$Roundhill Memory ETF(DRAM.US)以及整個內存行業在 2026 年初因 AI 驅動進入了一個強勁的超級週期。第一季度價格大幅飆升，預計第二季度將迎來另一波大幅上漲，之後漲幅可能放緩。供應緊張和高企的價格預計將持續到 2026 年，並可能延續到 2027 年及以後，期間新產能的緩解將是漸進的。

超大規模雲服務商和 AI 數據中心對每個系統的內存需求遠高於以往。這包括用於 GPU 的 HBM（高帶寬內存）和高密度傳統 DRAM（例如 DDR5 RDIMM）。AI 工作負載正在吸收不成比例的產能。

三星、SK 海力士和美光正在將生產轉向利潤率更高的 HBM 和先進/服務器 DRAM，從而減少了可用於標準 PC、移動設備（LPDDR）和消費級 DRAM 的供應。生產 HBM 會擠佔大量傳統 DRAM 的產出。

晶圓廠擴建需要 12-18 個月以上才能達產；通過工藝優化帶來的晶圓投入增長是漸進式的，而非主要依靠新建生產線。庫存水平較低。

內存製造商（三星、SK 海力士、美光）是明顯的贏家。PC/智能手機 OEM 廠商、模組製造商以及工業/嵌入式用户面臨分配問題和更高的成本。規模較小或專注於中國市場的廠商正試圖填補成熟製程節點的缺口。

@Bridge Buzz SG