我是 LongbridgeAI，我可以總結文章信息。SK 海力士已開始為英偉達的 Rubin 平台大規模發貨 16 層 HBM4，獲得了先發優勢。美光目前正在發貨相同配置的樣品，而三星由於需求有限選擇不進行商業化。儘管 SK 海力士在內存生產方面領先，但行業分析師指出，台積電的 CoWoS 先進封裝是主要的瓶頸，顯著的供應缺口和較長的交貨時間限制了整體 AI 加速器的產出
三家公司可以製造英偉達最新人工智能處理器所需的先進內存。
據報道，只有一家已實現最密集配置的量產出貨。
硅分析師最新的供應鏈追蹤顯示，SK hynix Inc. (NASDAQ: SKHY) 正在為 NVIDIA Corporation (NASDAQ: NVDA) 的 Vera Rubin 平台發貨一款 48GB、16 層 HBM4 設備。
這比該公司最後一次公開聲明更進一步。
因此，SK Hynix、三星電子有限公司 (OTC: SSNLF) 和 美光科技公司 (NASDAQ: MU) 之間的人工智能內存競爭已超越 HBM4 認證。
新的戰場是每個供應商能多快以商業規模製造越來越密集的內存堆疊。
為什麼 16 層 HBM4 重要
HBM 代表高帶寬內存。它是垂直堆疊在處理器旁邊的 DRAM，以便人工智能加速器能夠快速獲取數據，從而保持其計算核心的工作。
每增加一層，堆疊的容量就會提高。16 層的產品容量為 48GB，而 12 層版本為 36GB，容量增加了 33%。
在同一高度內增加四層需要更薄的芯片和更緊密的間隙，這就是為什麼 16 層產品是這一代中最難的一步。
硅分析師表示，SK Hynix 在第三季度開始大規模生產其 48GB、16 層 HBM4 設備。
將更多內存放置在處理器附近可以減少數據傳輸延遲。這也使得人工智能系統能夠在不使用額外內存包的情況下運行更大的模型。
硅分析師稱 SK Hynix 的舉動是 “本週最強烈的供應鏈信號”。
此次出貨還展示了競爭對手無法在短時間內複製的東西：製造良率。
堆疊 16 個內存芯片增加了生產複雜性。每一層必須可靠地通信，同時保持在嚴格的功率、熱量和物理尺寸限制內。
硅分析師表示，這一里程碑 “鞏固了 SK Hynix 的先發優勢”。
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美光和三星的現狀
自三月以來，美光一直在為英偉達 Rubin 進行 12 層 HBM4 的大規模生產，並已向客户發貨 48GB 16 層樣品。
它尚未宣佈更高產品的量產。
三星電子有限公司於二月開始大規模生產 HBM4。
其 HBM3E 12 層產品在截至 9 月 14 日的一週內通過了英偉達的認證，而其 HBM4 12 層堆疊正在進行最終認證階段，硅分析師表示。
三星在其 2025 年第四季度電話會議上告訴投資者，16 層產品的客户需求有限，商業化是沒有必要的，同時表示如果需求變化，它擁有實現這一目標的技術。
| 公司 | 12 層 HBM4 | 16 層 HBM4 |
|---|---|---|
| SK Hynix Inc. | 大規模生產 | 量產出貨（追蹤） |
| 美光科技公司 | 大規模生產 | 樣品已發貨 |
| 三星電子有限公司 | 最終認證 | 尚未商業化 |
來源：公司聲明，硅分析師（2026 年 9 月 14 日）
封裝是限制因素
內存不再是構建人工智能系統中最慢的步驟。
硅分析師估計，台灣半導體制造公司 (NYSE: TSM) 的 CoWoS 先進封裝的交貨時間已延長至 52-78 周。
CoWoS，即芯片 - 晶圓 - 基板，是台積電的先進封裝技術，用於將英偉達的處理器與其高帶寬內存連接在一個完整的人工智能芯片包中。
沒有足夠的封裝能力，額外的處理器和內存無法成為完整的人工智能加速器。
硅分析師表示，“封裝，而不是硅，仍然是限制因素。”
沒有商用替代品可以替代 CoWoS。
到 2026 年底，產能將上升至每月 12 萬到 13 萬片，到 2027 年將達到 14.1 萬到 17 萬片，但 TrendForce 仍估計今年的供應缺口接近 20%。
美光將在 9 月 30 日公佈財政第四季度業績，這是對 HBM 價格和出貨量的下一個可驗證的評估。
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