<p>新聞：光電</p>
<p>Nuvoton 發佈高功率 1W 379nm 紫外激光二極管</p>
<p>日本京都的 Nuvoton Technology Corp Japan 已開始大規模生產其 KLC330FL01WW 高功率紫外半導體激光器（379nm，1.0W），該產品在 9.0mm 直徑的 CAN 封裝（TO-9）中提供了業界領先的光輸出。</p>
<p>應用包括：無掩模光刻、樹脂固化、標記、3D 打印、生物醫學以及替代汞燈的光源等。</p>
<p><em><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/jan/to9can.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="300" height="270" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/jan/to9can.jpg"/></em></p>
<p><em>圖片：Nuvoton 的新款 KLC330FL01WW 379nm，1.0W 高功率紫外半導體激光器。</em></p>
<p>通過專有的器件結構和先進的高散熱封裝技術，它實現了短波長、高輸出功率和長壽命——這三個元素在紫外半導體激光器中以前被認為是困難的。因此，它可以促進無掩模光刻中精細圖案的形成和生產效率的提高，適用於先進的半導體封裝（在該封裝中，多個芯片被密集集成以優化性能和功率效率）。</p>
<p>新產品的特點包括：</p>
<p>隨着人工智能（AI）發展的信息處理能力需求不斷增長，半導體對性能的要求比以往任何時候都更高。另一方面，隨着晶體管的小型化接近其物理和經濟極限，半導體後端封裝技術和先進的半導體封裝，允許通過並排排列或垂直堆疊多個半導體芯片進行集成，受到了越來越多的關注。</p>
<p>在先進的半導體封裝中，形成多個芯片之間的連接的主流方法一直是使用汞光譜的 i 線（365nm）和光掩模（電路的母版掩模）的曝光技術。另一方面，近年來對無掩模光刻技術的興趣日益增長，該技術直接根據設計數據曝光（繪製）佈線圖案，而不使用光掩模。</p>
<p>該技術被認為可以減少與光掩模的設計和生產相關的時間和成本。此外，由於可以直接印刷與目標繪製表面形狀相匹配的佈線圖案，因此對齊和修正變得更容易，目前正在考慮將其應用於先進的半導體封裝。</p>
<p>作為無掩模光刻中的關鍵光源之一，半導體激光器面臨着對更短波長（接近 i 線（365nm））和更高輸出的需求，以實現更精細的佈線並提高設備的生產效率。為了滿足這些要求，Nuvoton 表示已利用其在激光設計和製造方面超過 40 年的經驗，開發並商業化了一款波長為 379nm、輸出為 1.0W 的紫外半導體激光器。</p>
<p>紫外半導體激光器通常由於低牆插效率（WPE）導致顯著的熱量產生，並且紫外光導致器件退化的傾向，使得在高於 1.0W 的輸出水平下實現穩定操作變得困難。為了解決這個問題，Nuvoton 採取了雙重方法，專注於增強牆插效率（WPE）的器件結構和有效散熱的高導熱封裝技術，使公司能夠開發出結合短波長、高輸出和長壽命的產品：1.0W 紫外（379nm）器件。因此，Nuvoton 正在為延長利用紫外光的光學設備的使用壽命做出貢獻。</p>
<ul>
<li>除了優化發射層和光導層外，Nuvoton 還採用了一種專有結構，精確控制摻雜剖面。通過減少光吸收損失和工作電壓，這使得電能能夠更高效地轉化為光。</li>
</ul>
<ul>
<li>除了採用高導熱材料製成的底座外，封裝材料也進行了修訂，以降低熱阻。因此，器件温度的升高得到了抑制，允許在高輸出下穩定運行。</li>
</ul>
<p>新產品已被添加到 Nuvoton 的紫外（379nm）、紫色（402nm）和靛藍（420nm）半導體激光器替代品系列中，旨在替代汞燈的 i 線（365nm）、h 線（405nm）和 g 線（436nm）發射線，為客户提供新的選擇。通過這一補充，客户可以根據應用、安裝環境和所需性能靈活選擇產品，增加系統設計的自由度。</p>
<p>新產品的詳細信息在美國加利福尼亞州舊金山舉行的 SPIE Photonics West 2026（1 月 20 日至 22 日）上展示，並將在日本橫濱 Pacifico 舉行的 OPIE’26（光學與光子學國際展覽會，4 月 22 日至 24 日）上展出。</p>
<p>Nuvoton 推出緊湊型 1.7W 402nm 紫色激光器，採用 TO-56 CAN 封裝</p>
<p>激光二極管</p>
<p>www.opie.jp</p>
<p>www.nuvoton.co.jp/en</p>

<p>Nuvoton Technology Corp 已經開始大規模生產其 KLC330FL01WW 高功率紫外半導體激光器，該激光器具有 379nm 的波長和 1.0W 的輸出功率。該激光器旨在用於無掩模光刻、樹脂固化和 3D 打印等應用。Nuvoton 的專有技術提高了牆插效率和熱管理，確保了穩定的高輸出操作。新產品擴展了 Nuvoton 的半導體激光器系列，為傳統汞燈提供了替代方案，並支持先進的半導體封裝需求。相關細節在 SPIE Photonics West 2026 和 OPIE'26 展會上進行了展示</p>

<p>News: Optoelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新聞：光電</p>
</div><p>Nuvoton releases high-power 1W 379nm UV laser diode</p>
<div class="lb-trans"><p>Nuvoton 發佈高功率 1W 379nm 紫外激光二極管</p>
</div><p>Nuvoton Technology Corp Japan of Kyoto, Japan has begun mass production of its KLC330FL01WW high-power ultraviolet semiconductor laser (379nm, 1.0W), which delivers what is claimed to be industry-leading optical output in a 9.0mm-diameter CAN package (TO-9).</p>
<div class="lb-trans"><p>日本京都的 Nuvoton Technology Corp Japan 已開始大規模生產其 KLC330FL01WW 高功率紫外半導體激光器（379nm，1.0W），該產品在 9.0mm 直徑的 CAN 封裝（TO-9）中提供了業界領先的光輸出。</p>
</div><p>Applications include: maskless lithography, resin curing, marking, 3D printing, biomedical, and alternative light sources for mercury lamps etc.</p>
<div class="lb-trans"><p>應用包括：無掩模光刻、樹脂固化、標記、3D 打印、生物醫學以及替代汞燈的光源等。</p>
</div><p><em><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/jan/to9can.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/jan/to9can.jpg"/></em></p>
<div class="lb-trans"><p><em><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/jan/to9can.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/jan/to9can.jpg"/></em></p>
</div><p><em>Picture: Nuvoton’s new KLC330FL01WW 379nm, 1.0W high-power ultraviolet semiconductor laser.</em></p>
<div class="lb-trans"><p><em>圖片：Nuvoton 的新款 KLC330FL01WW 379nm，1.0W 高功率紫外半導體激光器。</em></p>
</div><p>Through a proprietary device structure and advanced high-heat-dissipation packaging technology, it achieves short wavelength, high output power, and long lifetime — three elements previously considered difficult for ultraviolet semiconductor lasers. As a result, it can contribute to fine patterning and improved production throughput in maskless lithography for advanced semiconductor packaging (in which multiple chips are densely integrated to optimize performance and power efficiency).</p>
<div class="lb-trans"><p>通過專有的器件結構和先進的高散熱封裝技術，它實現了短波長、高輸出功率和長壽命——這三個元素在紫外半導體激光器中以前被認為是困難的。因此，它可以促進無掩模光刻中精細圖案的形成和生產效率的提高，適用於先進的半導體封裝（在該封裝中，多個芯片被密集集成以優化性能和功率效率）。</p>
</div><p>Features of the new product include:</p>
<div class="lb-trans"><p>新產品的特點包括：</p>
</div><p>As demand grows for information processing capabilities driven by the evolution of artificial intelligence (AI), there is increasing need for higher performance from semiconductors than ever before. On the other hand, as the miniaturization of transistors approaches its physical and economic limits, semiconductor back-end package technologies and advanced semiconductor packaging, which allow for integration by arranging multiple semiconductor chips side by side or stacking them vertically, have been attracting attention.</p>
<div class="lb-trans"><p>隨着人工智能（AI）發展的信息處理能力需求不斷增長，半導體對性能的要求比以往任何時候都更高。另一方面，隨着晶體管的小型化接近其物理和經濟極限，半導體後端封裝技術和先進的半導體封裝，允許通過並排排列或垂直堆疊多個半導體芯片進行集成，受到了越來越多的關注。</p>
</div><p>In advanced semiconductor packaging, the mainstream method for forming wiring connections between multiple chips has been exposure technology using the i-line (365nm) of the mercury spectrum and photomasks (master masks of circuits). On the other hand, there has been growing interest in recent years in maskless lithography technology, which directly exposes (draws) wiring patterns based on design data without using photomasks.</p>
<div class="lb-trans"><p>在先進的半導體封裝中，形成多個芯片之間的連接的主流方法一直是使用汞光譜的 i 線（365nm）和光掩模（電路的母版掩模）的曝光技術。另一方面，近年來對無掩模光刻技術的興趣日益增長，該技術直接根據設計數據曝光（繪製）佈線圖案，而不使用光掩模。</p>
</div><p>This technology is considered to reduce the time and cost associated with the design and production of photomasks. Furthermore, because it is possible to directly imprint wiring patterns to match the surface shape of the target for drawing, alignment and correction are easier, and application to advanced semiconductor packages is currently under consideration.</p>
<div class="lb-trans"><p>該技術被認為可以減少與光掩模的設計和生產相關的時間和成本。此外，由於可以直接印刷與目標繪製表面形狀相匹配的佈線圖案，因此對齊和修正變得更容易，目前正在考慮將其應用於先進的半導體封裝。</p>
</div><p>As one of the key light sources in maskless lithography, semiconductor lasers have faced increasing demands for shorter wavelengths closer to the i-line (365nm) and higher output, in order to enable finer wiring and improve equipment throughput. To meet these requirements, Nuvoton says that it has leveraged over 40 years of experience in laser design and manufacturing to develop and commercialize an ultraviolet semiconductor laser with a wavelength of 379nm and an output of 1.0W.</p>
<div class="lb-trans"><p>作為無掩模光刻中的關鍵光源之一，半導體激光器面臨着對更短波長（接近 i 線（365nm））和更高輸出的需求，以實現更精細的佈線並提高設備的生產效率。為了滿足這些要求，Nuvoton 表示已利用其在激光設計和製造方面超過 40 年的經驗，開發並商業化了一款波長為 379nm、輸出為 1.0W 的紫外半導體激光器。</p>
</div><p>Ultraviolet semiconductor lasers generally suffer from significant heat generation caused by low wall-plug efficiency (WPE), and a tendency for device degradation caused by ultraviolet light, making stable operation at high output levels above 1.0W difficult to achieve. To address this, Nuvoton took a dual approach by focusing on both a device structure that enhances wall-plug efficiency (WPE) and a high-thermal-conduction package technology that effectively dissipates heat, enabling the firm to develop a product that combines short wavelength, high output, and long lifetime: a 1.0W ultraviolet (379nm) device. As a result, Nuvoton is contributing to extending the lifetime of optical devices that utilize ultraviolet light.</p>
<div class="lb-trans"><p>紫外半導體激光器通常由於低牆插效率（WPE）導致顯著的熱量產生，並且紫外光導致器件退化的傾向，使得在高於 1.0W 的輸出水平下實現穩定操作變得困難。為了解決這個問題，Nuvoton 採取了雙重方法，專注於增強牆插效率（WPE）的器件結構和有效散熱的高導熱封裝技術，使公司能夠開發出結合短波長、高輸出和長壽命的產品：1.0W 紫外（379nm）器件。因此，Nuvoton 正在為延長利用紫外光的光學設備的使用壽命做出貢獻。</p>
</div><ul>
<li>In addition to optimizing the emission layer and optical guide layer, Nuvoton has adopted a proprietary structure that precisely controls the doping profile. By reducing light absorption loss and operating voltage, this allows electrical energy to be converted into light more efficiently.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>除了優化發射層和光導層外，Nuvoton 還採用了一種專有結構，精確控制摻雜剖面。通過減少光吸收損失和工作電壓，這使得電能能夠更高效地轉化為光。</li>
</ul>
</div><ul>
<li>In addition to adopting a submount made of high-thermal-conductivity materials, the package materials have been revised to reduce thermal resistance. As a result, rises in device temperature are suppressed, allowing for stable operation at high output.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>除了採用高導熱材料製成的底座外，封裝材料也進行了修訂，以降低熱阻。因此，器件温度的升高得到了抑制，允許在高輸出下穩定運行。</li>
</ul>
</div><p>The new product has been added to the Nuvoton’s lineup of ultraviolet (379nm), violet (402nm) and indigo (420nm) semiconductor laser-based alternatives designed to replace the i-line (365nm), h-line (405nm) and g-line (436nm) emission lines of mercury lamps, providing customers with a new choice. With this addition, customers can flexibly select products according to application, installation environment, and required performance, increasing the freedom of system design.</p>
<div class="lb-trans"><p>新產品已被添加到 Nuvoton 的紫外（379nm）、紫色（402nm）和靛藍（420nm）半導體激光器替代品系列中，旨在替代汞燈的 i 線（365nm）、h 線（405nm）和 g 線（436nm）發射線，為客户提供新的選擇。通過這一補充，客户可以根據應用、安裝環境和所需性能靈活選擇產品，增加系統設計的自由度。</p>
</div><p>Details of the new product were showcased at SPIE Photonics West 2026 in San Francisco, CA, USA (20–22 January), and are being exhibited at OPIE’26 (OPTICS &amp; PHOTONICS International Exhibition) at Pacifico Yokohama, Japan (22–24 April)</p>
<div class="lb-trans"><p>新產品的詳細信息在美國加利福尼亞州舊金山舉行的 SPIE Photonics West 2026（1 月 20 日至 22 日）上展示，並將在日本橫濱 Pacifico 舉行的 OPIE’26（光學與光子學國際展覽會，4 月 22 日至 24 日）上展出。</p>
</div><p>Nuvoton launches compact 1.7W 402nm violet laser in TO-56 CAN package</p>
<div class="lb-trans"><p>Nuvoton 推出緊湊型 1.7W 402nm 紫色激光器，採用 TO-56 CAN 封裝</p>
</div><p>Laser diodes</p>
<div class="lb-trans"><p>激光二極管</p>
</div><p>www.opie.jp</p>
<div class="lb-trans"><p>www.opie.jp</p>
</div><p>www.nuvoton.co.jp/en</p>
<div class="lb-trans"><p>www.nuvoton.co.jp/en</p>
</div>

新唐科技發佈高功率 1W 379nm 紫外激光二極管