<div id="readability-page-1">英特爾與軟銀合作開發的下一代 AI 內存技術 Z-Angle Memory（ZAM）完成全球首次公開亮相，這項旨在挑戰高帶寬內存（HBM）市場主導地位的新技術展示了顯著的性能優勢。該產品採用垂直堆疊架構，有望在降低功耗的同時大幅提升容量。 週三，根據 Wccftech 的報道，早期數據顯示 ZAM 可將功耗降低 40% 至 50%，單芯片容量最高可達 512GB，並通過 Z-Angle 互連技術簡化生產流程。這些特性使其成為應對當前 AI 應用能耗瓶頸和供應鏈緊張的潛在解決方案。 軟銀子公司 SAIMEMORY 於 2 月 3 日在 Intel Connection Japan 2026 活動上首次展示了 ZAM 原型產品。英特爾在博客文章中透露，原型產品計劃於 2027 年推出，全面商業化預計在 2030 年實現。 <img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/089b889e-331a-4aec-9b57-098837b8e949.png?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" width="722" height="624" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/089b889e-331a-4aec-9b57-098837b8e949.png"/> 英特爾政府技術部門首席技術官、英特爾院士 Joshua Fryman 博士出席了此次活動。SAIMEMORY 由軟銀、英特爾和東京大學於 2024 年 12 月共同創立，並於 2025 年 6 月正式啓動運營，現任總裁兼首席執行官為 Hideya Yamaguchi。 <h2>垂直堆疊突破散熱瓶頸</h2> 據 PC Watch 報道，傳統內存採用平面堆疊結構，但這一設計正因功耗和散熱限制接近極限。當前設計已將 16 層堆疊推至接近最大值，20 層被視為上限。 ZAM 以 Z 軸命名，採用垂直堆疊芯片的設計。PC Watch 指出，與傳統 DRAM 相比，這種設計承諾實現更低功耗、更高容量和更寬帶寬。通過垂直堆疊，每個芯片產生的熱量可均勻向上傳導，解決了長期困擾平面堆疊的散熱難題。 Wccftech 援引英特爾的説法稱，這一架構的主要優勢在於其卓越的熱管理能力。 <h2>技術路徑瞄準 HBM 與 DDR 之間空白</h2> 這款新內存產品預計將採用英特爾的下一代 DRAM 鍵合（NGDB）技術。桑迪亞國家實驗室 1 月發佈的信息顯示，當前高帶寬內存往往以犧牲容量等性能來換取更高帶寬。 NGDB 技術旨在消除這種權衡，在 HBM 和傳統 DDR DRAM 之間架起橋樑，同時提供顯著更高的能效。 根據軟銀髮布的新聞稿，ZAM 項目的原型產品預計在截至 2028 年 3 月 31 日的財年內完成，商業化目標鎖定 2029 財年。英特爾院士 Joshua Fryman 博士在聲明中表示，標準內存架構無法滿足 AI 需求，英特爾開發的新架構和組裝方法在提升 DRAM 性能的同時降低了功耗和成本。 PC Watch 報道稱，SAIMEMORY 強調其強大的合作伙伴關係，包括與軟銀和英特爾的合作，以及由國內外投資者和供應鏈合作伙伴組成的網絡。這表明英特爾可能並非 SAIMEMORY 唯一的全球合作伙伴。 軟銀與英特爾的這一合作旨在在 HBM 主導的市場格局中開闢新路徑，直指當前 AI 面臨的能耗瓶頸和供應鏈緊張難題。風險提示及免責條款 市場有風險，投資需謹慎。本文不構成個人投資建議，也未考慮到個別用户特殊的投資目標、財務狀況或需要。用户應考慮本文中的任何意見、觀點或結論是否符合其特定狀況。據此投資，責任自負。</div>

英特爾與軟銀合作開發的 Z-Angle Memory（ZAM）內存技術首次亮相，單芯片容量可達 512GB，功耗降低 40%-50%。該技術採用垂直堆疊架構，旨在挑戰高帶寬內存（HBM）市場。ZAM 原型計劃於 2027 年推出，2030 年實現全面商業化。該技術解決了傳統內存的散熱瓶頸，承諾更低功耗和更高容量。

- 英特爾與軟銀展示新 AI 內存技術 Z-Angle Memory（ZAM），挑戰高帶寬內存市場。  
- ZAM 採用垂直堆疊架構，功耗降低 40% 至 50%，容量可達 512GB。  
- 該技術預計在 2027 年推出原型，2030 年實現商業化。

華爾街見聞

半導體 3 倍做多 - Direxion

INTEL-T

標普半導體 ETF - SPDR

國聯安半導體ETF

2 倍做多 INTC ETF - GraniteShares

半導體 ETF - VanEck Vectors

國聯安科創芯片設計ETF

英特爾

華夏上證科創板半導體材料設備主題ETF

國泰CES半導體芯片行業ETF

國泰中證半導體材料設備主題ETF

費城交易所 半導體 ETF - iShares

全球首秀！英特爾亮出 ZAM 內存原型：單芯 512GB、功耗砍半，正面硬剛 HBM