亞洲半導體行業掀起新一輪資本開支浪潮。據 TrendForce 數據，中國台灣、韓國和日本等地區的主要半導體廠商 2026 年合計資本支出有望突破 1360 億美元，較 2025 年增長約 25%，台積電、三星和 SK 海力士位居支出規模前列。
這一輪擴張的核心驅動力在於 AI 芯片及高帶寬內存（HBM）的需求持續升温。台積電計劃以高達 560 億美元的歷史性資本支出領跑行業，三星和 SK 海力士則將新增產能的絕大部分鎖定在 HBM 方向，以搶佔 AI 服務器內存的主導地位。
支出浪潮已從一線巨頭蔓延至二線廠商。中國台灣特殊內存供應商華邦電子（Winbond Electronics）和南亞科技（Nanya Technology）相繼宣佈大幅上調年度資本預算，後者更創下歷史新高，折射出市場對內存景氣週期回暖的強烈預期。
對於投資者而言，這波密集的資本承諾意味着設備採購訂單將持續放量，半導體設備與先進封裝產業鏈有望持續受益。但與此同時，產能的集中釋放也令外界對潛在供過於求風險保持關注。
<h2 style="text-align: left">台積電領漲，晶圓代工擴產加速</h2>
代工龍頭台積電是本輪資本開支擴張的最大推手。
據《工商時報》及中央通訊社此前報道，台積電今年資本支出計劃介於 520 億至 560 億美元之間，同比增幅達 27% 至 37%，創公司歷史新高。其中 70% 至 80% 將用於先進製程，其餘部分則投向特殊製程及先進封裝領域。
這一預算規模遠超行業均值，凸顯台積電在 AI 邏輯芯片代工市場的主導地位，也反映出客户對先進製程產能的搶訂已深度綁定台積電的擴產節奏。
<h2 style="text-align: left">三星、SK 海力士押注 HBM，內存擴產聚焦高端</h2>
在內存領域，三星和 SK 海力士同步加碼，但兩家公司均將擴產重心轉向 HBM，而非傳統 DRAM。據 TrendForce 預測，三星 2026 年資本支出將同比小幅增長約 3.7%；SK 海力士的增幅則更為顯著，預計達 24%。
韓國媒體 EBN 報道，三星計劃 2026 年將 DRAM 產出提升約 20%，擴產將集中在平澤 P4 工廠，但新增產能將主要用於支持 10 納米第六代（1C）DRAM，以滿足 HBM4 的生產需求。
SK 海力士方面，EBN 報道稱，該公司已完成清州 M15X 工廠的擴產準備，相當大比例的新增產能同樣將劃撥至 HBM 生產線。
據 The Elec 今年 1 月末報道，SK 海力士已上調 1C DRAM 的擴產計劃，業內消息人士估計，該公司到 2027 年第一季度末月產量有望達到 17 萬至 20 萬片，幾乎是原定目標 9 萬片的兩倍。
在 NAND 領域，鎧俠（Kioxia）與閃迪（SanDisk）組成的聯盟展現出更為激進的擴張姿態。據 TrendForce 預測，該合資陣營 2026 年資本支出漲幅可能高達 40%，顯示雙方正大力推進 NAND 產能擴張。
<h2 style="text-align: left">二線內存廠商跟進，行業景氣回暖信號增強</h2>
值得關注的是，本輪資本開支的擴張並不侷限於頭部企業，中國台灣二線內存廠商亦紛紛跟進，釋放出行業景氣觸底回升的明確信號。
據日經新聞報道，以 NOR 閃存及特殊定製 DRAM 見長的華邦電子計劃 2026 年投入 421 億新台幣，約為去年支出規模的八倍。該公司同時預計，2026 年第一季度產品平均售價將上漲逾 30%。
全球第五大 DRAM 製造商南亞科技的動作同樣引人注目。據科技媒體 TechNews 報道，南亞科技公佈的 2026 年資本支出預算高達 500 億新台幣，創歷史新高，新建廠房預計於 2028 年上半年達到月產 2 萬片晶圓的目標產能。
二線廠商的集中加碼，進一步印證市場對內存週期向上的樂觀判斷，也為相關設備及材料供應商帶來更廣泛的訂單增量預期。

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受 AI 芯片與 HBM 內存需求驅動，2026 年亞洲半導體大廠資本支出或將破 1360 億美元。台積電（預計同比增長 27%-37%）、三星（+3.7%）和 SK 海力士（+24%）位居支出規模前列。台積電主要投向先進製程，三星、海力士則重金押注 HBM。設備與先進封裝產業鏈迎訂單爆發。

- 亞洲半導體行業 2026 年資本支出預計突破 1360 億美元，增長約 25%。  
- 主要廠商如台積電、三星和 SK 海力士加大對 AI 芯片和 HBM 的投資。  
- 二線內存廠商如華邦電子和南亞科技也大幅提高支出，反映行業景氣回升。

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