<p>新聞：微電子</p>
<p>Navitas 在 NVIDIA GTC 發佈 800V–6V DC–DC 電源傳輸板</p>
<p>Navitas Semiconductor Corp（美國加州託倫斯）——提供 GaNFast 氮化鎵（GaN）和 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半導體——宣佈其最新的 DC–DC 電源傳輸板（PDB），該板採用 GaNFast 技術，能夠在一個功率階段內直接將 800V 轉換為 6V。這消除了計算服務器托盤內傳統的 48V 中間總線轉換器（IBC）階段，最大化了系統效率、可靠性和寶貴的空間，為支持先進的 NVIDIA AI 基礎設施提供了簡單的電源傳輸解決方案。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/PR437-20kW.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/PR437-20kW.jpg"/></p>
<p>圍繞傳統 54V 機架電源分配構建的企業和雲架構，越來越無法支持未來加速計算平台所需的兆瓦機架密度。Navitas 表示，解決這些不斷上升的電力需求需要對數據中心電源架構進行根本性轉變。</p>
<p>NVIDIA 正在引領向 800VDC 數據中心電源基礎設施的過渡，而 Navitas 正在提供支持這一轉變的技術。Navitas 表示，其 800V–50V DC–DC 平台的推出在效率和功率密度方面是一次突破；然而，800V 到 50V 的轉換仍然需要一個額外的功率轉換階段，以供電壓調節模塊（VRM）使用，通常在 12V 或以下工作。</p>
<p>隨着 NVIDIA MGX 架構的發展，未來機架設計將用於高計算和功率密度系統，以提高 AI 性能，它們將需要直接的 800V 到 6V（或 12V）轉換，以最大化機架功率密度和整體效率。直接從 800V 轉換消除了 50V IBC 階段，減少了轉換損耗，釋放了寶貴的電路板空間，並提高了端到端系統效率。Navitas 的 6V 輸出架構通過將 VRM 轉換比率減半，提高了系統性能，相比其他已發佈的 PDB。</p>
<p>Navitas 的 800V–6V DC–DC PDB 旨在在滿載時提供高達 96.5% 的峯值效率，開關頻率為 1MHz，實現 2100W/in3 的功率密度。其超薄設計比手機薄約 20%，超低的高度允許與 GPU 板進行極其緊密的集成，最大化瞬態性能並增強電力分配效率。</p>
<h2>下一代 800V–6V DC–DC PDB 消除了 48V IBC 階段，提高了系統效率、可靠性並節省了 PCB 面積</h2>
<p>主側採用 16 個 650V GaNFast FET，採用最新的 DFN8x8 雙冷卻封裝，配置為堆疊全橋。中心抽頭輸出使用 25V 硅 MOSFET。1MHz 的開關頻率使得可以使用最小的被動元件和平面磁性元件，從而實現最大功率密度。</p>
<p>“憑藉我們行業領先的 800V 到 6V DC–DC PDB，Navitas 正在為數據中心電源架構設定新的基準，” 總裁兼首席執行官 Chris Allexandre 表示。“通過消除整個轉換階段，我們降低了系統成本和功率損耗，同時釋放了寶貴的電路板空間，使客户能夠將更多空間用於計算、內存和 GPU，從而為 AI 工作負載釋放最大性能，” 他補充道。“我們最新的基於 GaNFast 的解決方案展示了 Navitas 如何推動 AI 數據中心電源的邊界。”</p>
<p>該 PDB 將在美國加州聖荷西的 NVIDIA GPU 技術大會（GTC 2026）（3 月 16 日至 19 日）和德克薩斯州聖安東尼奧的 IEEE 應用電力電子會議（APEC 2026）（3 月 22 日至 26 日）展出，展位號為#2027。</p>
<p>Navitas 展示了針對 AI 數據中心、電網和能源基礎設施、高性能計算和工業電氣化的解決方案</p>
<p>Navitas 支持 NVIDIA 下一代 AI 工廠計算平台的 800VDC 電源架構</p>
<p>電力電子</p>
<p>www.nvidia.com/gtc</p>
<p>www.apec-conf.org</p>
<p>www.navitassemi.com</p>

納斯達克半導體 ETF - First Trust

費城交易所 半導體 ETF - iShares

標普半導體 ETF - SPDR

半導體 3 倍做多 - Direxion

NVTS

NXTG

半導體 ETF - VanEck Vectors

動態半導體 ETF - Invesco

<p>Navitas Semiconductor 在 NVIDIA GTC 上推出了一款 800V–6V 直流 - 直流電源傳輸板，採用 GaNFast 技術進行直接轉換，消除了對 48V 中間總線轉換器的需求。這一創新提升了系統的效率和可靠性，滿足了先進 AI 基礎設施的電力需求。該電源板的目標是達到 96.5% 的峯值效率和 2100W/in3 的功率密度，展示了數據中心電源架構的重大進展。該產品將在 NVIDIA GTC 和 IEEE APEC 2026 上展出</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新聞：微電子</p>
</div><p>Navitas debuts 800V–6V DC–DC power delivery board at NVIDIA GTC</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 在 NVIDIA GTC 發佈 800V–6V DC–DC 電源傳輸板</p>
</div><p>Navitas Semiconductor Corp of Torrance, CA, USA — which provides GaNFast gallium nitride (GaN) and GeneSiC silicon carbide (SiC) power semiconductors — has announced its latest DC–DC power delivery board (PDB) powered by GaNFast technology, enabling direct conversion from 800V to 6V in one power stage. This eliminates the traditional 48V intermediate bus converter (IBC) stage within the compute server trays, maximizing system efficiency, reliability and valuable real-estate, to deliver a simple power delivery solution to support advanced NVIDIA AI infrastructure.</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas Semiconductor Corp（美國加州託倫斯）——提供 GaNFast 氮化鎵（GaN）和 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半導體——宣佈其最新的 DC–DC 電源傳輸板（PDB），該板採用 GaNFast 技術，能夠在一個功率階段內直接將 800V 轉換為 6V。這消除了計算服務器托盤內傳統的 48V 中間總線轉換器（IBC）階段，最大化了系統效率、可靠性和寶貴的空間，為支持先進的 NVIDIA AI 基礎設施提供了簡單的電源傳輸解決方案。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/PR437-20kW.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/PR437-20kW.jpg"/></p>
<p>Traditional enterprise and cloud architectures built around legacy 54V in-rack power distribution are increasingly unable to support the megawatt rack densities demanded by future accelerated computing platforms. Addressing these escalating power requirements requires a fundamental shift in data-center power architecture, says Navitas.</p>
<div class="lb-trans"><p>圍繞傳統 54V 機架電源分配構建的企業和雲架構，越來越無法支持未來加速計算平台所需的兆瓦機架密度。Navitas 表示，解決這些不斷上升的電力需求需要對數據中心電源架構進行根本性轉變。</p>
</div><p>NVIDIA is leading the transition to 800VDC data-center power infrastructure, and Navitas is delivering the technologies to support this shift. Navitas says that its 800V–50V DC–DC platform introduction was a breakthrough in efficiency and power density; however, 800V to 50V conversion still required one more power conversion stage to deliver to voltage regulator modules (VRM), which typically operated at 12V or below.</p>
<div class="lb-trans"><p>NVIDIA 正在引領向 800VDC 數據中心電源基礎設施的過渡，而 Navitas 正在提供支持這一轉變的技術。Navitas 表示，其 800V–50V DC–DC 平台的推出在效率和功率密度方面是一次突破；然而，800V 到 50V 的轉換仍然需要一個額外的功率轉換階段，以供電壓調節模塊（VRM）使用，通常在 12V 或以下工作。</p>
</div><p>As NVIDIA MGX architecture evolves with the future rack design for high compute and power-density systems for greater AI performance, they will require direct 800V-to-6V (or 12V) conversion to maximize rack power density and overall efficiency. Converting directly from 800V eliminates the 50V IBC stage, reducing conversion losses, freeing valuable board space, and improving end-to-end system efficiency. Navitas’s 6V output architecture improves system performance versus other already released PDBs by cutting the VRM conversion ratio in half.</p>
<div class="lb-trans"><p>隨着 NVIDIA MGX 架構的發展，未來機架設計將用於高計算和功率密度系統，以提高 AI 性能，它們將需要直接的 800V 到 6V（或 12V）轉換，以最大化機架功率密度和整體效率。直接從 800V 轉換消除了 50V IBC 階段，減少了轉換損耗，釋放了寶貴的電路板空間，並提高了端到端系統效率。Navitas 的 6V 輸出架構通過將 VRM 轉換比率減半，提高了系統性能，相比其他已發佈的 PDB。</p>
</div><p>Navitas’s 800V–6V DC–DC PDB aims to deliver up to 96.5% peak efficiency at full load with 1MHz switching frequency, enabling a power density of 2100W/in3. About 20% thinner than a mobile phone, its ultra-low profile allows for extremely close integration with the GPU board, maximizing transient performance and enhancing power distribution efficiency.</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 的 800V–6V DC–DC PDB 旨在在滿載時提供高達 96.5% 的峯值效率，開關頻率為 1MHz，實現 2100W/in3 的功率密度。其超薄設計比手機薄約 20%，超低的高度允許與 GPU 板進行極其緊密的集成，最大化瞬態性能並增強電力分配效率。</p>
</div><h2>Next-gen 800V–6V DC–DC PDB eliminates the 48V IBC stage, increasing system efficiency, reliability and saving PCB area</h2>
<div class="lb-trans"><h2>下一代 800V–6V DC–DC PDB 消除了 48V IBC 階段，提高了系統效率、可靠性並節省了 PCB 面積</h2>
</div><p>The primary side employs 16 x 650V GaNFast FETs in the latest DFN8x8 dual-cooled package, configured in a stacked full-bridge. Center-tapped outputs use 25V silicon MOSFETs. 1MHz switching enables the use of the smallest passives and planar magnetics, delivering maximum power density.</p>
<div class="lb-trans"><p>主側採用 16 個 650V GaNFast FET，採用最新的 DFN8x8 雙冷卻封裝，配置為堆疊全橋。中心抽頭輸出使用 25V 硅 MOSFET。1MHz 的開關頻率使得可以使用最小的被動元件和平面磁性元件，從而實現最大功率密度。</p>
</div><p>“With our industry-leading 800V-to-6V DC–DC PDB, Navitas is setting a new benchmark for data-center power architectures,” says president &amp; CEO Chris Allexandre. “By eliminating an entire conversion stage, we lower system cost and power losses while freeing up valuable board space, enabling customers to dedicate more real-estate to compute, memory and GPUs and to unlock maximum performance for AI workloads,” he adds. “Our latest GaNFast-based solution shows how Navitas is pushing the boundaries of AI data-center power.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“憑藉我們行業領先的 800V 到 6V DC–DC PDB，Navitas 正在為數據中心電源架構設定新的基準，” 總裁兼首席執行官 Chris Allexandre 表示。“通過消除整個轉換階段，我們降低了系統成本和功率損耗，同時釋放了寶貴的電路板空間，使客户能夠將更多空間用於計算、內存和 GPU，從而為 AI 工作負載釋放最大性能，” 他補充道。“我們最新的基於 GaNFast 的解決方案展示了 Navitas 如何推動 AI 數據中心電源的邊界。”</p>
</div><p>The PDB is being showcased at NVIDIA’s GPU Technology Conference (GTC 2026) in San Jose, CA, USA (16–19 March) and also in booth #2027 at the IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC 2026) in San Antonio, Texas (22–26 March).</p>
<div class="lb-trans"><p>該 PDB 將在美國加州聖荷西的 NVIDIA GPU 技術大會（GTC 2026）（3 月 16 日至 19 日）和德克薩斯州聖安東尼奧的 IEEE 應用電力電子會議（APEC 2026）（3 月 22 日至 26 日）展出，展位號為#2027。</p>
</div><p>Navitas exhibiting solutions for AI data-center, grid and energy infrastructure, performance computing, and industrial electrification</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 展示了針對 AI 數據中心、電網和能源基礎設施、高性能計算和工業電氣化的解決方案</p>
</div><p>Navitas supporting 800VDC power architecture for NVIDIA’s next-gen AI factory computing platforms</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 支持 NVIDIA 下一代 AI 工廠計算平台的 800VDC 電源架構</p>
</div><p>Power electronics</p>
<div class="lb-trans"><p>電力電子</p>
</div><p>www.nvidia.com/gtc</p>
<div class="lb-trans"><p>www.nvidia.com/gtc</p>
</div><p>www.apec-conf.org</p>
<div class="lb-trans"><p>www.apec-conf.org</p>
</div><p>www.navitassemi.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.navitassemi.com</p>
</div>

Navitas 在 NVIDIA GTC 大會上發佈 800V–6V DC–DC 電源傳輸板