我國科研團隊在二維半導體領域取得新進展

隨着硅基芯片性能逼近物理極限，全球科學家正在尋找替代方案，以二硫化鉬為代表的二維半導體就是其中之一。30 日，國際頂級學術期刊《科學》在線發表南京大學王欣然、李濤濤團隊與東南大學王金蘭團隊合作論文，他們創新研發 “氧輔助金屬有機化學氣相沉積技術”，突破了制約大尺寸二硫化鉬薄膜規模化製備的技術難題。（新華社）