AI 基礎設施投資熱潮持續升温，全球內存市場供需失衡加劇，三星電子一季度 DRAM 價格漲幅最終確定在 100% 以上，較一個月前談判結果再度上調。
3 月 4 日，據韓國電子新聞，三星電子已於上月與主要客户完成一季度 DRAM 供貨價格的最終談判，服務器、PC 及移動端通用 DRAM 均價較上季度上漲約 100%，價格較去年四季度翻倍，部分客户及產品的漲幅甚至超過 100%。
該報道援引業內知情人士透露，談判已全面收尾，部分海外客户已完成付款。這一漲幅較今年 1 月協商的 70% 水平，在短短一個月內再度擴大約 30 個百分點。
價格的快速攀升正在重塑內存行業的合同慣例。供貨談判週期已從傳統的年度合同壓縮至季度合同，如今甚至需要按月調整，折射出市場供需失衡的嚴峻程度。
<h2 style="text-align: left">HBM 擠佔產能，通用 DRAM 供給受限</h2>
此輪 DRAM 價格急漲的核心驅動力，源自 AI 基礎設施投資的全球性擴張。隨着數據中心運營商大規模部署 AI 芯片，支撐算力運行的高帶寬內存（HBM）需求急劇攀升。三星電子、SK 海力士及美光紛紛將產能向 HBM 傾斜，導致面向服務器、PC 及移動終端的通用 DRAM 供給受到明顯擠壓。
供給收縮的同時，需求端熱度不減。AI 服務器、AI PC 及 AI 智能手機等終端產品需求持續旺盛，供需缺口不斷擴大，推動價格持續走高。據報道，部分海外科技巨頭為鎖定供貨量，已專程赴韓與三星電子等內存廠商展開直接接洽，進一步加劇了市場緊張預期。
<h2 style="text-align: left">SK 海力士與美光漲幅相近</h2>
此輪漲價並非三星電子單獨行動。據報道援引業內人士，SK 海力士與美光同樣以相近幅度完成一季度供貨合同談判，三大內存廠商集體提價的格局已基本成型。
回溯今年 1 月，三星電子 DRAM 季度合約價漲幅約 70%，NAND 漲幅約 100%，彼時已引發市場廣泛關注。而此次 DRAM 漲幅進一步擴大至 100% 以上，表明在持續博弈過程中，需求增速持續超出供給擴張節奏，迫使價格中樞再度上移。
<h2 style="text-align: left">漲勢料延續至二季度</h2>
市場對內存價格的上行預期依舊強烈。報道援引研究機構 Gartner 預測，今年 DRAM 與固態硬盤（SSD）價格合計將較上年上漲約 130%。英偉達上月 25 日交出歷史最佳業績答卷，進一步打消外界對 AI 泡沫的疑慮，為內存需求的持續擴張提供有力支撐。
據報道援引業內人士，二季度 DRAM 與 NAND 價格仍將延續漲勢，漲勢或有所放緩，但價格上行本身已是不可逆轉的趨勢。對於下游客户而言，內存採購成本的持續攀升，將進一步推高服務器及終端設備的整體成本結構。

三星電子

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三星電子一季度 DRAM 價格漲幅最終敲定在 100% 以上，較一個月前談判的 70% 水平再度擴大約 30 個百分點。據韓媒報道，部分海外客户已完成付款，供貨談判週期已從年度壓縮至季度乃至月度。本輪漲價源於 AI 投資熱潮下 HBM 產能擠佔，導致通用 DRAM 供給受限，而需求持續旺盛。SK 海力士與美光跟進同等漲幅，三大廠商集體提價格局確立，漲勢預計延續至二季度。

- 三星電子一季度 DRAM 價格上漲超過 100%。  
- 供需失衡導致談判週期縮短至季度或月份。  
- AI 基礎設施投資推動內存需求，價格上漲趨勢將持續。

時隔一個月再度飆升，報道：三星電子 Q1 DRAM 價格漲幅從 70% 上調至 100%