我是 LongbridgeAI，我可以總結文章信息。鎧俠憑超 300 層 NAND 及 PCIe 6.0 方案正面硬剛三星，三星則以破 430 層的 V10 工藝強勢反擊。韓日巨頭巔峯對決正重塑 NAND 市場格局。
全球 NAND 市場格局正迎來新一輪技術競速。日本鎧俠今年密集推進 PCIe 6.0 企業級固態硬盤及 UFS 5.0 移動存儲方案量產，直接挑戰三星電子在 AI 存儲領域的頭部地位，韓日兩國存儲巨頭的新一代產品博弈全面升温。
據韓國科技媒體 ZDNet 報道，鎧俠已於今年 7 月初在日本巖手縣北上工廠啓動第十代（BiCS 10）3D NAND 量產，並在此基礎上完成 PCIe 6.0 企業級固態硬盤 CM10 的商業化落地。三星電子同期亦宣佈 PCIe 6.0 eSSD 產品 PM1763 進入量產，並披露第十代 V-NAND（V10）將於本月啓動量產，在關鍵節點上與鎧俠形成直接正面交鋒。此番兩家廠商同期推進最新規格產品商用化，將加速 AI 數據中心及端側 AI 市場的存儲性能升級進程，並對現有供應格局產生深遠影響。
從市場份額來看，據市場調研機構 TrendForce 數據，2026 年第一季度三星電子以 31.6% 穩居全球 NAND 市場首位，SK 海力士以 17.6% 位居第二，鎧俠以 13.9% 排名第三。鎧俠體量雖遜於韓系廠商，但其在 AI 高性能存儲領域的技術推進節奏正在加快，市場競爭壓力不容忽視。
鎧俠：BiCS 10 打底，PCIe 6.0 與 UFS 5.0 雙線推進
鎧俠本輪技術攻勢以第十代 NAND 為核心支撐。BiCS 10 採用 332 層堆疊工藝，已於 7 月初在北上 K2 工廠正式量產。三星電子與 SK 海力士目前均已完成第九代 NAND 量產，儘管各廠商不同代際的堆疊層數定義存在差異，難以直接比較，但鎧俠率先實現 300 層以上高堆疊 NAND 量產，本身具有重要的技術標誌意義。
在此基礎上，鎧俠推出面向數據中心市場的 PCIe 6.0 eSSD CM10。PCIe 6.0 是今年才開始商用化的最新接口標準，鎧俠官方數據顯示，CM10 相比前代產品順序讀取性能最高提升 92%，隨機讀取性能提升約 85%。
在端側 AI 方向，鎧俠計劃於今年底啓動 UFS 5.0 存儲方案量產。UFS 5.0 為今年開始商用化的最新嵌入式存儲規格，主要應用於移動端 NAND 場景，數據處理速度較上一代 UFS 4.1 提升約 2 倍。鎧俠的 UFS 5.0 方案搭載自研控制器與第八代 NAND。
三星：多條產品線齊發，V10 開啓新一代工藝
三星電子今年在 NAND 領域同樣動作密集。PM1763 於 7 月初進入量產，搭載第九代 V-NAND 及 4 納米制程新一代控制器，成為三星在 PCIe 6.0 賽道的首款商用產品。
在移動存儲方向，三星已於今年 6 月完成 UFS 5.0 產品開發，計劃於今年第四季度啓動量產。該產品基於第九代 NAND，實現 10.8GB/s 的數據傳輸帶寬，三星將其定位為行業最高水準，併兼顧功耗效率。
更受市場關注的是三星 V10 NAND 的量產啓動。V10 堆疊層數估計達 430 層以上，並將首次引入混合鍵合（Hybrid Bonding）工藝及三次堆疊（3-Stack）架構，標誌着三星在 NAND 工藝上邁入新階段。據半導體行業人士透露，三星近期已完成 V10 的內部產品量產審批（PRA），正式對外公佈量產計劃。不過該人士同時指出，目前大規模量產設備投資尚未全面展開，初期產量預計仍處於較低水平。
AI 需求驅動，新規格存儲加速滲透
本輪韓日廠商的競爭焦點高度集中於 AI 應用場景。PCIe 6.0 面向 AI 數據中心的高吞吐量存儲需求，UFS 5.0 則針對端側 AI 設備對本地存儲性能的快速提升需求，兩條產品線均與當前 AI 產業擴張方向高度吻合。
鎧俠的快速跟進表明，全球 NAND 市場的技術迭代週期正在壓縮，頭部廠商在新規格產品的商用化時間窗口上差距已大幅收窄。對於 AI 基礎設施投資者而言，存儲層面的性能瓶頸有望在今年至明年間隨上述新規格產品的規模化量產而得到實質性緩解。