美光科技正尋求在 AI 內存領域開闢新賽道——將圖形內存（GDDR）像高帶寬內存（HBM）一樣垂直堆疊，以填補 HBM 與普通 GDDR 之間的市場空白。
據韓國電子新聞（ETNews）報道，美光已啓動 GDDR 垂直堆疊新產品的開發工作，計劃於今年下半年完成相關設備部署並進入工藝測試階段。
初期預計實現約四層的 GDDR 堆疊，最快明年推出樣品。這一佈局早於三星電子和 SK 海力士，有望令美光在這一新興細分市場搶佔先機。
此舉的背景是 AI 應用場景持續擴展帶動內存需求加速分化。GDDR 憑藉成本優勢，正被越來越多地應用於 AI 推理加速器，但其帶寬瓶頸限制了進一步滲透。通過堆疊技術提升 GDDR 的性能，或將為這一市場打開新的增長空間。
<h2 style="text-align: left">GDDR 堆疊：定位 HBM 與普通內存之間的價格帶</h2>
GDDR 是一種專為視頻處理和 3D 圖形渲染優化的內存，長期以來主要應用於顯卡和遊戲設備。與 HBM 相比，GDDR 帶寬較低，但價格更具競爭力，近年來已開始進入部分 AI 加速器。
美光此次開發的堆疊 GDDR 產品，目標是打造一款性能介於 HBM 與普通 GDDR 之間的新品——帶寬優於現有 GDDR，但成本低於 HBM。該產品規格目前已在與 AI 加速器等客户的需求對接中進行討論，市場方向明確指向客户定製需求。
分析人士認為，堆疊 GDDR 將佔據 HBM 與非堆疊 GDDR 之間的中間市場，同時也有望在持續增長的高性能遊戲顯卡領域獲得可觀需求。AI 市場規模擴大推動了多元化產品需求——英偉達在推理專用芯片中採用 SRAM，正是這一趨勢的典型案例。
<h2 style="text-align: left">技術壁壘與成本控制是量產關鍵</h2>
儘管市場前景受到關注，GDDR 堆疊技術目前仍處於早期階段，此前僅見於學術論文和前沿技術研究，尚無量產先例。
業界指出，美光面臨多項技術挑戰，包括 GDDR 芯片間的堆疊互聯方式、功耗管理及散熱控制等。在成本層面，堆疊工藝引入的額外製造費用同樣不可忽視——若無法相對於 HBM 保持足夠的性價比優勢，產品的市場競爭力將大打折扣。
一位行業人士表示：
<blockquote>
&#34;過去，除技術問題外，GDDR 堆疊的市場定位模糊，是其商業化遲遲未能推進的重要原因。隨着 AI 內存市場格局演變，GDDR 堆疊的必要性開始凸顯，美光此次嘗試有望成為新一輪內存堆疊競賽的起點。&#34;
</blockquote>
<h2 style="text-align: left">搶跑三星與 SK 海力士，佈局新興細分賽道</h2>
美光此次入局 GDDR 堆疊，具有明顯的先發戰略意圖。目前三星電子和 SK 海力士尚未公開宣佈類似計劃，美光若能率先實現技術突破並完成商業化，將在這一細分領域建立競爭壁壘。
從市場規模來看，堆疊 GDDR 當前仍屬於利基市場。但隨着 AI 推理應用的持續普及以及多樣化加速器硬件需求的增長，其潛在空間不容小覷。
美光顯然已將這一判斷納入產品戰略，選擇在市場格局尚未明朗之際率先落子。

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美光正尋求將圖形內存（GDDR）像高帶寬內存（HBM）一樣垂直堆疊，以填補 HBM 與普通 GDDR 之間的市場空白。美光已啓動新品研發工作，計劃今年下半年進入工藝測試，最快明年推出樣品。這一佈局早於三星電子和 SK 海力士，有望令美光在這一新興細分市場搶佔先機。

- 美光科技推進 GDDR 垂直堆疊開發，計劃於下半年進入工藝測試階段。  
- 此舉旨在填補 HBM 與普通 GDDR 之間的市場空白，搶佔 AI 內存需求增長機遇。  
- 面臨技術和成本挑戰，美光已尋求建立競爭壁壘，佈局新興細分市場。

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