
中美團隊開發出用於下一代半導體的突破性蝕刻技術

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一個來自中國和美國的合作團隊開發了一種新穎的刻蝕技術,用於下一代半導體,能夠製造高性能的光電設備。來自中國科學技術大學、上海科技大學和普渡大學的研究人員實現了二維鉛鹵化物鈣鈦礦中馬賽克橫向異質結構的可控制備。他們創新的 “自刻蝕” 方法利用內部晶體應力創建精確的圖案,為具有密集像素併發出各種顏色的先進顯示器鋪平了道路
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