<p>BE Semiconductor Industries (BESI) 的股票在阿姆斯特丹交易中盤中下跌了 19.08%，原因是有報告指出內存芯片製造商可能會推遲採用該公司的混合鍵合技術用於高帶寬內存 (HBM)。</p>
<p>此次拋售緊隨韓國科技媒體 ZDNet Korea 的一份報告，該報告引用了 JEDEC 成員之間的討論，包括三星電子和 SK 海力士，討論提高下一代高帶寬內存芯片的封裝厚度限制。根據報告，目前的 HBM4 標準為 775 微米，行業參與者正在考慮未來幾代產品的範圍為 825 到 900 微米或更高，包括 HBM4E 和 HBM5，這可能需要 20 層 DRAM 堆疊。</p>
<p>混合鍵合是用於連接先進封裝中堆疊半導體層的關鍵技術，使 AI 重點內存解決方案的性能和效率更高。根據 Degroof Petercam 分析師 Michael Roeg 的説法，放寬高度標準可能允許 DRAM 生產商在過渡到混合鍵合之前，繼續使用現有技術更長時間。在其 2 月的財報電話會議上，首席執行官 Richard Blickman 表示，2026 年將是 “理解 HBM 堆疊中混合鍵合採用情況的非常重要的一年”，並指出三星最近分享的路線圖是一個關鍵信號。</p>

萊迪思半導體

動態半導體 ETF - Invesco

安森美半導體

納斯達克半導體 ETF - First Trust

三星電子

半導體 ETF - VanEck Vectors

半導體 3 倍做多 - Direxion

標普半導體 ETF - SPDR

<p>BE 半導體工業（BESI）在阿姆斯特丹的股價下跌了 19.08%，原因是人們對其高帶寬內存（HBM）混合鍵合技術的採用產生了擔憂。一份報告指出，包括三星和 SK 海力士在內的內存芯片製造商正在考慮提高未來 HBM 標準的封裝厚度限制，這可能會推遲向混合鍵合的過渡。分析師 Michael Roeg 指出，放寬高度標準可能會延長現有技術的使用。首席執行官 Richard Blickman 強調，2026 年是 HBM 堆疊中混合鍵合採用的關鍵年份</p>

<p>BE Semiconductor Industries (BESI) shares dropped 19.08% intraday in Amsterdam trading after a report suggested that memory chipmakers may delay adopting the company's hybrid bonding technology for high-bandwidth memory (HBM).</p>
<div class="lb-trans"><p>BE Semiconductor Industries (BESI) 的股票在阿姆斯特丹交易中盤中下跌了 19.08%，原因是有報告指出內存芯片製造商可能會推遲採用該公司的混合鍵合技術用於高帶寬內存 (HBM)。</p>
</div><p>The selloff followed a report from South Korean technology outlet ZDNet Korea, which cited discussions among JEDEC members, including Samsung Electronics and SK Hynix, about raising the package thickness limit for next-generation high-bandwidth memory chips. According to the report, the current HBM4 standard sits at 775 micrometers, and industry participants are weighing a range of 825 to 900 micrometers or more for future generations, including HBM4E and HBM5, which may require 20-layer DRAM stacking.</p>
<div class="lb-trans"><p>此次拋售緊隨韓國科技媒體 ZDNet Korea 的一份報告，該報告引用了 JEDEC 成員之間的討論，包括三星電子和 SK 海力士，討論提高下一代高帶寬內存芯片的封裝厚度限制。根據報告，目前的 HBM4 標準為 775 微米，行業參與者正在考慮未來幾代產品的範圍為 825 到 900 微米或更高，包括 HBM4E 和 HBM5，這可能需要 20 層 DRAM 堆疊。</p>
</div><p>Hybrid bonding is a key technology used to connect stacked semiconductor layers in advanced packaging, enabling higher performance and efficiency in AI-focused memory solutions. According to Degroof Petercam analyst Michael Roeg, relaxing the height standards could allow DRAM producers to continue using existing technologies longer before transitioning to hybrid bonding. During its February earnings call, CEO Richard Blickman said 2026 would be 'a very important year to understand the adoption of hybrid bonding for HBM stacking,' pointing to Samsung's recently shared roadmap as a key signal.</p>
<div class="lb-trans"><p>混合鍵合是用於連接先進封裝中堆疊半導體層的關鍵技術，使 AI 重點內存解決方案的性能和效率更高。根據 Degroof Petercam 分析師 Michael Roeg 的説法，放寬高度標準可能允許 DRAM 生產商在過渡到混合鍵合之前，繼續使用現有技術更長時間。在其 2 月的財報電話會議上，首席執行官 Richard Blickman 表示，2026 年將是 “理解 HBM 堆疊中混合鍵合採用情況的非常重要的一年”，並指出三星最近分享的路線圖是一個關鍵信號。</p>
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BE Semiconductor 因對 HBM 標準變更的擔憂而股價下跌