三星正全力推進半導體先進製程戰略，2 納米良率已升至 60% 以上，並將 2030 年導入 1 納米制程列為下一階段目標，力圖在高端晶圓代工市場縮小與台積電的差距。
據韓國《韓國經濟》援引消息人士報道，三星晶圓代工部門已明確將 1 納米制程的導入時間定為 2030 年，屆時將引入叉片（forksheet）全新架構技術。與此同時，該公司 2 納米制程良率最高已超過 60%，生產效率顯著改善，外界普遍預期其晶圓代工業務有望在今年實現盈利。
良率的突破直接提振了市場對三星代工業務的信心。報道同時披露，三星已為特斯拉 2 納米 AI 芯片&#34;AI6&#34;開發定製工藝 SF2T，預計 2027 年在德克薩斯州 Taylor 新晶圓廠正式量產，進一步夯實其高端客户陣容。
與此同時，台積電、Rapidus 等主要晶圓代工廠商也在加速推進各自的 1 納米技術路線圖，全球先進製程競爭格局持續升温。
<h2>2 納米良率改善，代工盈利預期增強</h2>
根據《韓國經濟》援引的消息人士，三星 2 納米制程良率目前最高已超過 60%，生產效率的大幅改善被認為是支撐代工業務今年扭虧為盈的關鍵因素。良率提升意味着每片晶圓產出的可用芯片數量增加，直接壓縮單位成本，並顯著增強了三星在競爭激烈的代工市場中的議價能力。
為進一步鞏固客户基礎，三星正積極擴展 2 納米制程的變體陣容。三星正為特斯拉 2 納米 AI 芯片&#34;AI6&#34;量身定製 SF2T 工藝，量產計劃於 2027 年在德克薩斯州 Taylor 工廠落地。
在其他變體方面，SF2P 工藝計劃自 2026 年起應用於三星 System LSI 部門的下一代智能手機應用處理器（AP）；性能進一步強化的 SF2P+ 則預計於 2027 年投入使用。通過構建面向不同應用場景的工藝變體矩陣，三星旨在覆蓋從移動計算到 AI 推理的多元需求，增強對主要客户的吸引力。
<h2>邁向 1 納米：叉片架構成關鍵技術支撐</h2>
在 1 納米技術路線上，三星計劃引入叉片（forksheet）架構，以突破現有全環柵極（GAA）技術的物理極限。GAA 技術通過讓電流沿晶體管溝道四側流動，相較傳統三側方案有效提升了功耗效率，已被三星應用於 2 納米制程。
叉片架構在此基礎上進一步壓縮 GAA 晶體管之間的間距——通過在晶體管之間引入絕緣隔離牆，類似將房屋間的空隙替換為實體隔斷，從而在相同芯片面積內容納更多晶體管，實現更高集成密度。值得注意的是，據報道台積電同樣計劃在其 2030 年後的 1 納米制程中採用叉片結構，這意味着三星有望在關鍵技術路線上與行業龍頭實現更為對等的競爭。
<h2>全球 1 納米競賽升温，台積電與 Rapidus 加速佈局</h2>
三星並非唯一押注 1 納米技術的晶圓代工廠商。據《日經 XTech》報道，Rapidus 首席技術官 Kazunari Ishimaru 表示，公司目標是在 1 納米節點將與台積電的技術差距縮短至約六個月。Rapidus 計劃於 2026 年啓動 1.4 納米半導體制造技術的研發，量產目標定在 2029 年前後。
台積電方面進度則更為領先。台積電 1 納米制程有望率先在中部科學園區落地，首座晶圓廠預計最快於 2027 年底完成試產，並於 2028 年下半年轉入量產。若台積電時間表如期推進，將較三星領先約兩年。不過，隨着三星 2 納米良率持續改善、1 納米路線圖趨於清晰，其追趕台積電的戰略輪廓已愈發明朗。

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三星 2 納米良率突破 60%，助力晶圓代工業務扭虧為盈。公司計劃 2027 年為特斯拉量產 AI 芯片，並定下 2030 年導入 1 納米制程的目標，屆時將啓用 “叉片” 架構。面對台積電與 Rapidus 的激烈競爭，三星正通過優化工藝變體全力追趕。

- 三星半導體推進 2 納米良率升至 60%，目標 2030 年導入 1 納米制程。  
- 為特斯拉開發 2 納米 AI 芯片，預計 2027 年量產於德州新廠。  
- 全球一納米競爭升温，台積電與 Rapidus 加速佈局，市場格局持續變化。

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三星推進先進製程工藝：2 納米良率突破 60%，目標 2030 年實現 1 納米