全球半導體產業正經歷一場由人工智能（AI）需求驅動的深刻結構性變革，存儲巨頭紛紛通過激進的業務重組與資本開支調整，全力搶佔 AI 算力高地。
14 日，據媒體報道，繼美光之後，韓國芯片製造商 SK 海力士正計劃停止生產部分消費級 DRAM 和 NAND Flash 產品，將核心資源集中轉向 B2B 與 AI 服務器市場。
作為這一戰略轉型的關鍵舉措，SK 海力士週二正式宣佈，將投資 19 萬億韓元（約合 129 億美元）在韓國清州新建一座先進封裝工廠，以應對英偉達等科技巨頭對高帶寬內存（HBM）激增的訂單需求。
隨着各大企業將產能大規模向 AI 驅動的高端產品傾斜，傳統存儲芯片供應已現緊張跡象，並顯著推高了產品價格。研究機構 TrendForce 預計，本季度包括 HBM 在內的 DRAM 平均價格環比漲幅將在 50% 至 55% 之間。三星電子與 SK 海力士也計劃在 2026 年第一季度將服務器 DRAM 價格進一步提升 60% 至 70%，這一漲價趨勢或將在未來數年內持續。
SK 海力士今日收於 742000 韓元/股，上漲 0.54%。
<img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/a4576306-83bf-4140-8c57-962a52b9d21b.png?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" width="1024" height="839" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/a4576306-83bf-4140-8c57-962a52b9d21b.png"/>
<h2>AI 需求意外強勁，內存超級週期預計將至少持續到 2027 年</h2>
SK 海力士此次高達 129 億美元的投資計劃，不僅是為了擴大產能，更是為了突破技術瓶頸。根據聲明，新工廠將主要聚焦於先進封裝技術，這是提升芯片性能與能效的關鍵環節。該設施位於韓國清州市，建設計劃於今年 4 月啓動，預計在 2027 年底完工投產。
屆時，新工廠將大幅提升 SK 海力士將多個存儲芯片集成至單一高密度單元的能力。這種先進封裝工藝能夠在減小芯片整體尺寸的同時，顯著提升數據處理速度和能源效率，對於滿足下一代 AI 處理器對帶寬和能耗的嚴苛要求至關重要。
市場分析指出，半導體行業資本支出的重心正在向 AI 相關基礎設施傾斜。野村認為，得益於 AI 服務器對 DRAM 需求的意外強勁以及企業級固態硬盤（eSSD）需求的激增，全球內存行業的 “超級週期” 將比預期持續更久，預計這一上行週期將至少延續至 2027 年。
鑑於供應端的大規模產能釋放最早要等到 2028 年，野村預計未來幾年內存市場將維持供不應求的局面。受此利好影響，野村重申了對三星電子和 SK 海力士的 “買入” 評級。野村將三星電子的目標價上調 6.7% 至 16 萬韓元，將 SK 海力士的目標價上調 4.8% 至 88 萬韓元，認為兩家公司的估值相較於行業同行仍具吸引力，且隨着盈利能力的顯著改善，股價仍有約 45%-50% 的上漲空間。

美光科技

據媒體報道，繼美光之後，韓國芯片製造商 SK 海力士正計劃停止生產部分消費級 DRAM 和 NAND Flash 產品，將核心資源集中轉向 B2B 與 AI 服務器市場。

- 全球半導體產業正因 AI 需求經歷結構性變革。  
- SK 海力士計劃投資 19 萬億韓元興建新封裝工廠，提升芯片性能。  
- 預計內存市場供不應求，將持續至 2027 年。

報道：SK 海力士停產消費級存儲器，資源轉向 B2B 與 AI 服務器市場