 DRAM 價格季度漲幅超 50%。

- SK 海力士計劃投資 19 萬億韓元新建封裝工廠以滿足 HBM 需求。  
- 新工廠位於韓國清州市，預計 2027 年底完工，提升芯片集成能力。  
- 投資反映半導體行業向 AI 基礎設施傾斜，市場對高性能存儲芯片需求攀升。

SK 海力士斥資 130 億美元建廠，應對 HBM 短缺