<p>中國在半導體自給自足方面的推動正從廣泛的願景轉向對關鍵材料的精準打擊，光刻膠——這種對在硅晶圓上蝕刻微觀電路至關重要的光敏化學品——正成為新的戰場。根據國內主要光刻膠供應商徐州 B&amp;C 化學的董事長傅志偉的説法，該行業預計將在未來幾年進入 “加速突破和大規模應用” 的關鍵階段。傅志偉同時也是全國人民代表大會的代表，他在上週的 “兩會” 年度政治會議上告訴《南華早報》，公司計劃在五年內實現多種用於先進工藝的核心光刻膠材料的量產。這一評論標誌着中國在新的第十五個五年計劃下，擴大芯片自給自足努力的最新舉措，正值與美國在先進芯片製造領域的技術競爭加劇之際。光刻膠用於光刻和光刻蝕等工藝，以在表面形成圖案塗層，是芯片製造的關鍵原料。該材料按曝光波長分類，包括寬帶紫外線、G 線、I 線、KrF、ArF、EUV 和電子束類型。其中，KrF、ArF 和 EUV 是最先進的。傅志偉表示，隨着努力的增加，國內光刻膠領域正經歷從 “單點突破” 到 “系統發展” 的轉變。中國的第十五個五年計劃在 “兩會” 期間提出，呼籲 “精煉和強化成熟節點，提升先進工藝技術能力，加快關鍵設備、材料和組件的發展，推進高性能處理器和高密度存儲器的進展”。儘管中國在用於功率芯片和 LED 的老舊 G 線和 I 線光刻膠方面的自給自足率已超過 20%，但高端市場仍然被包括 JSR、東京應化、信越化學、富士膠片電子材料和杜邦在內的日本和美國公司主導。根據東興證券引用中國電子材料行業協會的數據，這些外國公司共同佔據了國內市場近 95% 的份額，KrF 和 ArF 光刻膠的本土化率分別低至 3% 和不到 1%。對於徐州 B&amp;C 化學來説，主要目標是在瓶頸領域實現關鍵突破——特別是 KrF 和 ArF 光刻膠。傅志偉表示：“我們將動員我們最強大的資源，全面進攻高端光刻膠的開發，以滿足更先進工藝節點的需求。” 他補充説，公司已實現全鏈條自主——涵蓋單體、樹脂、光酸和最終產品光刻膠。其 KrF 和 ArF 中高端產品已 “通過領先代工廠的驗證”，並開始規模化生產。該公司在江蘇省東部的徐州市設有生產設施，並在上海設有研發中心，是被視為中國在先進光刻膠領域實現自給自足的最佳希望之一。專注於 ArF 光刻膠的 Nata 光電材料在 2 月份表示，其年產能力為 50 噸，並能夠為其早期訂單保持穩定供應。該行業的其他競爭者包括上海新陽、紅大道和蘇州的晶瑞。大多數在入門級材料方面取得了進展，現在正瞄準高端市場的份額。</p>

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<p>中國正在加大半導體自給自足的努力，重點關注對芯片製造至關重要的光刻膠材料。徐州 B&C 化學的董事長傅志偉宣佈，計劃在五年內實現先進光刻膠的大規模生產，這是中國第十五個五年計劃的一部分。目前，外國公司主導着高端光刻膠市場，KrF 和 ArF 等先進類型的本土化率非常低。該公司旨在在這些領域取得突破，動員資源進行高端光刻膠的開發，因為該行業的競爭日益激烈</p>

<p>China’s push for semiconductor self-sufficiency is shifting from broad aspiration to a precision strike on chokepoint materials, with photoresist – the light-sensitive chemical essential for etching microscopic circuits onto silicon wafers – emerging as a new battlefield. The sector, which provides the key material for lithography, was expected to enter a critical stage of “accelerated breakthroughs and large-scale application” over the coming years, according to Fu Zhiwei, chairman of Xuzhou B&amp;C Chemical, a major domestic supplier of photoresist. Fu, also a deputy to the National People’s Congress, told the South China Morning Post during the “two sessions” annual political gathering last week that the company aimed to achieve mass production of several core photoresist materials used in advanced processes within five years. The comments mark the latest effort by China to expand the scope of its chip self-sufficiency drive under the new 15th five-year plan, amid an intensified tech race with the US in advanced chipmaking. Photoresist, used in processes such as photolithography and photoengraving to form patterned coatings on surfaces, is a key input in chip manufacturing. The material is classified by exposure wavelengths, including broadband UV, G-line, I-line, KrF, ArF, EUV, and electron beam types. KrF, ArF, and EUV are the most advanced. With increased efforts, the domestic field of photoresist was undergoing a transition from “single-point breakthroughs” to “systemic development”, Fu said. China’s 15th five-year plan, proposed during the “two sessions”, calls for efforts to “refine and strengthen mature nodes, enhance capabilities in advanced process technologies, accelerate development of key equipment, materials and components, and advance high-performance processors and high-density memory”. While China has achieved a self-sufficiency rate of more than 20 per cent in older G-line and I-line photoresist used for power chips and LEDs, the high-end market remains dominated by Japanese and US companies including JSR, Tokyo Ohka Kogyo, Shin-Etsu Chemical, Fujifilm Electronic Materials and DuPont. These foreign companies jointly accounted for nearly 95 per cent of the domestic market, with localisation rates for KrF and ArF photoresist as low as 3 per cent and less than 1 per cent, respectively, according to a Caitong Securities note citing data from the China Electronics Materials Industry Association. For Xuzhou B&amp;C Chemical, the primary objective was to achieve key breakthroughs in bottleneck areas – specifically KrF and ArF photoresist, according to Fu. “We will mobilise our most formidable resources to launch an all-out offensive in the development of high-end photoresist for more advanced process nodes,” he said. Fu said the company had achieved full-chain autonomy – spanning monomers, resins, photoacids, and end-product photoresist. Its KrF and ArF mid-to-high-end products had already “passed verification at leading foundries” and were beginning to scale up, he added. The company, with its research and development centre in Shanghai and production facilities in Xuzhou city, eastern Jiangsu province, is among a handful seen as China’s best hopes for achieving self-reliance in advanced photoresist. Nata Opto-electronic Material, which focuses on ArF photoresist, said in February that it had an annual production capacity of 50 tonnes and could maintain stable supply for its early-stage orders. Other competitors in the sector include Shanghai Sinyang, Red Avenue, and Suzhou-based Jingrui. Most have made progress in entry-level materials and are now eyeing a share of the high-end market.</p>
<div class="lb-trans"><p>中國在半導體自給自足方面的推動正從廣泛的願景轉向對關鍵材料的精準打擊，光刻膠——這種對在硅晶圓上蝕刻微觀電路至關重要的光敏化學品——正成為新的戰場。根據國內主要光刻膠供應商徐州 B&amp;C 化學的董事長傅志偉的説法，該行業預計將在未來幾年進入 “加速突破和大規模應用” 的關鍵階段。傅志偉同時也是全國人民代表大會的代表，他在上週的 “兩會” 年度政治會議上告訴《南華早報》，公司計劃在五年內實現多種用於先進工藝的核心光刻膠材料的量產。這一評論標誌着中國在新的第十五個五年計劃下，擴大芯片自給自足努力的最新舉措，正值與美國在先進芯片製造領域的技術競爭加劇之際。光刻膠用於光刻和光刻蝕等工藝，以在表面形成圖案塗層，是芯片製造的關鍵原料。該材料按曝光波長分類，包括寬帶紫外線、G 線、I 線、KrF、ArF、EUV 和電子束類型。其中，KrF、ArF 和 EUV 是最先進的。傅志偉表示，隨着努力的增加，國內光刻膠領域正經歷從 “單點突破” 到 “系統發展” 的轉變。中國的第十五個五年計劃在 “兩會” 期間提出，呼籲 “精煉和強化成熟節點，提升先進工藝技術能力，加快關鍵設備、材料和組件的發展，推進高性能處理器和高密度存儲器的進展”。儘管中國在用於功率芯片和 LED 的老舊 G 線和 I 線光刻膠方面的自給自足率已超過 20%，但高端市場仍然被包括 JSR、東京應化、信越化學、富士膠片電子材料和杜邦在內的日本和美國公司主導。根據東興證券引用中國電子材料行業協會的數據，這些外國公司共同佔據了國內市場近 95% 的份額，KrF 和 ArF 光刻膠的本土化率分別低至 3% 和不到 1%。對於徐州 B&amp;C 化學來説，主要目標是在瓶頸領域實現關鍵突破——特別是 KrF 和 ArF 光刻膠。傅志偉表示：“我們將動員我們最強大的資源，全面進攻高端光刻膠的開發，以滿足更先進工藝節點的需求。” 他補充説，公司已實現全鏈條自主——涵蓋單體、樹脂、光酸和最終產品光刻膠。其 KrF 和 ArF 中高端產品已 “通過領先代工廠的驗證”，並開始規模化生產。該公司在江蘇省東部的徐州市設有生產設施，並在上海設有研發中心，是被視為中國在先進光刻膠領域實現自給自足的最佳希望之一。專注於 ArF 光刻膠的 Nata 光電材料在 2 月份表示，其年產能力為 50 噸，並能夠為其早期訂單保持穩定供應。該行業的其他競爭者包括上海新陽、紅大道和蘇州的晶瑞。大多數在入門級材料方面取得了進展，現在正瞄準高端市場的份額。</p>
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精確打擊：中國針對美國和日本對光刻膠供應的壟斷