
存儲新紀元?HBF 商業化衝刺:閃迪擬下半年建試點線,明年量產

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閃迪加速推進高帶寬閃存(HBF)商業化,計劃於 2026 年下半年建成試產線,2027 年實現量產。該技術通過在 NAND 閃存中引入 TSV 堆疊封裝,可提供約 10 倍於 HBM 的存儲容量。得益於 HBM 積累的經驗,HBF 的商業化週期預計將遠短於 HBM 的開發歷程。目前,SK 海力士與三星已同步入局。
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