當 AI 從&#34;生成&#34;走向&#34;自主行動&#34;，算力的瓶頸可能將從 GPU 轉移到內存。
據韓國《亞洲經濟》等當地媒體報道，被業界譽為&#34;HBM 之父&#34;的韓國科學技術院（KAIST）教授 Joungho Kim 近日發出預言：當前由英偉達主導的 GPU 中心化 AI 架構，終將被以內存為核心的新架構所取代。
這一判斷的背後，是 AI 應用形態的根本性轉變。從生成式 AI 邁向智能體 AI（Agentic AI），系統需要同時處理海量文檔、視頻及多模態數據——Kim 將這一趨勢稱為&#34;上下文工程&#34;（context engineering）的崛起。他指出，為保障速度與精度，內存帶寬和容量必須提升最高1000 倍。
數字更為驚人的是需求端：據 Money Today Broadcasting 早前引述 Kim 的説法，輸入規模若擴大 100 至 1000 倍，內存需求可能呈指數級躍升，總量膨脹幅度或高達100 萬倍。
<h2 style="text-align: left">HBM 將觸及天花板，HBF 接棒</h2>
Kim 明確表示，現有 HBM 技術——通過垂直堆疊 DRAM 實現超高速傳輸，目前主導 AI 加速器內存市場——在智能體 AI 時代將難以為繼。
他提出的下一代解決方案是HBF（High Bandwidth Flash，高帶寬閃存）：以堆疊 NAND 替代 DRAM，構建一個&#34;巨型書架式&#34;長期記憶體，容量遠超現有上限。
類比來看，HBM 更像是桌面上的便籤紙——速度快但容量有限；HBF 則像是一整面書牆，能存放的信息量級完全不同。
在架構層面，SK 海力士已在 IEEE 發表的論文中提出&#34;H3&#34;架構——據《韓國經濟》2 月報道，該架構將 HBM 與 HBF 並排部署於 GPU 旁側，而非現有設計中僅有 HBM 緊鄰處理器。這意味着 GPU 的角色將從&#34;主角&#34;退化為&#34;配角&#34;，計算單元被嵌入以內存為主體的系統之中。
時間表已逐漸清晰。
據 Kim 的預測，HBF 工程樣品預計將於 2027 年前後出現，谷歌、英偉達或 AMD 最早可能在 2028 年採用該技術。
這一節奏與 HBM 當年從實驗室走向大規模商用的路徑高度相似，也意味着產業窗口期已經開啓。
<h2 style="text-align: left">SK 海力士與三星，再度正面交鋒</h2>
Kim 同時指出，HBF 領域的競爭格局將復刻 HBM 時代的劇本——SK 海力士與三星電子再度成為主角。
目前，SK 海力士已於今年 2 月聯合閃迪成立 HBF 標準化聯盟，意在搶佔生態系統主導權。三星則一方面持續推進 HBM4E 等下一代 HBM 產品，另一方面同步投入與 HBF 概念相符的 NAND 架構研發，據 Aju News 報道。
兩家巨頭的佈局路徑不同，但目標指向同一個賽道。誰能率先完成從標準制定到量產交付的閉環，將在很大程度上決定下一輪 AI 內存市場的格局。

半導體 3 倍做多 - Direxion

三星電子

納斯達克半導體 ETF - First Trust

英偉達

半導體 ETF - VanEck Vectors

標普半導體 ETF - SPDR

SOXQ

費城交易所 半導體 ETF - iShares

“HBM 之父” 預言，AI 架構將從 GPU 中心轉向內存中心——智能體 AI 時代的內存需求可能膨脹 100 萬倍，現有 HBM 技術將觸及天花板，以堆疊 NAND 為基礎的新一代 HBF 技術有望於 2027 年出現工程樣品、2028 年被谷歌或英偉達採用。SK 海力士已聯手閃迪搶跑標準制定，三星同步佈局。

- AI 自主行動可能導致算力瓶頸從 GPU 轉向內存。
- 韓國科學技術院教授 Kim 預言 HBM 技術將在智能體 AI 時代被 HBF 替代。
- SK 海力士與三星在 HBF 領域的競爭將影響未來 AI 內存市場。

“HBM 之父” 預言 AI 架構顛覆：內存將取代 GPU 成為核心