美光資本支出遠超預期，亮眼營收指引難掩投資者憂慮。據華爾街見聞，3 月 18 日週三，美光發佈季報，預計第三財季營收約 335 億美元，每股利潤約 19.15 美元，均大幅超出分析師預期。然而，公司同時披露本財年資本支出將超過 250 億美元，並預告 2027 財年支出將在此基礎上再增逾 100 億美元，雙雙超出市場預期。報告公佈後，美光股價盤後一度下跌 6%。分析認為本次財報後的股價回調，更多反映的是市場對高估值與高資本開支組合下盈利可持續性的重新審視。在此之前，美光今年已累計上漲 62%，是費城半導體指數中表現最佳的個股。業績遠超預期，但資本開支更超預期美光預計截至今年 8 月的 2026 財年，資本支出將超過 250 億美元，而此前分析師的平均預期為 224 億美元。公司還披露，2027 財年資本支出將繼續增加逾 100 億美元。首席執行官 Sanjay Mehrotra 在電話會議上表示：我們預計 2027 財年資本支出將大幅提升。相比之下，業績本身確實堪稱亮眼。第三財季營收指引約 335 億美元，分析師此前平均預期為 237 億美元；每股利潤指引約 19.15 美元，分析師預期為 11.29 美元——兩項指標的超預期幅度均超過 40%。剛剛結束的第二財季（截至 2 月 26 日）同樣強勁，營收近乎翻三倍至 239 億美元，每股盈利 12.20 美元，分別高於分析師平均預期的 197 億美元和 9 美元。HBM4 量產進展與英偉達依賴成關鍵變量在 AI 存儲的下一代競爭中，美光正積極推進新一代高帶寬內存 HBM4 的量產爬坡。上月，首席財務官 Mark Murphy 在投資者溝通中明確表示公司已實現 HBM4 大規模量產，消息提振股價一度大幅上漲。然而，一個關鍵的不確定性懸而未決：英偉達將在多大程度上依賴美光供應 HBM4。英偉達是 AI 加速芯片市場的主導廠商，其新一代 Vera Rubin 產品線的存儲採購決策，將直接影響美光在 HBM 市場的份額。若英偉達在該產品線上轉而傾向競爭對手，將對美光構成實質性衝擊。在此背景下，今年以來美光股價已累計上漲 62%，是費城半導體指數中表現最佳的成分股。（費城半導體指數中年初至今表現前三的成分股）AI 存儲需求驅動漲價，高帶寬內存成核心戰場美光業績的爆發，根植於全球 AI 算力投資浪潮所催生的存儲芯片短缺。高帶寬內存（HBM）是訓練和運行 AI 模型所必需的數據傳輸組件，需求急劇膨脹促使包括美光在內的存儲廠商將更多產能向利潤率更高的 HBM 訂單傾斜，進而加劇了普通存儲芯片的供應緊張，推動整體價格上漲。全球存儲芯片市場高度集中，僅由美光、三星電子和 SK 海力士三家主導，分析人士預計強勁需求將延續數年。SK 集團董事長崔泰源本週表示，由於半導體生產領域的結構性瓶頸，全球存儲短缺局面可能再持續四至五年。據國際數據公司（IDC）預測，受存儲危機影響，智能手機出貨量今年將收縮 13%。
