<p>新聞：供應商</p>
<p>美國明尼蘇達州查漢森的 Agnitron Technology Inc 表示，其 Agilis 100 MOCVD 系統已被德國德累斯頓萊布尼茨固態與材料研究所（IFW）材料化學研究所選中，用於其 MOCVD 和 ALD 能力中心。</p>
<p>該能力中心選擇 Agilis 100 以支持其在前驅體化學和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）及原子層沉積（ALD）工藝開發方面的研究。IFW 德累斯頓以開發旨在實現新半導體器件類別的創新化學而聞名。</p>
<p>選擇 Agnitron 工具的一個關鍵驅動因素是需要在靈活的研發反應器中部署新合成的低蒸氣壓前驅體，並展示其在實際工藝中的實用性。安裝的配置結合了一種從安瓿到晶圓的特殊前驅體熱控制方法，以及一種專利的噴頭設計，旨在實現穩健的交付和重複性。</p>
<p>“我們發現與 Agnitron 的合作為我們提供了所需的靈活性和執行我們在商業反應器中合成和測試新前驅體計劃所需的支持，” IFW 德累斯頓 MOCVD 和 ALD 能力中心主任 Anjana Devi 教授評論道。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/1761311991602-(1).jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="1200" height="865" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/1761311991602-(1).jpg"/></p>
<p><em>圖片：IFW 主任 Anjana Devi 教授與 Agnitron Agilis 100 MOCVD 系統。</em></p>
<p>該中心的初步重點將是使用新開發的金屬有機前驅體生長摻鈰的氮化鋁（AlN）。超寬帶隙半導體合金摻鈰氮化鋁（ScAlN）具有顯著增強的壓電係數和強自發極化。預計 ScAlN 將在下一代高頻、高功率和聲學半導體器件中發揮變革性作用，從而提高帶寬、信號質量和熱穩定性。</p>
<p>“由於 Agilis 100 的成功和材料生長性能，我們選擇 Agnitron 提供第二個 MOCVD 系統，以進一步增強我們對氧化物薄膜的前驅體開發，” IFW 德累斯頓納米結構薄膜材料研究團隊負責人 Harish Parala 博士指出。“第二個生長系統將使我們能夠使用和測試新的鎵化學以生長氧化鎵（Ga2O3）薄膜。”</p>
<p>Ga2O3 是另一種超寬帶隙半導體，Agnitron 在 MOCVD 生長該材料的純度方面保持記錄。IFW 德累斯頓的化學開發與 Agnitron 的 Ga2O3 MOCVD 設備和工藝專業知識的結合預計將加速可靠氧化物薄膜生長的進展。</p>
<p>“IFW 德累斯頓是理想的合作伙伴：一個世界級的研究團隊，擁有出色的設施，能夠為 Agilis 100 平台創造尖端材料，該平台採用專利噴頭和低蒸氣壓化學傳輸系統，” Agnitron 創始人兼首席執行官 Andrei Osinsky 博士評論道。“我們很高興能夠支持他們的 ScAlN 路線圖，並感謝他們對用第二個系統擴展氧化物項目的信任。我們共同將有前景的材料轉化為可靠的、工業相關的工藝。”</p>
<p>布里斯托爾安裝氧化鎵 MOCVD 系統</p>
<p>Agnitron 開發 10kV+ beta 相氧化鎵開關的 MOCVD 能力</p>
<p>AlNScAlN MOCVD</p>
<p>www.ifw-dresden.de</p>
<p>www.agnitron.com</p>

<p>Agnitron Technology 的 Agilis 100 MOCVD 系統已被德累斯頓 IFW 的能力中心選中，用於前驅體化學和超寬帶隙材料的研究。該系統將支持鋁氮化物和鋁鈧氮化物的開發，以用於下一代半導體設備。IFW 德累斯頓計劃通過第二台 Agilis 100 系統來增強其在氧化鎵薄膜方面的研究，利用 Agnitron 在 MOCVD 過程中的專業知識。此次合作旨在加速可靠的氧化物薄膜生長和創新半導體材料的發展</p>

<p>News: Suppliers</p>
<div class="lb-trans"><p>新聞：供應商</p>
</div><p>Agnitron Technology Inc of Chanhassen, MN, USA says that its Agilis 100 MOCVD system has been selected by the Institute for Materials Chemistry (IMC) at the Leibniz Institute for Solid State and Materials Research (IFW) Dresden, Germany, for its MOCVD and ALD Competence Centre.</p>
<div class="lb-trans"><p>美國明尼蘇達州查漢森的 Agnitron Technology Inc 表示，其 Agilis 100 MOCVD 系統已被德國德累斯頓萊布尼茨固態與材料研究所（IFW）材料化學研究所選中，用於其 MOCVD 和 ALD 能力中心。</p>
</div><p>The Competence Centre chose the Agilis 100 to support its research in precursor chemistry and the development of metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and atomic layer depoisition (ALD) processes. IFW Dresden is known for developing innovative chemistries aimed at enabling new semiconductor device categories.</p>
<div class="lb-trans"><p>該能力中心選擇 Agilis 100 以支持其在前驅體化學和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）及原子層沉積（ALD）工藝開發方面的研究。IFW 德累斯頓以開發旨在實現新半導體器件類別的創新化學而聞名。</p>
</div><p>A key driver for selecting the Agnitron tool was the need to deploy newly synthesized, low-vapor-pressure precursors in a flexible R&amp;D reactor and demonstrate their utility in real processes. The installed configuration combines an approach for thermally controlling specialty precursors from ampule to wafer with a patented showerhead designed for robust delivery and repeatability.</p>
<div class="lb-trans"><p>選擇 Agnitron 工具的一個關鍵驅動因素是需要在靈活的研發反應器中部署新合成的低蒸氣壓前驅體，並展示其在實際工藝中的實用性。安裝的配置結合了一種從安瓿到晶圓的特殊前驅體熱控制方法，以及一種專利的噴頭設計，旨在實現穩健的交付和重複性。</p>
</div><p>“We found partnering with Agnitron provided us with the flexibility we need and the support required to execute our plan to synthesize and test new precursors in a commercial reactor,’ comments professor Anjana Devi, director of IFW Dresden’s MOCVD and ALD Competence Centre.</p>
<div class="lb-trans"><p>“我們發現與 Agnitron 的合作為我們提供了所需的靈活性和執行我們在商業反應器中合成和測試新前驅體計劃所需的支持，” IFW 德累斯頓 MOCVD 和 ALD 能力中心主任 Anjana Devi 教授評論道。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/1761311991602-(1).jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/1761311991602-(1).jpg"/></p>
<div class="lb-trans"><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/1761311991602-(1).jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/1761311991602-(1).jpg"/></p>
</div><p><em>Picture: IFW director professor Anjana Devi with the Agnitron Agilis 100 MOCVD system.</em></p>
<div class="lb-trans"><p><em>圖片：IFW 主任 Anjana Devi 教授與 Agnitron Agilis 100 MOCVD 系統。</em></p>
</div><p>The centre’s initial focus will be on growing aluminium nitride (AlN) alloyed with scandium using the new metal-organic precursors being developed. The ultra-wide-bandgap semiconductor alloy scandium aluminium nitride (ScAlN) has a dramatically boosted piezoelectric coefficient and strong spontaneous polarization. ScAlN is expected to play a transformative role in next-generation high-frequency, high-power, and acoustic semiconductor devices, enabling improved bandwidth, signal quality, and thermal stability.</p>
<div class="lb-trans"><p>該中心的初步重點將是使用新開發的金屬有機前驅體生長摻鈰的氮化鋁（AlN）。超寬帶隙半導體合金摻鈰氮化鋁（ScAlN）具有顯著增強的壓電係數和強自發極化。預計 ScAlN 將在下一代高頻、高功率和聲學半導體器件中發揮變革性作用，從而提高帶寬、信號質量和熱穩定性。</p>
</div><p>“Due to the success and performance of the Agilis 100 installed and growing material, we’ve chosen Agnitron to provide us with a second MOCVD system to further enhance our precursor development for oxide thin films,” notes Dr Harish Parala, who heads the Nanostructured Thin Film Materials Research Team at IFW Dresden. “The second growth system will allow us to use and test our new gallium chemistries to grow gallium oxide (Ga2O3) thin films.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“由於 Agilis 100 的成功和材料生長性能，我們選擇 Agnitron 提供第二個 MOCVD 系統，以進一步增強我們對氧化物薄膜的前驅體開發，” IFW 德累斯頓納米結構薄膜材料研究團隊負責人 Harish Parala 博士指出。“第二個生長系統將使我們能夠使用和測試新的鎵化學以生長氧化鎵（Ga2O3）薄膜。”</p>
</div><p>Ga2O3 is another ultra-wide-bandgap semiconductor, and Agnitron holds the record for the purity of this material grown by MOCVD. The combination of IFW Dresden’s chemistry development and Agnitron’s Ga2O3 MOCVD equipment and process expertise is expected to accelerate progress toward reliable oxide thin-film growth.</p>
<div class="lb-trans"><p>Ga2O3 是另一種超寬帶隙半導體，Agnitron 在 MOCVD 生長該材料的純度方面保持記錄。IFW 德累斯頓的化學開發與 Agnitron 的 Ga2O3 MOCVD 設備和工藝專業知識的結合預計將加速可靠氧化物薄膜生長的進展。</p>
</div><p>“IFW Dresden represents the ideal partner: a world-class research team with excellent facilities for creating cutting-edge materials perfect for the Agilis 100 platform which employs patented showerhead and low-vapor-pressure chemistry delivery system,” comments Agnitron’s founder &amp; CEO Dr Andrei Osinsky. “We’re thrilled to enable their ScAlN roadmap today and grateful for their confidence in scaling the oxide program with a second system. Together, we’re turning promising materials into reliable, industrially relevant processes.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“IFW 德累斯頓是理想的合作伙伴：一個世界級的研究團隊，擁有出色的設施，能夠為 Agilis 100 平台創造尖端材料，該平台採用專利噴頭和低蒸氣壓化學傳輸系統，” Agnitron 創始人兼首席執行官 Andrei Osinsky 博士評論道。“我們很高興能夠支持他們的 ScAlN 路線圖，並感謝他們對用第二個系統擴展氧化物項目的信任。我們共同將有前景的材料轉化為可靠的、工業相關的工藝。”</p>
</div><p>Bristol installs gallium oxide MOCVD system</p>
<div class="lb-trans"><p>布里斯托爾安裝氧化鎵 MOCVD 系統</p>
</div><p>Agnitron develops MOCVD capability for 10kV+ beta-phase gallium oxide switches</p>
<div class="lb-trans"><p>Agnitron 開發 10kV+ beta 相氧化鎵開關的 MOCVD 能力</p>
</div><p>AlNScAlN MOCVD</p>
<div class="lb-trans"><p>AlNScAlN MOCVD</p>
</div><p>www.ifw-dresden.de</p>
<div class="lb-trans"><p>www.ifw-dresden.de</p>
</div><p>www.agnitron.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.agnitron.com</p>
</div>

IFW 德累斯頓選擇了 Agnitron Agilis 100 MOCVD 平台，以進行前驅體化學和超寬帶隙材料的開發