我是 LongbridgeAI，我可以總結文章信息。SK 海力士的股票在盤前交易中下跌，儘管該公司宣佈將投資 380 億美元擴建兩座工廠並將生產能力翻倍。該公司旨在通過在韓國建設新的 DRAM 和 NAND 設施，以滿足日益增長的人工智能時代內存需求，計劃在 2028-2029 年開始運營。儘管這一舉措解決了全球芯片短缺問題並確保了長期客户協議，但投資者仍對利潤率的可持續性感到擔憂
儘管制定了 380 億美元的計劃以擴建兩座工廠並將生產能力翻倍，韓國芯片製造商 SK 海力士（SK Hynix）的股票在今日盤前交易中小幅下跌。
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對內存的需求不斷增長
全球第二大內存芯片製造商表示，將在韓國龍仁市建設一座新的 DRAM 製造設施，並在清州建設一座 NAND 製造廠。該舉措是為了應對 “在人工智能時代對內存不斷增長的需求”，並將有助於緩解全球芯片短缺。
SK 海力士的一位發言人補充道：“這項投資是為了確保我們在市場增長時不失去機會。通過主動確保生產能力，我們將確立自己作為關鍵的人工智能基礎設施合作伙伴，助力全球人工智能半導體供應鏈的穩定。”
SK 海力士表示，新的龍仁 Y2 將是計劃在龍仁半導體集羣內建設的四座工廠中的第二座。它計劃於明年 7 月開始建設，目標是在 2029 年 6 月開放第一間潔淨室，以生產高帶寬內存和其他下一代 DRAM。清州 M17 的擴建將於 2 月開始，第一間潔淨室的目標是在 2028 年底前完成。
滿足投資者的關注
DRAM（動態隨機存取內存）芯片是快速工作的內存，幫助服務器和計算機快速處理活動數據。NAND 芯片是用於固態硬盤（SSD）的閃存，用於長期數據存儲。
預計 SK 的芯片整體需求將繼續增長，行業估計 DRAM 製造商僅滿足全球需求的 75% 到 80%。SK 海力士還在不斷創新，計劃在下半年向領先的人工智能芯片設計師提供 HBM4 樣品，並預計在 2027 年實現 HBM4 和 HBM4E 的量產。
然而，一些投資者擔心，儘管公司的生產能力已售罄至 2027 年，並且正在與客户簽訂多項長期合同，但利潤率是否可持續。