英偉達首席執行官黃仁勳向全球存儲芯片廠商發出強烈信號：儘管擴產，英偉達照單全收。
週一，黃仁勳在摩根士丹利科技大會上表示，芯片供給短缺對英偉達而言是&#34;極好的消息&#34;，因為資源受限會促使客户更傾向於直接選擇性能最強的解決方案。他更直接向 DRAM 廠商喊話：&#34;產能擴多少，我們（英偉達）就會用掉多少。&#34;
這一表態被業界視為對 DRAM 產業景氣的強力背書，也預示着 AI 算力軍備競賽對存儲資源的需求將持續攀升。
業界認為，黃仁勳此番表態的背後，是英偉達即將推出的新一代 Vera Rubin 平台對存儲資源的龐大需求。隨着英偉達全力衝刺新平台，鴻海、廣達、緯創等代工夥伴的接單前景也同步看好。
<h2 style="text-align: left">供給受限反成優勢，英偉達全力掃貨</h2>
黃仁勳在會上闡述了其對資源短缺的獨特邏輯：在數據中心土地、電力、建築等各類資源均受限的環境下，客户在採購決策上會更加審慎，並更傾向於一步到位選擇最強方案。這一趨勢對於存儲器尤為明顯。
他的表態意味着，即便 DRAM 價格因供給緊張而持續上漲，英偉達仍將維持強勁的採購力度，不會因成本壓力而縮減備貨。這為三星、SK 海力士、美光等全球三大 DRAM 廠商提供了明確的需求能見度。
英偉達對存儲資源的渴求，與其新一代 AI 平台的技術路線密切相關。以現有的 GB300 為例，其支持的高帶寬存儲器（HBM）容量已高達 288GB，較 GB200 的 192GB 大幅提升。
進入 Vera Rubin 世代後，HBM 容量雖維持 288GB，但規格將從 HBM3E 升級至 HBM4。HBM4 採用 16 層堆疊設計，較 HBM3E 的 12 層堆疊更為複雜，產能自然耗損率也隨之提高，單位產出消耗的存儲資源將更為龐大，預計將進一步加劇 DRAM 供給短缺的局面。
<h2 style="text-align: left">三大 DRAM 廠擴產，消費端缺口短期難解</h2>
儘管三星、SK 海力士及美光均已啓動擴產計劃，但業界指出，三大廠商當前擴增的產能主要集中於 HBM 及企業級 DRAM，消費性 DRAM 的供給短缺問題至少在未來一年內仍難以緩解。
與此同時，HBM 以及數據中心用 LPDDR4、LPDDR5 和新一代 DDR6 的價格，預計將持續走高。供需結構的持續偏緊，為存儲芯片廠商的盈利前景提供了支撐。
機構看好，英偉達持續擴大存儲備貨、衝刺新世代 AI 平台商機，將帶動其供應鏈夥伴的訂單動能持續升温。鴻海、廣達、緯創等主要代工廠作為英偉達 AI 服務器的核心組裝夥伴，有望在這一輪需求擴張中同步受益。

英偉達

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黃仁勳在摩根士丹利科技大會放話：DRAM 廠商產能擴多少，英偉達就用掉多少。隨着英偉達新一代 Vera Rubin 平台採用更復雜的 HBM4 規格，存儲資源耗損倍增，三大 DRAM 廠擴產仍難填其缺口。

- 英偉達首席執行官發出信號，擴產與採購並行。  
- 他表示資源短缺將促使客户選擇高性能方案，強化對 DRAM 需求。  
- 三大 DRAM 廠商雖擴產，消費性 DRAM 短缺問題預計難解。

黃仁勳喊話 DRAM 廠儘管擴產：有多少就買多少