全球存儲芯片市場正經歷一輪罕見的超級週期。在 HBM 銷售強勁、DRAM 及 NAND 價格大幅飆升的驅動下，三星電子和 SK 海力士第一季度營業利潤預計將雙雙創下歷史新高，且幅度接近此前紀錄的兩倍。
據 TrendForce 數據，Q1 DRAM 及 NAND Flash 合同價格環比分別上漲 90% 至 95% 和 55% 至 60%。預計 Q2 漲勢延續。
據賣方機構預測，三星電子 Q1 營業利潤估計達 40 萬億至 45 萬億韓元，SK 海力士則為 36 萬億至 39 萬億韓元。兩家公司此前的單季營業利潤紀錄均創於去年第四季度，若賣方預測準確，兩家公司將同步刷新紀錄，新高約為舊高的兩倍。
在全球範圍內能達到這一量級的企業屈指可數，僅包括英偉達、蘋果、Alphabet、微軟及沙特阿美等少數巨頭。
三星電子業績預告將於4 月 7 日（韓國時間）披露，SK 海力士財報電話會議定於4 月 23 日舉行，三星電話會議則安排在4 月 30 日。
<h2 style="text-align: left">價格暴漲：DRAM 合同價單季漲幅近翻番</h2>
存儲芯片價格的飆升是本輪盈利爆發的直接推手。
據 TrendForce 數據，Q1 DRAM 及 NAND Flash 合同價格環比分別上漲 90% 至 95% 和 55% 至 60%。更值得關注的是，TrendForce 預測 Q2 漲勢將延續，DRAM 合同價有望再漲 58% 至 63%，NAND Flash 則為 70% 至 75%。
這一趨勢在美光上月發佈的財報中已有先兆。其 2026 財年第二季度（2025 年 12 月至 2026 年 2 月）營收達 238.6 億美元，較公司自身指引 18.7 億美元高出 27%；非 GAAP 營業利潤 165 億美元，超指引預期約 46%。
<h2 style="text-align: left">供給瓶頸：新產能最早 2027 年末方能釋放</h2>
供應端的結構性緊缺是推動此輪漲價的根本原因。業內預計，當前新建無塵室產能最早要到 2027 年末至 2028 年才能實際轉化為有效供給。
在此背景下，AI 雲服務提供商正積極與存儲廠商簽訂 5 年期長期採購協議以鎖定貨量，大宗存儲市場供應短缺局面預計將持續。
行業內部人士指出，存儲行業中長期的關鍵變量在於：谷歌 TurboQuant 等存儲效率技術能否切實壓縮服務器採購量，以及雲數據中心企業能否維持當前的資本開支節奏。
IDC 分析師 Jitesh Ubrani 亦表示，&#34;存儲短缺將持續至 2027 年。即便價格從 2028 年起有所回落，也不會回到 2025 年的水平。&#34;
<h2 style="text-align: left">下游承壓：智能手機出貨量預計下滑逾 12%</h2>
價格暴漲的代價正由下游消費電子產業承擔。
IDC 預測，受存儲成本壓力拖累，今年全球智能手機出貨量將下降 12.9%，PC 出貨量將下滑 11.3%，並以&#34;海嘯級別&#34;形容此次衝擊。
存儲價格已高至原始設備製造商主動下調產品規格、甚至全面砍掉入門級產品線的程度。顯示面板廠商據報道也已因此下調全年出貨目標。
對於存儲芯片大廠而言，利潤創紀錄的另一面，是其客户承受壓力的持續累積。隨着供需失衡局面向產業鏈下游延伸，這場存儲超級週期對整體消費電子市場的結構性影響，或將成為投資者需要持續關注的風險變量。

半導體 3 倍做多 - Direxion

南方兩倍做多三星

XL二南三星-U

三星電子

半導體 ETF - VanEck Vectors

標普半導體 ETF - SPDR

動態半導體 ETF - Invesco

Q1 DRAM 及 NAND 合同價格環比分別上漲 90% 至 95% 和 55% 至 60%，預計 Q2 漲勢延續。分析師預計，三星電子 Q1 營業利潤達 40 萬億至 45 萬億韓元，SK 海力士達 36 萬億至 39 萬億韓元，相較去年四季度兩家公司創紀錄的單季利潤再度翻倍。內存供給持續緊張，新產能最早 2027 年末方能釋放。

- 全球存儲芯片市場經歷罕見超級週期，價格大幅上漲。  
- 三星和 SK 海力士 Q1 營業利潤創歷史新高，預計達 40 萬億至 45 萬億韓元和 36 萬億至 39 萬億韓元。  
- IDC 預測全球智能手機出貨量將下滑 12.9%，顯示行業承壓。

DRAM 價格翻番，三星和 SK 海力士 Q1 利潤也有望翻番！