<p>新聞：微電子</p>
<p>Navitas 推出 10kW DC-DC 平台，實現 800VDC 下一代 AI 數據中心的 98.5% 效率</p>
<p>美國加利福尼亞州託倫斯的 Navitas Semiconductor Corp——提供 GaNFast 氮化鎵（GaN）和 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半導體——推出了一款 10kW DC-DC 功率平台，峯值效率高達 98.5%，開關頻率為 1MHz，聲稱能夠實現前所未有的功率密度，以支持下一代 AI 數據中心的快速大規模擴展。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/PR429-10kW.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/PR429-10kW.jpg"/></p>
<p>這款全 GaN 的 10kW 800V 至 50V DC-DC 平台採用 650V 和 100V GaNFast FETs，採用三電平半橋架構和同步整流，能夠在全磚（61mm x 116mm x 11mm）封裝中實現 98.5% 的峯值效率和 98.1% 的滿載效率，功率密度達到 2.1kW/in3。</p>
<p>該生產導向的平台支持 800V 至 50V 和 +/-400V 至 50V 架構，功率為 10kW，集成輔助電源和控制，以簡化採用並支持下一代 HVDC AI 數據中心的高功率密度模塊設計。請參閲 Navitas 關於 “重新定義數據中心電源：GaN 和 SiC 技術用於下一代 800 VDC 基礎設施” 的白皮書。</p>
<p>“該設計平台使 HVDC 數據中心電源基礎設施的過渡成為可能，支持 AI 工作負載未來的電力需求，這些需求將要求每個查詢的計算能力增加 100 倍甚至 1000 倍，” 總裁兼首席執行官 Chris Allexandre 表示。“Navitas 繼續重新定義 AI 數據中心電源的可能性，10kW DC-DC 解決方案提供突破性的效率、功率密度和可擴展性，使其能夠更快、更涼爽地運行，同時使其更加可持續，” 他聲稱。</p>
<p>10kW DC-DC 平台正在通過協作開發由關鍵數據中心客户進行評估，並將在美國德克薩斯州聖安東尼奧舉行的 IEEE 應用電力電子會議和博覽會（APEC 2026）上首次亮相，展位號為 Navitas (#2027)（3 月 22 日至 26 日）。</p>
<p>電力電子</p>
<p>www.apec-conf.org</p>
<p>www.navitassemi.com</p>

半導體 3 倍做多 - Direxion

納斯達克半導體 ETF - First Trust

標普半導體 ETF - SPDR

NVTS

半導體 ETF - VanEck Vectors

費城交易所 半導體 ETF - iShares

NVTX

動態半導體 ETF - Invesco

<p>Navitas Semiconductor 推出了一款 10kW DC-DC 電源平台，峯值效率達到 98.5%，專為 800VDC 人工智能數據中心設計。該全氮化鎵平台採用三電平半橋架構，支持高功率密度，促進人工智能工作負載向高壓直流基礎設施的過渡。該平台將在德克薩斯州聖安東尼奧舉行的 IEEE APEC 2026 會議上展示，目前正被關鍵數據中心客户評估以進行合作開發</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新聞：微電子</p>
</div><p>Navitas unveils 10kW DC–DC platform delivering 98.5% efficiency for 800VDC next-gen AI data centers</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 推出 10kW DC-DC 平台，實現 800VDC 下一代 AI 數據中心的 98.5% 效率</p>
</div><p>Navitas Semiconductor Corp of Torrance, CA, USA — which provides GaNFast gallium nitride (GaN) and GeneSiC silicon carbide (SiC) power semiconductors — has unveiled a 10kW DC–DC power platform delivering up to 98.5% peak efficiency and 1MHz switching frequency, enabling what is claimed to be unprecedented power density to support the rapid, large-scale expansion of next-generation AI data centers.</p>
<div class="lb-trans"><p>美國加利福尼亞州託倫斯的 Navitas Semiconductor Corp——提供 GaNFast 氮化鎵（GaN）和 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半導體——推出了一款 10kW DC-DC 功率平台，峯值效率高達 98.5%，開關頻率為 1MHz，聲稱能夠實現前所未有的功率密度，以支持下一代 AI 數據中心的快速大規模擴展。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/PR429-10kW.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/feb/PR429-10kW.jpg"/></p>
<p>The all-GaN 10kW 800V–to–50V DC–DC platform employs 650V and 100V GaNFast FETs in a three-level half-bridge architecture with synchronous rectification to deliver 98.5% peak efficiency and 98.1% full load efficiency in a full-brick (61mm x 116mm x 11mm) package, achieving 2.1kW/in3 power density.</p>
<div class="lb-trans"><p>這款全 GaN 的 10kW 800V 至 50V DC-DC 平台採用 650V 和 100V GaNFast FETs，採用三電平半橋架構和同步整流，能夠在全磚（61mm x 116mm x 11mm）封裝中實現 98.5% 的峯值效率和 98.1% 的滿載效率，功率密度達到 2.1kW/in3。</p>
</div><p>The resulting production-oriented platform supports 800V–to–50V and +/–400V–to–50V architectures at 10kW, integrating auxiliary power and control to simplify adoption and enable high–power-density module designs for next-generation HVDC AI data centers. See Navitas’ Whitepaper on ‘Redefining Data Center Power: GaN and SiC Technologies for Next-Gen 800 VDC Infrastructure’.</p>
<div class="lb-trans"><p>該生產導向的平台支持 800V 至 50V 和 +/-400V 至 50V 架構，功率為 10kW，集成輔助電源和控制，以簡化採用並支持下一代 HVDC AI 數據中心的高功率密度模塊設計。請參閲 Navitas 關於 “重新定義數據中心電源：GaN 和 SiC 技術用於下一代 800 VDC 基礎設施” 的白皮書。</p>
</div><p>“The design platform enables the transition to HVDC data-center power infrastructure, supporting the future power requirements of AI workloads that will demand between 100- and even 1000-times more compute per query,” says president &amp; CEO Chris Allexandre. “Navitas continues to redefine what’s possible in AI data-center power, with the 10kW DC–DC solution giving breakthrough efficiency, power density, and scalability to allow faster and cooler operation while making them more sustainable,” he claims.</p>
<div class="lb-trans"><p>“該設計平台使 HVDC 數據中心電源基礎設施的過渡成為可能，支持 AI 工作負載未來的電力需求，這些需求將要求每個查詢的計算能力增加 100 倍甚至 1000 倍，” 總裁兼首席執行官 Chris Allexandre 表示。“Navitas 繼續重新定義 AI 數據中心電源的可能性，10kW DC-DC 解決方案提供突破性的效率、功率密度和可擴展性，使其能夠更快、更涼爽地運行，同時使其更加可持續，” 他聲稱。</p>
</div><p>The 10kW DC–DC platform is being evaluated by key data-center customers through collaborative development and will make its debut in the Navitas booth (#2027) at the IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC 2026) in San Antonio, TX, USA (22–26 March).</p>
<div class="lb-trans"><p>10kW DC-DC 平台正在通過協作開發由關鍵數據中心客户進行評估，並將在美國德克薩斯州聖安東尼奧舉行的 IEEE 應用電力電子會議和博覽會（APEC 2026）上首次亮相，展位號為 Navitas (#2027)（3 月 22 日至 26 日）。</p>
</div><p>Power electronics</p>
<div class="lb-trans"><p>電力電子</p>
</div><p>www.apec-conf.org</p>
<div class="lb-trans"><p>www.apec-conf.org</p>
</div><p>www.navitassemi.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.navitassemi.com</p>
</div>

Navitas unveils 10kW DC–DC platform delivering 98.5% efficiency for 800VDC next-gen AI data centers

SemiConductor

Navitas Semiconductor

Tradr 2X Long NVTS Daily ETF

Navitas 推出了一個 10kW DC-DC 平台，為 800VDC 下一代 AI 數據中心提供 98.5% 的效率