<p>新聞：微電子</p>
<p>意法半導體將 700V PowerGaN 器件添加至 STPOWER 產品組合</p>
<p>來自瑞士日內瓦的意法半導體的新型氮化鎵（GaN）功率半導體旨在提高高電壓電源在支持電氣化的高需求應用中的效率和功率密度。STPOWER 產品組合中的 700V PowerGaN 器件解決了如 AI 服務器功耗上升和超越傳統硅技術限制的高性能功率轉換需求等挑戰。</p>
<p>新型 PowerGaN 器件的設計工作電壓為 700V，支持可靠的高功率操作和更高頻率的拓撲結構。PowerGaN 固有的優勢，包括低導通損耗、高工作頻率下極低的開關損耗和零反向恢復電荷，使得系統尺寸、重量和工作温度得以降低。這些特性對於用於機器人、工業電源和智能電網轉換器的功率半導體在能源生成、分配和存儲中至關重要。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/N4776I-May-26-2026-PowerGaN_PR-IMAGE-LO-RES.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="800" height="450" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/N4776I-May-26-2026-PowerGaN_PR-IMAGE-LO-RES.jpg"/></p>
<p>“通過新 700V 器件擴展我們的 PowerGaN 產品組合，將氮化鎵技術的優勢延伸至中功率和高功率應用，” 意法半導體功率與分立子集團執行副總裁 Mario Aleo 表示。“我們將繼續擴展產品組合，增加更多電壓等級和特性，強化我們對未來 AI 服務器、人形機器人、工業電源和包括家電在內的先進消費電源應用的 GaN 承諾。”</p>
<p>現在加入 ST 的 700V PowerGaN 系列的七款新型 GaN 增強模式高電子遷移率晶體管（HEMTs）覆蓋了從 6A 到 29A 的廣泛連續電流等級，典型 RDS(on) 從 53mΩ到 270mΩ。每個器件還具有超低的內部電容和低柵極電荷，這些特性源於 GaN 寬帶隙技術，其 Qg x RDS(on) 的優越性顯著領先於傳統硅器件。</p>
<p>符合意法半導體的可靠性標準，這些 700V 器件被認為擴展了選擇範圍，並確保領先的性能和效率。它們可以作為 MOSFET 的替代品直接應用於功率轉換電路，或啓用新的更高頻率的拓撲結構。它們在高開關頻率下的操作能力減少了磁性元件和被動元件的尺寸，從而實現更緊湊的功率階段和更高的功率密度。</p>
<p>這些器件採用 DPAK、TO-LL 和 PowerFLAT 表面貼裝封裝，經過實踐驗證，並得到主要電子設計自動化庫和工具鏈的廣泛支持。TO-LL 和 PowerFLAT 器件提供了 Kelvin 源連接，將柵極控制電路與主電源路徑分開，以最大限度地提高抗干擾能力，保護柵極驅動器，並保持時序裕度。新器件（典型 RDS(on)）包括：</p>
<p>• SGT350R70GTK（6A，270mΩ），採用 6.10mm x 6.60mm 的 3 引腳 DPAK 封裝，帶可焊接的引腳；</p>
<p>• SGT070R70HTO（26A，53mΩ），採用無引腳 TO-LL 封裝，具有熱效率高的漏極和源極連接；</p>
<p>• SGT080R70ILB（29A，60mΩ），SGT105R70ILB（21.7A，80mΩ），SGT140R70ILB（17A，106mΩ），SGT190R70ILB（11.5A，138mΩ），SGT240R70ILB（10A，165mΩ），採用帶可焊接源極墊的 PowerFLAT 8x8 封裝，以增強熱性能。</p>
<p>新的 700V PowerGaN 晶體管現已投入生產，並可通過 eSTore 或分銷商購買，價格從每千件 0.63 美元到 2.25 美元不等。</p>
<p>意法半導體</p>
<p>www.ims-ieee.org</p>
<p>www.st.com/en</p>

意法半導體

標普半導體 ETF - SPDR

動態半導體 ETF - Invesco

納斯達克半導體 ETF - First Trust

STHH

半導體 3 倍做多 - Direxion

半導體 ETF - VanEck Vectors

費城交易所 半導體 ETF - iShares

<p>意法半導體擴展了其 STPOWER 產品組合，新增了 700V PowerGaN 器件，旨在提高高壓應用中的效率和功率密度。這些基於氮化鎵的半導體解決了 AI 服務器功耗方面的挑戰，並支持更高性能的電源轉換。新設備提供多種電流等級，具有低導通損耗和減小系統尺寸等優勢，適用於機器人、工業電源和智能電網應用。目前這些器件已進入生產，批量訂單價格在 0.63 美元至 2.25 美元之間</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新聞：微電子</p>
</div><p>ST adds 700V PowerGaN devices to STPOWER portfolio</p>
<div class="lb-trans"><p>意法半導體將 700V PowerGaN 器件添加至 STPOWER 產品組合</p>
</div><p>New gallium nitride (GaN)-based power semiconductors from STMicroelectronics of Geneva, Switzerland are designed to improve efficiency and increase power density in high-voltage power supplies for high-demand applications that support electrification. The 700V PowerGaN devices in the STPOWER portfolio address challenges such as rising AI server power consumption and the need for higher-performance power conversion beyond the limits of conventional silicon technologies.</p>
<div class="lb-trans"><p>來自瑞士日內瓦的意法半導體的新型氮化鎵（GaN）功率半導體旨在提高高電壓電源在支持電氣化的高需求應用中的效率和功率密度。STPOWER 產品組合中的 700V PowerGaN 器件解決了如 AI 服務器功耗上升和超越傳統硅技術限制的高性能功率轉換需求等挑戰。</p>
</div><p>Engineered for a 700V operating rating, the new PowerGaN devices support reliable high-power operation and higher-frequency topologies. PowerGaN’s inherent advantages, including low conduction losses, very low switching loss at high operating frequencies, and zero reverse-recovery charge, enable reduced system size, weight, and operating temperature. These attributes are important for power semiconductors used in robotics, industrial power supplies, and smart-grid converters for energy generation, distribution and storage.</p>
<div class="lb-trans"><p>新型 PowerGaN 器件的設計工作電壓為 700V，支持可靠的高功率操作和更高頻率的拓撲結構。PowerGaN 固有的優勢，包括低導通損耗、高工作頻率下極低的開關損耗和零反向恢復電荷，使得系統尺寸、重量和工作温度得以降低。這些特性對於用於機器人、工業電源和智能電網轉換器的功率半導體在能源生成、分配和存儲中至關重要。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/N4776I-May-26-2026-PowerGaN_PR-IMAGE-LO-RES.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/N4776I-May-26-2026-PowerGaN_PR-IMAGE-LO-RES.jpg"/></p>
<p>“Broadening our PowerGaN portfolio with new 700V devices extends the benefits of gallium nitride technology into medium-power and high-power applications,” says Mario Aleo, executive VP, Power &amp; Discrete Sub-Group, at ST. “We will continue to expand the portfolio with additional voltage ratings and features, reinforcing our commitment to GaN for tomorrow’s AI servers, humanoid robotics, industrial power, and advanced consumer power applications including home appliances.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“通過新 700V 器件擴展我們的 PowerGaN 產品組合，將氮化鎵技術的優勢延伸至中功率和高功率應用，” 意法半導體功率與分立子集團執行副總裁 Mario Aleo 表示。“我們將繼續擴展產品組合，增加更多電壓等級和特性，強化我們對未來 AI 服務器、人形機器人、工業電源和包括家電在內的先進消費電源應用的 GaN 承諾。”</p>
</div><p>The seven new GaN enhancement-mode high-electron-mobiliity transistors (HEMTs) now joining ST’s 700V PowerGaN series cover a wide range of continuous current ratings, from 6A to 29A, and typical RDS(on) from 53mΩ to 270mΩ. Also featuring ultra-low internal capacitances and low gate charge, inherent in GaN wide-bandgap technology, each has a Qg x RDS(on) figure of merit (FoM) significantly ahead of traditional silicon devices, it is reckoned.</p>
<div class="lb-trans"><p>現在加入 ST 的 700V PowerGaN 系列的七款新型 GaN 增強模式高電子遷移率晶體管（HEMTs）覆蓋了從 6A 到 29A 的廣泛連續電流等級，典型 RDS(on) 從 53mΩ到 270mΩ。每個器件還具有超低的內部電容和低柵極電荷，這些特性源於 GaN 寬帶隙技術，其 Qg x RDS(on) 的優越性顯著領先於傳統硅器件。</p>
</div><p>Qualified to ST’s reliability standards, the 700V devices are said to broaden choices and ensure leading-edge performance and efficiency. They can drop into power conversion circuits as a replacement for MOSFETs, or enable new, higher-frequency topologies. Their capability to operate at elevated switching frequencies reduces the size of magnetics and passives, enabling a more compact power stage and higher power density.</p>
<div class="lb-trans"><p>符合意法半導體的可靠性標準，這些 700V 器件被認為擴展了選擇範圍，並確保領先的性能和效率。它們可以作為 MOSFET 的替代品直接應用於功率轉換電路，或啓用新的更高頻率的拓撲結構。它們在高開關頻率下的操作能力減少了磁性元件和被動元件的尺寸，從而實現更緊湊的功率階段和更高的功率密度。</p>
</div><p>The devices are housed in DPAK, TO-LL and PowerFLAT surface-mount packages that are proven in practice and widely supported by major electronic design automation libraries and toolchains. The TO-LL and PowerFLAT devices provide a Kelvin source connection that separates the gate-control circuit from the main power path to maximize noise immunity, protect the gate driver, and preserve timing margin. The new devices (with typical RDS(on)) are:</p>
<div class="lb-trans"><p>這些器件採用 DPAK、TO-LL 和 PowerFLAT 表面貼裝封裝，經過實踐驗證，並得到主要電子設計自動化庫和工具鏈的廣泛支持。TO-LL 和 PowerFLAT 器件提供了 Kelvin 源連接，將柵極控制電路與主電源路徑分開，以最大限度地提高抗干擾能力，保護柵極驅動器，並保持時序裕度。新器件（典型 RDS(on)）包括：</p>
</div><p>• SGT350R70GTK (6A, 270mΩ) in 6.10mm x 6.60mm 3-pin DPAK with solderable tab;</p>
<div class="lb-trans"><p>• SGT350R70GTK（6A，270mΩ），採用 6.10mm x 6.60mm 的 3 引腳 DPAK 封裝，帶可焊接的引腳；</p>
</div><p>• SGT070R70HTO (26A, 53mΩ) in leadless TO-LL with thermally efficient drain and source connections;</p>
<div class="lb-trans"><p>• SGT070R70HTO（26A，53mΩ），採用無引腳 TO-LL 封裝，具有熱效率高的漏極和源極連接；</p>
</div><p>• SGT080R70ILB (29A, 60mΩ), SGT105R70ILB (21.7A, 80mΩ), SGT140R70ILB (17A, 106mΩ), SGT190R70ILB (11.5A, 138mΩ), SGT240R70ILB (10A, 165mΩ) in PowerFLAT 8x8 with solderable source pad for enhanced thermal performance.</p>
<div class="lb-trans"><p>• SGT080R70ILB（29A，60mΩ），SGT105R70ILB（21.7A，80mΩ），SGT140R70ILB（17A，106mΩ），SGT190R70ILB（11.5A，138mΩ），SGT240R70ILB（10A，165mΩ），採用帶可焊接源極墊的 PowerFLAT 8x8 封裝，以增強熱性能。</p>
</div><p>The new 700V PowerGaN transistors are in production now and available from the eSTore or through distributors, from $0.63 to $2.25 for orders of 1000 pieces.</p>
<div class="lb-trans"><p>新的 700V PowerGaN 晶體管現已投入生產，並可通過 eSTore 或分銷商購買，價格從每千件 0.63 美元到 2.25 美元不等。</p>
</div><p>STMicroelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>意法半導體</p>
</div><p>www.ims-ieee.org</p>
<div class="lb-trans"><p>www.ims-ieee.org</p>
</div><p>www.st.com/en</p>
<div class="lb-trans"><p>www.st.com/en</p>
</div>

ST adds 700V PowerGaN devices to STPOWER portfolio

SemiConductor

STMicroelectronics NV ADRhedged

ST 將 700V PowerGaN 器件納入其 STPOWER 產品組合