<p>高帶寬閃存（HBF）商業化進程加速，這一被視為 “NAND 版 HBM” 的新型存儲技術有望比預期更早落地。韓國科學技術院教授、被稱為 “HBM 之父” 的 Kim Joungho 近日透露，<strong>三星電子與 SanDisk 計劃在 2027 年底至 2028 年初將 HBF 集成到英偉達、AMD 及谷歌的產品中。</strong></p>
<p>Kim Joungho 指出，得益於 HBM 積累的工藝與設計經驗，HBF 的商業化進程將遠快於當年 HBM 的開發週期。他預測 HBF 將在 HBM6 推出階段實現廣泛應用，<strong>並估計到 2038 年左右，其市場規模有望超越 HBM。</strong></p>
<p><strong>AI 工作負載的持續增長是推動 HBF 發展的關鍵動力。</strong>與傳統基於 DRAM 的 HBM 相比，HBF 通過垂直堆疊 NAND 閃存，在保持高帶寬的同時提供約 10 倍容量，尤其適合 AI 推理等大容量場景。目前三星電子和 SK 海力士已與 SanDisk 簽署諒解備忘錄，共同推進 HBF 標準化，目標在 2027 年將產品推向市場。</p>
<h2>HBF 技術優勢：容量與帶寬的平衡</h2>
<p>HBF 採用類似 HBM 的垂直堆疊架構，但堆疊的是 NAND 閃存而非 DRAM 芯片，這一關鍵差異帶來顯著的容量提升。據行業分析，HBF 帶寬可超過 1638 GB/s，遠高於 NVMe PCIe 4.0 SSD 約 7 GB/s 的帶寬；其容量預計可達 512GB，顯著超越 HBM4 的 64GB 上限。</p>
<p>Kim Joungho 進一步闡釋了 HBF 在 AI 工作流中的定位：<strong>當前 GPU 進行 AI 推理時需從 HBM 讀取變量數據，未來這一任務可由 HBF 承擔。儘管 HBM 速度更快，但 HBF 能提供約 10 倍於 HBM 的容量，更適合大容量數據處理場景。</strong></p>
<p>技術限制方面，Kim Joungho 指出 HBF 支持無限次讀取，但寫入次數受限（約 10 萬次），這要求 OpenAI、谷歌等企業在軟件設計中需構建以讀取為中心的優化架構。他生動比喻道：</p>
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<p>“若將 HBM 比作家庭書架，HBF 則如同去圖書館學習——速度稍緩，卻擁有更龐大的知識庫可供調用。”</p>
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<h2>產業佈局：存儲巨頭加速推進</h2>
<p>SK 海力士預計將於本月晚些時候推出 HBF 試用版並進行技術演示。此前，<strong>三星電子和 SK 海力士已與 SanDisk 簽署諒解備忘錄，共同成立聯合聯盟以推進 HBF 的標準化進程。目前，兩家公司均在積極開發相關產品。</strong></p>
<p>據 TrendForce，SanDisk 已於 2025 年 2 月率先發布 HBF 原型，併成立了技術顧問委員會。同年 8 月，該公司與 SK 海力士簽署諒解備忘錄，旨在推動規格標準化，計劃於 2026 年下半年交付工程樣品，2027 年初實現商用。三星電子則已啓動自有 HBF 產品的概念設計階段。</p>
<p>HBF 的技術實現主要依託硅穿孔（TSV）技術完成多層 NAND 芯片的垂直堆疊，採用先進的 3D 堆疊架構與芯片到晶圓鍵合工藝。每個封裝可堆疊多達 16 顆 NAND 芯片，支持多陣列並行訪問，帶寬可達 1.6TB/s 至 3.2TB/s，與 HBM3 性能持平。單堆棧容量最高為 512GB，若採用 8 堆棧配置，總容量可達 4TB，相當於 HBM 容量的 8 至 16 倍。</p>
<h2>未來架構：從 HBM6 到&#34;內存工廠&#34;</h2>
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<p>Kim Joungho 預測，<strong>HBF 將在 HBM6 推廣階段實現廣泛應用。</strong>他指出，進入 HBM6 時代後，系統將不再依賴單一堆棧，而是通過互聯形成 “存儲集羣”，類似於現代住宅綜合體的構建邏輯。基於 DRAM 的 HBM 受容量限制明顯，而採用 NAND 堆疊的 HBF 將有效填補這一缺口。</p>
<p>在系統架構演進方面，Kim Joungho 提出了更為精簡的數據通路構想。當前 GPU 獲取數據需經歷存儲網絡、數據處理器與 GPU 管道的複雜傳輸流程，而未來有望實現數據在 HBM 之後的近端直接處理。這一被稱為 “內存工廠” 的架構預計將在 HBM7 階段出現，極大提升數據處理效率。</p>
<p>HBF 未來將與 HBM 並置，部署於 GPU 等 AI 加速器周圍。Kim Joungho 表示：“我相信在 2 至 3 年內，HBF 這一術語將變得耳熟能詳。” 他進一步指出，此後 HBF 將進入快速發展期，並逐步承載起後端數據存儲的核心角色。</p>
<p>展望長期市場，<strong>Kim Joungho 預測到 2038 年左右，HBF 的市場規模有望超越 HBM。這一判斷基於 AI 推理場景對高容量存儲的持續需求，以及 NAND 閃存在存儲密度上相對於 DRAM 的天然優勢。不過，受 NAND 物理特性限制，HBF 延遲高於 DRAM，因此更適用於讀取密集的 AI 推理任務，而非對延遲極為敏感的應用場景。</strong></p>
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<p>“HBM 之父” Kim Joungho 最新預測顯示，高帶寬閃存（HBF）商業化進程較預期明顯加速，該技術有望在未來 2-3 年內即集成至英偉達、AMD 等 GPU 產品中。憑藉 NAND 堆疊帶來的十倍級容量優勢，HBF 將填補 HBM 在 AI 推理場景的存儲缺口。市場預計其將在 HBM6 階段實現規模化應用，到 2038 年市場規模甚至可能反超 HBM，成為下一代高帶寬存儲的關鍵力量。</p>

- 高帶寬閃存（HBF）預計在 2027 至 2028 年商業化。  
- HBF 將通過垂直堆疊 NAND 提供高帶寬和大容量，適合 AI 場景。  
- 預測到 2038 年，HBF 市場規模將超越 HBM。

“HBM 之父”：高帶寬閃存（HBF）商業化進程超預期，或將在 2-3 年內集成到 GPU，市場規模將超 HBM