英偉達下一代 AI 加速器 Vera Rubin 的高帶寬內存供應格局正在成形，三星電子和 SK 海力士雙雙入選 HBM4 供應商名單，出貨時間窗口或已開啓。
週一，據根據集邦諮詢 TrendForce 援引韓國《韓國經濟》業內消息人士，兩家韓國存儲巨頭已被納入英偉達 Vera Rubin 的零部件供應商名單。由於 HBM4 從 DRAM 晶圓到最終封裝的生產週期超過六個月，兩家公司預計最快本月啓動量產。這一時間節點恰好與英偉達下週舉行的 GTC 大會高度重合，市場對 Vera Rubin 的 HBM4 供應動向高度關注。
在供應份額方面，消息人士預計 SK 海力士將承接英偉達 2026 年包括 HBM3E 在內逾半數的 HBM 總供應量，而三星則有望主導專供 Vera Rubin 的 HBM4 業務。
根據集邦諮詢 TrendForce 預測，SK 海力士仍將以 50% 的全球 HBM 比特產出份額領跑行業，但較 2025 年的 59% 有所下滑；三星的份額則從 20% 攀升至 28%，追趕態勢明顯。
<h2 style="text-align: left">技術門檻：英偉達提出超規格性能要求</h2>
此次 HBM4 供應競爭的核心分水嶺在於數據傳輸速率。據《韓國經濟》，英偉達對 Vera Rubin 所用 HBM4 提出了超過 10Gb/s 的數據速率要求，遠高於 JEDEC 行業標準設定的 8Gb/s 上限。
在資質認證進展上，三星已實際通過英偉達 HBM4 的兩級資質測試——分別對應 10Gb/s 和 11Gb/s 數據速率。相比之下，SK 海力士目前仍在對產品進行優化，以通過 11Gb/s 的更高級別測試。分析人士指出，HBM4 的數據處理速度或將成為兩家供應商之間的關鍵差異化因素。
在產品規格層面，HBM4 採用 8 至 16 層 DRAM 芯片堆疊於控制基底的架構。英偉達 Vera Rubin 預計將搭載 16 個 HBM4 堆棧，實現 576GB 的總容量，超越 AMD 即將推出的 MI450 所支持的 432GB 上限，在旗艦 AI 加速器的內存規格競爭中佔據優勢。
<h2 style="text-align: left">供應商格局：美光定位中端，SK 集團高層親赴 GTC</h2>
在三家主要 HBM 供應商中，美光的定位有所不同。據《韓國經濟》報道，美光並未完全退出 HBM4 市場，預計將為面向推理場景的中端 AI 加速器（如 Rubin CPX）提供 HBM4，而非旗艦版 Vera Rubin。
值得關注的是，SK 集團會長崔泰源（Chey Tae-won）將首次親自出席英偉達 GTC 大會。業內消息人士稱，此次親赴現場凸顯 SK 集團的高度重視，崔泰源將直接參與監督 SK 海力士的供貨進度安排與談判事宜。
在出貨進展上，三星電子已於今年 2 月啓動 HBM4 出貨，而 SK 海力士目前尚未宣佈交付計劃，兩者之間的時間差引發市場關注。
<h2 style="text-align: left">三星的籌碼：普通 DRAM 漲價重塑供應商議價格局</h2>
普通 DRAM 價格的大幅上漲正在改變 HBM 供應商的戰略考量，併為三星提供了額外的談判籌碼。集邦諮詢指出，自 2025 年第四季度以來，普通 DRAM 價格急劇攀升，HBM 在盈利能力上的歷史優勢正在收窄，存儲廠商因此開始重新調整 HBM 與普通 DRAM 之間的產能分配，以平衡整體營收增長與客户承諾。
在此背景下，英偉達過度依賴單一供應商的風險愈發凸顯——一旦供應商將產能向普通 DRAM 傾斜，Rubin 平台的量產爬坡進度將面臨制約。
服務器級普通 DRAM 模組（如 SOCAMM2）目前每 Gb 售價約為 1.3 美元，已接近英偉達旗艦 HBM3E 的價格水平。這意味着，對三星而言，生產無需昂貴堆疊工藝的普通 DRAM，在利潤率上未必遜於 HBM4。正因如此，同時掌握 HBM4 與普通 DRAM 產能的三星，得以向英偉達提出多元化的議價選項，在供應談判中佔據更為主動的位置。

英偉達

三星電子

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英偉達下一代 AI 王牌 Vera Rubin 的內存爭奪戰已然打響——三星與 SK 海力士雙雙入圍 HBM4 供應商名單，最快本月啓動量產。技術門檻上，英偉達提出超行業標準 25% 的 10Gb/s 傳輸速率要求，三星已率先通過雙級認證搶得先機，SK 海力士仍在追趕。

- 英偉達 Vera Rubin 的 HBM4 供應商已定，三星和 SK 海力士入選。  
- 兩廠商預計本月啓動量產，市場對此高度關注。  
- 數據傳輸速率超出行業標準，成為供應競爭關鍵。

華爾街見聞

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三星和 SK 海力士被選為英偉達 Rubin HBM4 供應商，預計三月開始出貨