<p>//php echo do_shortcode('[responsivevoice_button voice=&#34;US English Male&#34; buttontext=&#34;聽帖子&#34;]') ?&gt;</p>
<p>內存行業，長期以來以其超週期性業務而聞名，如今再次面臨十字路口。這一切始於幾年前的人工智能熱潮，使得高帶寬內存（HBM）成為與人工智能加速器一起用於訓練模型的首選設備。HBM 是一種特殊形式的 DRAM，其利潤率遠高於 NAND 閃存，後者的價格下跌和利潤縮減使得像三星和 SK 海力士這樣的大型內存供應商對擴大 NAND 生產能力持謹慎態度。</p>
<p>此外，在技術方面，隨着 NAND 超過 200 層，每一代新產品都需要先進的製造設備和鉅額的資本投資。目前最先進的 NAND 設備層數超過 330 層。因此，儘管大型內存供應商開始將資本投資轉向 HBM 生產，但到 2023 年，NAND 產能已不再是戰略重點。</p>
<p>三星和 SK 海力士將重點轉向以 DRAM 為中心的 HBM 設備，提供更高的盈利能力，而不是建立新的 NAND 生產線。根據 Omdia 的數據，三星將其 2024 年的 NAND 晶圓產量從 490 萬片降低到 2025 年的 468 萬片。同樣，SK 海力士的 NAND 晶圓產量從 2024 年的約 190 萬片下降到 2025 年的 170 萬片。</p>
<p>三星和 SK 海力士尚未宣佈任何 NAND 閃存產能擴張。這兩家公司在 NAND 閃存市場的份額超過 60%。</p>
<p>然而，回顧過去，NAND 閃存在人工智能的整體佈局中也至關重要。例如，將戰略重點從訓練轉向推理工作負載導致了對 NAND 閃存的穩定需求。因此，隨着固態硬盤（SSD）在人工智能數據中心的推理工作負載中被廣泛使用，對 NAND 閃存的需求正在激增。</p>
<p>以 Kioxia 為例，該公司目前與 Nvidia 合作；這家日本 NAND 閃存製造商計劃在 2027 年推出速度幾乎快 100 倍的 SSD。這些 SSD 專為人工智能服務器量身定製，旨在替代 HBM 作為 Nvidia GPU 的內存配對。根據日經新聞，Kioxia 預計到 2029 年，其近一半的 NAND 閃存將用於人工智能應用。</p>
<h3><strong>Kioxia 和 Sandisk 的現狀</strong></h3>
<p>當三星和 SK 海力士陷入 HBM 困境時，Kioxia 和 Sandisk 又如何呢？這兩家公司不涉及 DRAM 業務，僅生產閃存芯片。這是另一個故事，但並非完全免受 NAND 供應挑戰的影響。</p>
<p>從 Kioxia 開始，該公司於 2017 年從東芝的內存業務中分拆出來。由於對 NAND 閃存在人工智能推理工作負載中的強勁需求，它現在已經走出了動盪的日子。自成立以來，Kioxia 因企業問題和 NAND 閃存設備的殘酷商品化而苦苦掙扎。但隨後，圍繞 NAND 閃存構建的 SSD 的前所未有的需求導致了命運的逆轉。</p>
<p>Kioxia 內存業務部門的董事總經理中田俊介震驚市場，透露公司已售罄 2026 年的全部 NAND 閃存生產量。另一個驚喜是：該公司將在 2026 年提前開始生產 BICS10 NAND 內存。BICS10 是一種 332 層的 3D NAND 陣列，旨在為人工智能和超大規模計算提供高容量存儲解決方案，原定於 2027 年下半年生產。</p>
<p>Sandisk 於 2025 年從西部數據分拆出來，由於持續的 NAND 短缺和高容量 SSD 的價格大幅上漲，也在高歌猛進。與 Kioxia 一樣，持續的 NAND 短缺可能會促使 Sandisk 最終增加其 NAND 產量。</p>
<h3><strong>命運的逆轉</strong></h3>
<p>內存超級週期在半導體行業中是常見的事情，但這一次，人工智能正在重寫內存遊戲的規則。Nvidia 首席執行官黃仁勳在 2026 年 CES 上呼應了這一觀點，稱存儲是一個 “完全未被服務的市場”。</p>
<p>在 2020 年代初，NAND 閃存市場經歷了殘酷的商品化，2024 年價格跌至 50% 的歷史低點。隨後，人工智能熱潮來臨，NAND 製造商開始從智能手機、平板電腦和筆記本電腦的消費市場轉向提供更健康利潤的新型人工智能服務器。</p>
<p>然而，到那時，NAND 閃存行業已經進入保守的生產模式，這最終使得 Kioxia 和 Sandisk 等 NAND 小型企業嶄露頭角，而將三星和 SK 海力士等內存巨頭置於困境之中。</p>
<p>人工智能以真正的顛覆精神，徹底改變了內存行業，無論是在 DRAM 還是閃存領域。但儘管基於 DRAM 的 HBM 設備在過去幾年中一直處於聚光燈下，但在人工智能集羣中對基於 NAND 的 SSD 的激增需求現在正在顯現出漣漪效應。</p>
<p>普遍認為，存儲中的結構性失衡——涵蓋 DRAM 和 NAND 閃存——可能會持續到 2026 年，甚至可能延續到 2027 年。NAND 閃存製造商如何應對人工智能和消費市場的稀缺將是 2026 年值得關注的故事。</p>
<hr/>
<p><strong>另見：</strong></p>
<hr/>

SOXQ

動態半導體 ETF - Invesco

納斯達克半導體 ETF - First Trust

SNDK

半導體 3 倍做多 - Direxion

三星電子

費城交易所 半導體 ETF - iShares

半導體 ETF - VanEck Vectors

<p>NAND 閃存市場因人工智能的興起而經歷重大轉變，三星和 SK 海力士等公司將重點放在高帶寬內存（HBM）上，而非 NAND 生產。隨着對 NAND 閃存的需求因人工智能推理工作負載而激增，Kioxia 和 Sandisk 正從這一趨勢中受益，Kioxia 的 2026 年生產已售罄，並加速其 BICS10 NAND 內存的生產。行業正在經歷命運的逆轉，人工智能應用推動需求，而傳統 NAND 市場面臨挑戰。這種存儲結構失衡預計將持續到 2027 年</p>

<p>//php echo do_shortcode('[responsivevoice_button voice=&#34;US English Male&#34; buttontext=&#34;Listen to Post&#34;]') ?&gt;</p>
<div class="lb-trans"><p>//php echo do_shortcode('[responsivevoice_button voice=&#34;US English Male&#34; buttontext=&#34;聽帖子&#34;]') ?&gt;</p>
</div><p>The memory industry, long known for its hyper-cyclical business, is once more at a crossroads. It all began with an AI boom a few years ago, which made high-bandwidth memory (HBM) a device of choice alongside AI accelerators for training models. HBM, a specialized form of DRAM, offered far better profit margins than NAND flash, whose price drops and shrinking margins made large memory suppliers like Samsung and SK Hynix cautious about expanding NAND manufacturing capacity.</p>
<div class="lb-trans"><p>內存行業，長期以來以其超週期性業務而聞名，如今再次面臨十字路口。這一切始於幾年前的人工智能熱潮，使得高帶寬內存（HBM）成為與人工智能加速器一起用於訓練模型的首選設備。HBM 是一種特殊形式的 DRAM，其利潤率遠高於 NAND 閃存，後者的價格下跌和利潤縮減使得像三星和 SK 海力士這樣的大型內存供應商對擴大 NAND 生產能力持謹慎態度。</p>
</div><p>Moreover, on the technology side, as NAND surpassed the 200-layer mark, each new generation required advanced manufacturing equipment and massive capital investment. The most advanced NAND devices currently have more than 330 layers. So, while large memory vendors began redirecting capital investments toward HBM production, NAND capacity was no longer a strategic focus by 2023.</p>
<div class="lb-trans"><p>此外，在技術方面，隨着 NAND 超過 200 層，每一代新產品都需要先進的製造設備和鉅額的資本投資。目前最先進的 NAND 設備層數超過 330 層。因此，儘管大型內存供應商開始將資本投資轉向 HBM 生產，但到 2023 年，NAND 產能已不再是戰略重點。</p>
</div><p>Both Samsung and SK Hynix turned their focus toward DRAM-centric HBM devices, offering much higher profitability, rather than building new NAND production lines. According to Omdia, Samsung lowered its NAND wafer output from 4.9 million in 2024 to 4.68 million in 2025. Likewise, SK Hynix’s NAND wafer output fell from around 1.9 million in 2024 to 1.7 million in 2025.</p>
<div class="lb-trans"><p>三星和 SK 海力士將重點轉向以 DRAM 為中心的 HBM 設備，提供更高的盈利能力，而不是建立新的 NAND 生產線。根據 Omdia 的數據，三星將其 2024 年的 NAND 晶圓產量從 490 萬片降低到 2025 年的 468 萬片。同樣，SK 海力士的 NAND 晶圓產量從 2024 年的約 190 萬片下降到 2025 年的 170 萬片。</p>
</div><p>Samsung and SK Hynix haven’t yet announced any NAND flash capacity expansions. And these two companies command more than 60% of the NAND flash market.</p>
<div class="lb-trans"><p>三星和 SK 海力士尚未宣佈任何 NAND 閃存產能擴張。這兩家公司在 NAND 閃存市場的份額超過 60%。</p>
</div><p>However, in retrospect, NAND flash was also crucial in the AI scheme of things. For instance, shifting the strategic focus from training to inference workloads led to steady demand for NAND flash. Consequently, demand for NAND flash is surging as solid-state disks (SSDs) are now widely used for inference workloads in AI data centers.</p>
<div class="lb-trans"><p>然而，回顧過去，NAND 閃存在人工智能的整體佈局中也至關重要。例如，將戰略重點從訓練轉向推理工作負載導致了對 NAND 閃存的穩定需求。因此，隨着固態硬盤（SSD）在人工智能數據中心的推理工作負載中被廣泛使用，對 NAND 閃存的需求正在激增。</p>
</div><p>Take the case of Kioxia, currently in partnership with Nvidia; the Japanese NAND flash maker plans to launch SSDs nearly 100 times faster in 2027. These SSDs, tailored for AI servers, are intended to replace HBM as a memory pair to Nvidia’s GPUs. According to Nikkei, Kioxia anticipates that by 2029, nearly half of its NAND flash will be used in AI applications.</p>
<div class="lb-trans"><p>以 Kioxia 為例，該公司目前與 Nvidia 合作；這家日本 NAND 閃存製造商計劃在 2027 年推出速度幾乎快 100 倍的 SSD。這些 SSD 專為人工智能服務器量身定製，旨在替代 HBM 作為 Nvidia GPU 的內存配對。根據日經新聞，Kioxia 預計到 2029 年，其近一半的 NAND 閃存將用於人工智能應用。</p>
</div><h3><strong>Where Kioxia and Sandisk stand</strong></h3>
<div class="lb-trans"><h3><strong>Kioxia 和 Sandisk 的現狀</strong></h3>
</div><p>While Samsung and SK Hynix are stuck in the HBM conundrum, what about Kioxia and Sandisk, which are not into the DRAM business and solely produce flash memory chips? Well, that’s another story, but not entirely immune to NAND supply challenges.</p>
<div class="lb-trans"><p>當三星和 SK 海力士陷入 HBM 困境時，Kioxia 和 Sandisk 又如何呢？這兩家公司不涉及 DRAM 業務，僅生產閃存芯片。這是另一個故事，但並非完全免受 NAND 供應挑戰的影響。</p>
</div><p>Start with Kioxia, which spun off as Toshiba’s memory business in 2017. It’s now past its turbulent days, thanks to a robust demand for NAND flash in AI inference workloads. Since its inception, Kioxia has been struggling due to corporate hiccups and brutal commoditization of NAND flash devices. But then an unprecedented demand for SSDs built around NAND flash led to a reversal of fortune.</p>
<div class="lb-trans"><p>從 Kioxia 開始，該公司於 2017 年從東芝的內存業務中分拆出來。由於對 NAND 閃存在人工智能推理工作負載中的強勁需求，它現在已經走出了動盪的日子。自成立以來，Kioxia 因企業問題和 NAND 閃存設備的殘酷商品化而苦苦掙扎。但隨後，圍繞 NAND 閃存構建的 SSD 的前所未有的需求導致了命運的逆轉。</p>
</div><p>The managing director of Kioxia’s memory business unit, Shunsuke Nakato, startled the market by disclosing that his company has sold out its entire NAND flash production volume for 2026. Another surprise: The company is starting the production of BICS10 NAND memory ahead of schedule in 2026. BICS10—a 332-layer 3D NAND array aiming to facilitate high-capacity storage solutions for AI and hyperscalers—was originally planned for production in the second half of 2027.</p>
<div class="lb-trans"><p>Kioxia 內存業務部門的董事總經理中田俊介震驚市場，透露公司已售罄 2026 年的全部 NAND 閃存生產量。另一個驚喜是：該公司將在 2026 年提前開始生產 BICS10 NAND 內存。BICS10 是一種 332 層的 3D NAND 陣列，旨在為人工智能和超大規模計算提供高容量存儲解決方案，原定於 2027 年下半年生產。</p>
</div><p>Sandisk, which spun out Western Digital in 2025, is also riding high due to continued NAND shortages and sharp price hikes of high-capacity SSDs. Like Kioxia, a prolonged NAND shortage could encourage Sandisk to increase its NAND output eventually.</p>
<div class="lb-trans"><p>Sandisk 於 2025 年從西部數據分拆出來，由於持續的 NAND 短缺和高容量 SSD 的價格大幅上漲，也在高歌猛進。與 Kioxia 一樣，持續的 NAND 短缺可能會促使 Sandisk 最終增加其 NAND 產量。</p>
</div><h3><strong>Reversal of fortune</strong></h3>
<div class="lb-trans"><h3><strong>命運的逆轉</strong></h3>
</div><p>Memory super cycles are a routine affair in the semiconductor industry, but this time around, AI is rewriting the rules of the memory playbook. Nvidia chief Jensen Huang echoed this sentiment at CES 2026 when he called storage a “completely unserved market.”</p>
<div class="lb-trans"><p>內存超級週期在半導體行業中是常見的事情，但這一次，人工智能正在重寫內存遊戲的規則。Nvidia 首席執行官黃仁勳在 2026 年 CES 上呼應了這一觀點，稱存儲是一個 “完全未被服務的市場”。</p>
</div><p>The NAND flash market experienced brutal commoditization during the early 2020s, and in 2024, prices fell to a record low of 50%. Then came the AI boom, and NAND makers began moving away from consumer markets for smartphones, tablets, and laptops to a new class of AI servers that offered much healthier margins.</p>
<div class="lb-trans"><p>在 2020 年代初，NAND 閃存市場經歷了殘酷的商品化，2024 年價格跌至 50% 的歷史低點。隨後，人工智能熱潮來臨，NAND 製造商開始從智能手機、平板電腦和筆記本電腦的消費市場轉向提供更健康利潤的新型人工智能服務器。</p>
</div><p>However, by then, the NAND flash industry had already entered a conservative production mode, which eventually thrust NAND underdogs such as Kioxia and Sandisk to the fore while leaving memory heavyweights such as Samsung and SK Hynix in a bind.</p>
<div class="lb-trans"><p>然而，到那時，NAND 閃存行業已經進入保守的生產模式，這最終使得 Kioxia 和 Sandisk 等 NAND 小型企業嶄露頭角，而將三星和 SK 海力士等內存巨頭置於困境之中。</p>
</div><p>AI, in the true spirit of disruption, has turned the memory industry upside down on both the DRAM and flash frontiers. But while DRAM-based HBM devices have remained in the limelight for the past couple of years, the surging demand for NAND-based SSDs in AI clusters is now showing ripple effects.</p>
<div class="lb-trans"><p>人工智能以真正的顛覆精神，徹底改變了內存行業，無論是在 DRAM 還是閃存領域。但儘管基於 DRAM 的 HBM 設備在過去幾年中一直處於聚光燈下，但在人工智能集羣中對基於 NAND 的 SSD 的激增需求現在正在顯現出漣漪效應。</p>
</div><p>There is a broad consensus that the structural imbalance in storage—encompassing both DRAM and NAND flash—will likely persist through 2026 and possibly into 2027. How NAND flash makers respond to this scarcity in AI and consumer markets will be a story to watch in 2026.</p>
<div class="lb-trans"><p>普遍認為，存儲中的結構性失衡——涵蓋 DRAM 和 NAND 閃存——可能會持續到 2026 年，甚至可能延續到 2027 年。NAND 閃存製造商如何應對人工智能和消費市場的稀缺將是 2026 年值得關注的故事。</p>
</div><hr/>
<div class="lb-trans"><hr/>
</div><p><strong>See also:</strong></p>
<div class="lb-trans"><p><strong>另見：</strong></p>
</div><hr/>
<div class="lb-trans"><hr/>
</div>

NAND Flash 在人工智能熱潮中的命運逆轉