半導體分析機構 SemiAnalysis 在 VLSI 2026 會議期間發佈關於 3D NAND 閃存架構的推文稱：在當前產能受限的環境下，業界最不需要的就是因為堆疊良率下降而導致單座晶圓廠的比特產出量降低。在 VLSI 2026 大會上，鎧俠（Kioxia）和三星均展示了多陣列混合鍵合 NAND 架構，將其作為實現 1000 層以上最高密度的發展路徑。鎧俠的多層堆疊單元陣列（MSA）樣品包括，用於解決對準和翹曲等機械集成挑戰的雙 218 層（2 層堆疊）樣品，以及用於電氣特性表徵和 QLC 可靠性驗證的雙 17 層樣品。三星的單元多重鍵合（CMB）樣品則更進一步，推出了雙 450 層（3 層堆疊）的機械樣品和雙 155 層（單層堆疊）的電氣樣品。