<p>新聞：微電子</p>
<p>Navitas 展示 AI 數據中心、能源基礎設施、性能計算和工業電氣化的解決方案</p>
<p>在美國德克薩斯州聖安東尼奧舉行的 IEEE 應用電力電子會議（APEC 2026）上，Navitas Semiconductor Corp（位於加利福尼亞州託倫斯）展示了其最新的 AI 數據中心、性能計算、能源和電網基礎設施以及工業電氣化的創新，展位號為#2027。該公司提供 GaNFast 氮化鎵（GaN）和 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半導體。</p>
<p>Navitas 推出了 10kW 的 ‘氮化鎵驅動’800V 至 50V 直流 - 直流平台，採用 650V 和 100V GaNFast FETs，採用三電平半橋架構和同步整流，提供 98.5% 的峯值效率。該全磚封裝設計平台實現了 2.1kW/in3 的功率密度，並支持±400VDC 標準，適用於 AI 數據中心。此外，Navitas 還展示了一款 12kW 的 AI 數據中心電源，利用 IntelliWeave 數字控制實現了聲稱無與倫比的效率、功率密度和性能，以及一款 8.5kW 的 OCP 電源和 4.5kW 的 CRPS 電源。</p>
<p>針對下一代固態變壓器（SST）應用，Navitas 展示了其最新的 SiCPAK 功率模塊，滿足行業領先的效率要求——從中壓電網（13.8kVAC 至 34.5kVAC）轉換到 800VDC 或 1500VDC，適用於 AI 數據中心和先進的能源基礎設施，轉換效率超過 98%。該產品組合包括超高壓（UHV）3300V 和 2300V 解決方案，以及 1200V 高壓選項，提供聲稱的突破性性能、可擴展性和可靠性，適用於關鍵任務電力系統。新發布的用於動態表徵 UHV SiCPAK 功率模塊的柵極驅動器評估板也在展出。</p>
<p>為了推動 AI 驅動的高性能計算的未來，Navitas 首次推出基於其最新 GaNFast IC 創新的超緊湊型 240W 和 300W 電源解決方案，以實現卓越的效率和功率密度。Navitas 還展示了高效率的基於氮化鎵的電機控制解決方案，功率範圍從 400W 到 1kW，適用於先進的工業應用。</p>
<p>Navitas 在 APEC 的演講環節包括：</p>
<ul>
<li>3 月 24 日（上午 8:55–9:20 CT，地點：IS01.2）‘通過先進的功率器件和封裝技術最大化 MVHV SiC 性能和可靠性，以滿足關鍵能源基礎設施應用’ 由 Sumit Jadav 主講；</li>
<li>3 月 25 日（上午 11:05–11:30 CT，地點：IS07.6）‘高功率 GaN IC 在 800V AI 數據中心直流 - 直流磚解決方案中提供領先的效率和功率密度’ 由 GaN 業務部門副總裁兼總經理 Llew Vaughan-Edmunds 主講；</li>
<li>3 月 26 日（上午 11:35–11:50 CT，地點：IS27.4）‘由 GaN 雙向開關啓用的單級功率轉換器’ 由 Llew Vaughan-Edmunds 主講。</li>
</ul>
<p>Navitas 推出第五代 SiC 溝槽輔助平面 MOSFET 技術</p>
<p>Navitas 正在採樣 3300V 和 2300V 超高壓碳化硅產品組合</p>
<p>SiC 功率 MOSFET</p>
<p>www.navitassemi.com</p>

NVTS

標普半導體 ETF - SPDR

納斯達克半導體 ETF - First Trust

動態半導體 ETF - Invesco

費城交易所 半導體 ETF - iShares

半導體 3 倍做多 - Direxion

NVTX

半導體 ETF - VanEck Vectors

<p>Navitas Semiconductor Corp 正在德克薩斯州聖安東尼奧的 IEEE 應用電力電子會議（APEC 2026）上展示其最新創新。該公司展出了用於人工智能數據中心、高性能計算、能源基礎設施和工業電氣化的解決方案，包括一個 10kW 氮化鎵（GaN）驅動的 DC-DC 平台和一個 12kW 人工智能數據中心電源。Navitas 還展示了超高壓碳化硅（SiC）功率模塊和高效的氮化鎵（GaN）電機控制解決方案。演講環節將涵蓋 SiC 性能和用於人工智能數據中心的 GaN 集成電路的最新進展</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新聞：微電子</p>
</div><p>Navitas exhibiting solutions for AI data-center, grid and energy infrastructure, performance computing, and industrial electrification</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 展示 AI 數據中心、能源基礎設施、性能計算和工業電氣化的解決方案</p>
</div><p>In booth #2027 at the IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC 2026) in San Antonio, Texas (22–26 March), Navitas Semiconductor Corp of Torrance, CA, USA — which provides GaNFast gallium nitride (GaN) and GeneSiC silicon carbide (SiC) power semiconductors — is exhibiting its latest innovations for AI data centers, performance computing, energy and grid infrastructure, and industrial electrification.</p>
<div class="lb-trans"><p>在美國德克薩斯州聖安東尼奧舉行的 IEEE 應用電力電子會議（APEC 2026）上，Navitas Semiconductor Corp（位於加利福尼亞州託倫斯）展示了其最新的 AI 數據中心、性能計算、能源和電網基礎設施以及工業電氣化的創新，展位號為#2027。該公司提供 GaNFast 氮化鎵（GaN）和 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半導體。</p>
</div><p>Navitas is unveiling the 10kW ‘GaN-powered’ 800V–to–50V DC–DC platform that employs 650V and 100V GaNFast FETs in a three-level half-bridge architecture with synchronous rectification to deliver 98.5% peak efficiency. The full-brick package design platform achieves 2.1kW/in3 power density and also supports ±400VDC standard for AI data centers. Additionally, Navitas is featuring a 12kW AI data-center power supply, which leverages IntelliWeave digital control to achieve what is claimed to be unmatched efficiency, power density and performance, along with an 8.5kW OCP power supply and 4.5kW CRPS power supply.</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 推出了 10kW 的 ‘氮化鎵驅動’800V 至 50V 直流 - 直流平台，採用 650V 和 100V GaNFast FETs，採用三電平半橋架構和同步整流，提供 98.5% 的峯值效率。該全磚封裝設計平台實現了 2.1kW/in3 的功率密度，並支持±400VDC 標準，適用於 AI 數據中心。此外，Navitas 還展示了一款 12kW 的 AI 數據中心電源，利用 IntelliWeave 數字控制實現了聲稱無與倫比的效率、功率密度和性能，以及一款 8.5kW 的 OCP 電源和 4.5kW 的 CRPS 電源。</p>
</div><p>For next-generation solid-state transformer (SST) applications demanding industry-leading efficiency — exceeding 98% conversion from medium-voltage grids (13.8kVAC to 34.5kVAC) to 800VDC or 1500VDC for AI data centers and advanced energy infrastructure — Navitas is showcasing its latest SiCPAK power modules. The portfolio features ultra-high-voltage (UHV) 3300V and 2300V solutions, along with 1200V high-voltage options, delivering what is claimed to be breakthrough performance, scalability and reliability for mission-critical power systems. The newly released gate driver evaluation board for dynamic characterization of UHV SiCPAK power modules is also on display.</p>
<div class="lb-trans"><p>針對下一代固態變壓器（SST）應用，Navitas 展示了其最新的 SiCPAK 功率模塊，滿足行業領先的效率要求——從中壓電網（13.8kVAC 至 34.5kVAC）轉換到 800VDC 或 1500VDC，適用於 AI 數據中心和先進的能源基礎設施，轉換效率超過 98%。該產品組合包括超高壓（UHV）3300V 和 2300V 解決方案，以及 1200V 高壓選項，提供聲稱的突破性性能、可擴展性和可靠性，適用於關鍵任務電力系統。新發布的用於動態表徵 UHV SiCPAK 功率模塊的柵極驅動器評估板也在展出。</p>
</div><p>Advancing the future of AI-enabled high-performance computing, Navitas is debuting ultra-compact 240W and 300W power solutions built on its latest GaNFast IC innovations for superior efficiency and power density. Navitas is also showcasing high-efficiency GaN-based motor control solutions ranging from 400W to 1kW for advanced industrial applications.</p>
<div class="lb-trans"><p>為了推動 AI 驅動的高性能計算的未來，Navitas 首次推出基於其最新 GaNFast IC 創新的超緊湊型 240W 和 300W 電源解決方案，以實現卓越的效率和功率密度。Navitas 還展示了高效率的基於氮化鎵的電機控制解決方案，功率範圍從 400W 到 1kW，適用於先進的工業應用。</p>
</div><p>Navitas speaking sessions at APEC include the following:</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 在 APEC 的演講環節包括：</p>
</div><ul>
<li>24 March (8:55–9:20am CT, Location: IS01.2) ‘Maximizing MVHV SiC Performance and Reliability with Advanced Power Device and Packaging Technologies for Mission-Critical Energy Infrastructure Applications’ by Sumit Jadav;</li>
<li>25 March (11:05–11:30am CT, Location: IS07.6) ‘High-Power GaN ICs Deliver Leading Efficiency and Power Density in 800V AI Data Center DC–DC Brick Solutions’ by Llew Vaughan-Edmunds, VP &amp; general manager, GaN business unit;</li>
<li>26 March (11:35–11:50am CT, Location: IS27.4) ‘Single-stage Power Converter Enabled by GaN Bidirectional Switches’ by Llew Vaughan-Edmunds.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>3 月 24 日（上午 8:55–9:20 CT，地點：IS01.2）‘通過先進的功率器件和封裝技術最大化 MVHV SiC 性能和可靠性，以滿足關鍵能源基礎設施應用’ 由 Sumit Jadav 主講；</li>
<li>3 月 25 日（上午 11:05–11:30 CT，地點：IS07.6）‘高功率 GaN IC 在 800V AI 數據中心直流 - 直流磚解決方案中提供領先的效率和功率密度’ 由 GaN 業務部門副總裁兼總經理 Llew Vaughan-Edmunds 主講；</li>
<li>3 月 26 日（上午 11:35–11:50 CT，地點：IS27.4）‘由 GaN 雙向開關啓用的單級功率轉換器’ 由 Llew Vaughan-Edmunds 主講。</li>
</ul>
</div><p>Navitas unveils fifth-generation SiC Trench-Assisted Planar MOSFET technology</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 推出第五代 SiC 溝槽輔助平面 MOSFET 技術</p>
</div><p>Navitas sampling 3300V and 2300V UHV silicon carbide product portfolio</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 正在採樣 3300V 和 2300V 超高壓碳化硅產品組合</p>
</div><p>SiC power MOSFET</p>
<div class="lb-trans"><p>SiC 功率 MOSFET</p>
</div><p>www.navitassemi.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.navitassemi.com</p>
</div>

Navitas exhibiting solutions for AI data-center, grid and energy infrastructure, performance computing, and industrial electrification

SemiConductor

Navitas Semiconductor

Tradr 2X Long NVTS Daily ETF

Navitas 展示了用於人工智能數據中心、電網和能源基礎設施、高性能計算以及工業電氣化的解決方案