AI 需求浪潮推動三星電子半導體部門今年有望創下歷史最佳業績，但這家全球最大存儲芯片製造商已開始為下一輪週期低谷未雨綢繆。
據知情人士透露，三星電子 DS（半導體）事業部管理層正與業務支持團隊共同研判全球存儲半導體市場或於 2028 年前後出現逆轉的可能性。
核心邏輯在於：隨着各大廠商持續擴產，到 2028 年前後，三星、SK 海力士與美光的產能將集體躍升至新量級，屆時供需平衡面臨重新洗牌的風險。
這一內部評估折射出存儲行業的深層矛盾——AI 基礎設施投資熱潮在拉動需求的同時，也令需求預測的不確定性大幅上升。過度投資一旦遭遇需求放緩，將以鉅額虧損的形式反噬，三星對此有過切身教訓。
<h2 style="text-align: left">AI 熱潮驅動 HBM 需求，今年擴產方向無爭議</h2>
當前，存儲市場正處於供不應求的景氣週期。英偉達、AMD、博通等大型科技公司對高帶寬內存（HBM）的需求旺盛，預計將延續至明年。三星電子與 SK 海力士的 DRAM 總銷售額中，HBM 佔比均已超過一半。
兩家公司將越來越多的產能分配至 HBM，導致面向智能手機、PC 及服務器的普通 DRAM 出現短缺。在此背景下，今年擴大 DRAM 與 HBM 供給的必要性在業內並無異議。
三星正在華城基地推進下一代 DRAM 製程轉換，並擴建新產線。業界預計，三星今年將繼續推進 10 納米第五代（1b）DRAM 製程轉換，同時以平澤工廠為核心，通過新產線擴建為 10 納米第六代（1c）DRAM 確保產能。SK 海力士則在利川、清州、龍仁等主要生產基地持續推進積極的投資計劃，新建的 M15X 工廠正在建設下一代 DRAM 產線。
<h2 style="text-align: left">2028 年產能集中釋放，供需逆轉風險浮現</h2>
市場擔憂的核心在於，全球主要存儲廠商的擴產計劃將在 2028 年前後同步落地。美光正在新加坡及美國擴建 DRAM 產線，並自去年起大規模下單採購設備以提升 HBM 供給能力。考慮到建設產線通常需要約兩年時間，從 2028 年起，三星、SK 海力士與美光的產能預計將整體躍升至新水平。
韓國政府主導的龍仁半導體集羣開發項目亦是重要變量。該集羣將成為韓國半導體產業的核心生產基地，基礎設施建設與工廠建造正分階段推進。業界認為，龍仁集羣第一期投資完成後，將啓動追加建廠與量產，並於 2028 年前後通過第二期投資進一步擴大產能。
NAND 閃存領域的供給壓力更為突出。與 DRAM 市場由三星、SK 海力士、美光三強主導不同，NAND 市場參與者更多，鎧俠及中國長江存儲均在持續擴充技術實力與產能。若當前擴產節奏持續，NAND 供給超過需求的時間點可能早於 DRAM。近年來 NAND 價格競爭已趨於激烈，三星與 SK 海力士均難以避免虧損壓力。
<h2 style="text-align: left">需求預測失靈，三星力求避免重蹈過度投資覆轍</h2>
此輪景氣週期的突然性，令業界對需求預測能力產生深刻反思。一位熟悉三星內部情況的人士表示，&#34;就在去年夏天，三星和 SK 海力士都無法預料到如今這種繁榮局面，這充分説明半導體市場狀況和投資計劃的預測已變得多麼困難。&#34;該人士補充稱，&#34;正因如此，三星業務支持團隊正在對投資決策進行審慎研判，力求與充分的市場驗證和預測相匹配。&#34;
分析人士指出，AI 熱潮過後，存儲需求呈現出不規律性，供給週期也在縮短，這使得準確判斷生產規模與所需投資變得愈發困難。三星面臨的挑戰在於，如何在持續推進下一代 HBM 產線及先進製程轉換的大規模投資的同時，為難以預測的需求放緩制定應急預案——在享受 AI 紅利的當下，為下一輪寒冬預留足夠的緩衝空間。

三星電子

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大廠的擴產計劃將在 2028 年前後同步落地，屆時全球產能將躍升至新量級，供需逆轉風險隱現。而過度投資一旦遭遇需求放緩，將以鉅額虧損的形式反噬，三星對此有過切身教訓。因此，三星啓動內部預警機制，在享受 AI 紅利的當下，提前為下一輪寒冬備好” 防寒衣”。

- 三星電子半導體部門預計今年創佳績，但需防範週期低谷風險。  
- 2028 年前，全球存儲市場或出現供需逆轉，產能將顯著提升。  
- 三星正審慎評估投資，力求避免因需求波動引發虧損。

AI 拉動業績創新高，三星卻開始擔心：存儲供需或在 2028 年逆轉？