<div id="readability-page-1">內存模組廠創見董事長束崇萬表示，當前 DRAM 與 NAND 閃存市場處於嚴重缺貨狀態，AI 需求激增是主因，預計今年內供應緊張局面難以緩解。 束崇萬週三在投資者交流會上指出，今年第二季 DDR5 價格較第一季上漲 40%-50%，且採購需求仍無法完全滿足。 他強調，市場傳言內存價格出現鬆動，與三星、美光等製造商的實際供應狀況不符，目前供給缺口大，客户幾乎每天都在催貨。 束崇萬明確表示，&#34;DDR4 供給缺口越來越大，閃存供給缺口也肯定會越來越大&#34;。面對供應短缺，創見已採取選擇性支持客户的策略，無法滿足所有客户需求。對於依賴內存模組供應的下游廠商而言，採購壓力將持續累積。 <h2 id="40d47555">擴產難以短期兑現，供應端改善遙遙無期</h2> 儘管市場流傳部分供應商擴產的消息，束崇萬認為這不足以緩解近期供需矛盾。 他指出，三星、美光、海力士等主要 DRAM 廠商在未來一年內難以完成擴產，原因在於建廠週期較長——三星曾表示建廠至少需要兩年，而部分關鍵設備的訂單交貨週期已長達一年半。這意味着歐美製造商短期內增產的可能性極低。 對於中國內存廠商的擴產計劃，束崇萬表示，預計今年內難以實現，明年產能能否真正釋放，市場傳言眾多，但&#34;真實性難以判斷&#34;。他綜合供應商提供的信息判斷，今年 DRAM 與 NAND 閃存的缺貨狀況均難以改善。 <h2 id="ai">AI 與邊緣計算疊加需求，內存爭奪全面升温</h2> 束崇萬將此輪極端缺貨的根本原因歸結於 AI 需求的急劇擴張。 他表示，AI 的崛起使得任何搭載 CPU 的設備都必然需要 DRAM 與閃存，同時邊緣 AI 與自動化設備也在爭奪內存資源，導致全面性的搶貨現象。他認為，DRAM 與閃存自去年 9 月起進入極端缺貨狀態，AI 需求是關鍵驅動因素。 工業自動化和嵌入式應用的內存需求也在逐步增加，進一步加劇供需矛盾。對於通過技術手段降低內存需求的可能性，束崇萬認為效果有限，並指出 HBF 技術的推出將增加而非取代對閃存的需求，且其應用場景與 HBM 不同。 <h2 id="mlc">MLC 產品供應收緊，創見提前完成最後採購</h2> 在 NAND 閃存產品結構方面，束崇萬披露，創見目前產品組合中 SLC 已無人使用，MLC 約佔 10%，TLC 約佔 90%。 值得關注的是，MLC 的主要供應商 Kioxia 與 SanDisk 已相繼宣佈退出或停產 MLC 產品，預計將使該細分市場供應更趨緊張。 對此，創見已提前應對。束崇萬表示，公司去年已針對工業應用的 MLC 產品完成&#34;最後一次採購&#34;，向三星、SanDisk 等製造商鎖定了足以滿足至今年底需求的庫存，確保現有客户供應不受影響。 <h2 id="650a002b">堅守制造商直採模式，不參與現貨市場投機</h2> 在採購策略上，束崇萬強調，創見的經營模式幾乎只與製造商直接交易，不參與價格波動劇烈的現貨市場，以規避次級品、水貨及降級品的風險。 他指出，與製造商交易雖然價格同樣上漲，但供應更為穩定，且價格調整週期較長，為每月或每季度，而非每日波動。 束崇萬同時表示，公司與供應商簽有長期協議，但在極端缺貨環境下，即便如此也無法保證完全滿足供應。他明確表示不認同賺取投機性利潤，未來將持續專注於提升服務價值、生產效率和管理績效。 面對供應壓力，下游客户已普遍採取降規格應對策略，例如將 16GB 內存改為 8GB，或將 256GB 存儲縮減為 128GB，以控制採購成本。風險提示及免責條款 市場有風險，投資需謹慎。本文不構成個人投資建議，也未考慮到個別用户特殊的投資目標、財務狀況或需要。用户應考慮本文中的任何意見、觀點或結論是否符合其特定狀況。據此投資，責任自負。</div>

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漲價潮來襲，半導體股集體起飛

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創見董事長束崇萬表示，當前 DRAM 與 NAND 閃存市場嚴重缺貨，主要因 AI 需求激增，預計今年內供應緊張局面難以緩解。第二季 DDR5 價格較第一季上漲 40%-50%，採購需求無法完全滿足。儘管有擴產傳言，主要 DRAM 廠商在未來一年內難以完成擴產，供給缺口將持續。束崇萬指出，AI 與邊緣計算的需求疊加，導致內存爭奪加劇，供需矛盾進一步加深。

- 創見董事長束崇萬表示，內存市場因 AI 需求激增而嚴重缺貨。  
- 預計供應緊張局面難以緩解，今年內 DRAM、NAND 閃存供給缺口將持續。  
- 下游廠商面臨採購壓力，已採取降規格應對策略以控制成本。

傳言內存降價與實際供應情況不符！創見董事長：內存缺貨嚴重，今年難以緩解