美光科技正在亞洲全面加速構建高帶寬內存（HBM）及下一代 DRAM 生產體系。從中國台灣銅鑼的雙廠擴建，到日本廣島萬億日元級別的新廠投資，再到印度古吉拉特邦封測基地的正式開幕，這家美國存儲芯片巨頭正以罕見的速度在亞洲多地同步推進產能佈局。美光於 3 月 15 日宣佈正式完成對力積電（PSMC）銅鑼 P5 廠區的收購，並同步披露將在同一園區啓動第二期建設計劃，新增約 27 萬平方英尺潔淨室空間，重點面向包括 HBM 在內的次世代 DRAM 生產，建設工作預計於 2026 財年末前啓動。據路透社報道，這一雙廠佈局標誌着美光在中國台灣的擴張進入新階段。與此同時，日本廣島工廠的擴建項目已於 3 月初進入土地開發階段，推進速度超出初期預期，總投資約 1.5 萬億日元，日本政府承諾提供最高 5360 億日元補貼；印度桑納德的首座先進封裝與測試工廠亦於 2 月 28 日正式開幕，滿產後可貢獻美光全球產出的約 10%。三地項目並行落地，折射出美光在 AI 存儲需求強勁增長背景下，通過跨地區多點佈局爭奪 HBM 市場份額、分散供應鏈風險的戰略邏輯。從建設啓動到產能爬坡橫跨多個財年，資本支出壓力與政府補貼的組合效應將是投資者持續關注的核心變量。<h2>銅鑼雙廠：收購落地，第二期建設提上日程</h2>據美光新聞稿，此次收購的銅鑼 P5 廠區現有約 30 萬平方英尺的 300 毫米晶圓潔淨室，公司計劃最早於 2028 財年支持大規模產品出貨，現有潔淨室的改造工程已於本月啓動。美光表示，該廠區將作為其台中垂直整合超級園區的延伸，兩處設施相距約 15 英里。據報道，美光在中國台灣的業務以台中為核心，並在林口設有附屬設施、在台南設有測試廠區。在完成收購的同時，美光披露了第二期擴建計劃：將在銅鑼園區內新建規模相近的第二座工廠，新增約 27 萬平方英尺潔淨室空間，建設工作預計不晚於 2026 財年末啓動，主要用於包括 HBM 在內的下一代 DRAM 生產。<h2>廣島加速：土地開發先行，千億補貼護航</h2>據雅虎日本援引廣島電視台報道，美光存儲日本廣島工廠西側地塊的土地開發工程已於 3 月初啓動，涉及面積約 9.5 公頃，現場施工標識顯示工期將持續至 2028 年 2 月。據上述報道援引的知情人士，美光計劃投資約 1.5 萬億日元，於 2029 財年前在廣島量產下一代 DRAM 及 AI 高性能內存，日本經濟產業省將提供最高 5360 億日元補貼。此前據日經新聞報道，美光原計劃於 2026 年 5 月在東廣島園區內正式破土動工，目標於 2028 年前後啓動 HBM 芯片出貨。近期日本媒體的報道顯示，該項目實際推進進度已超出初期預期。美光於 2 月 28 日在印度古吉拉特邦桑納德正式開幕首座先進封裝與測試（ATMP）工廠。據商業標準報報道，該工廠滿產後產能可達美光全球總產出的約 10%，面向印度國內及國際市場雙線供貨，是美光亞洲產能版圖中的重要新節點。

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美光科技近期完成收購中國台灣銅鑼廠區並啓動二期擴建，重點投向次世代 DRAM；同時，日本廣島萬億日元級新廠已提前進入土地開發階段，獲政府鉅額補貼；印度首座先進封測基地也正式開幕。三地項目並行落地，旨在通過垂直整合與分散風險，應對 AI 存儲需求的強勁增長，但也面臨跨財年資本支出的壓力。

- 美光科技在亞洲加速構建高帶寬內存及下一代 DRAM 生產體系。  
- 在台灣收購 P5 廠並啓動第二期建設，佈局新階段。  
- 日本廣島及印度工廠項目並行推進，政府補貼助力產能擴張。

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從印度到日本再到中國台灣，美光在亞洲打造 HBM 新基地